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[发明专利]处理由请求动作帧发起的协商过程的方法和装置-CN202211509264.0在审
发明人：徐建芳;吴政颖;周超文;石镕豪 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H04L5/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种无线通信方法包括：接收请求动作帧；响应于请求动作帧，生成并发送确认(ACK)控制帧，该ACK控制帧被配置为用作请求动作帧的响应动作帧，其中ACK控制帧不是与请求动作帧配对的响应动作帧，另一种无线通信方法包括：接收请求动作帧；响应于请求动作帧，产生并发送确认(ACK)控制帧和在ACK控制帧之后的时间受限制的响应动作帧，其中时间受限制的响应动作帧由请求动作帧请求。
处理请求动作发起协商过程方法装置

[外观设计]可作为笔记本电脑支架的外接显卡-CN202230090142.7有效
发明人：叶琳;李秉峰;殷琴;张瑜;莫牧;张喜条;黄建荣;颜名鸿;池咏伦;张可妤;洪千茹;连振泰;张菁惠;李坤育;王国纶;付冬冬;韩占政;吴文瑜;吴政颖;施继泽 -专利权人：联宝(合肥)电子科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：可作为笔记本电脑支架的外接显卡。2.本外观设计产品的用途：可作为笔记本电脑支架使用的外接显卡。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。5.变化状态图1、2是做为笔记本电脑支架使用时的形态。
作为笔记本电脑支架外接显卡

[发明专利]低电压反熔丝元件-CN202010086112.9在审
发明人： 吴政颖;黄郁婷;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2020-02-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压反熔丝元件，其在基底上依序设有第一闸极介电层和第一闸极，并于第一闸极一侧的基底内形成有第一离子掺杂区，其中第一闸极包括本体部与从本体部一侧延伸渐缩的尖角部，且本体部和尖角部皆邻接于第一闸极介电层上；进行操作时，利用电荷于尖角处的密度较高的原理，当写入电压被施加于第一闸极及第一离子掺杂区之间时，使得尖角部下方的第一闸极介电层的一部分易于击穿，以此降低击穿电压，达成降低电流消耗的目的，同时可减少闸极面积，缩小元件尺寸，从而降低生产成本。
电压反熔丝元件

[发明专利]带电可擦除可编程只读存储器的操作方法-CN201911415784.3在审
发明人： 吴政颖;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：一种带电可擦除可编程只读存储器的操作方法，此带电可擦除可编程只读存储器在半导体基板上设置有晶体管结构，且晶体管结构具有第一导电闸极，同时，于第一导电闸极与源极和汲极交界处的半导体基板内或源极和汲极的离子掺杂区内更植入有同型离子，以增加该区域内的离子浓度，以降低写入及抹除的电压差，藉由本发明对应元件提出的操作方法，包括将汲极或源极设定为浮接的条件，进而可达到大量记忆晶胞的快速写入及抹除。本发明除了可以应用于单闸极晶体管结构之外，更适用于具有浮接闸极结构的带电可擦除可编程只读存储器。
带电擦除可编程只读存储器操作方法

[发明专利]低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法-CN201911214012.3在审
发明人： 吴政颖;钟承谕;黄文谦 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列的操作方法，此低电流电子抹除式可复写只读存储器阵列包含多组位线、多条字线、多条共源线与多个子内存阵列，于每一子内存阵列中，第一记忆晶胞连接第一组位线的一位线、第一共源线与第一字线，第二记忆晶胞连接第一组位线的另一位线、第一共源线与第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧。藉由本发明对应元件提出特殊的操作条件及偏压设定，不仅可实现低电流、低电压及低成本的设计功效，更能达到字节操作的快速写入及快速抹除的功能。
电流电子复写只读存储器阵列操作方法

[发明专利]小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法-CN201410748915.0有效
发明人：林信章;黄文谦;范雅婷;叶仰森;吴政颖 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列的操作方法，此小面积电子擦写式可复写只读存储器阵列包含多条字元线、字线、共源线与子存储阵列，此些位元线区分为多组位元线，字线包含第一字线，共源线包含第一共源线，每一子存储阵列包含与两组位元线、一字线与一共源线连接的一第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元、第四存储单元，其中第一存储单元、第二存储单元对称配置，第三存储单元、第四存储单元对称配置，且第一存储单元、第二存储单元与第三存储单元、第四存储单元以第一共源线分别对称配置。本发明可一次选择所有操作存储单元，并利用特殊的偏压设定来实现大量存储单元的写入及擦写。
面积电子擦写复写只读存储器阵列操作方法

[发明专利]低成本电子抹除式可复写只读存储器数组的操作方法-CN201410689750.4有效
发明人：林信章;黄文谦;范雅婷;叶仰森;吴政颖 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明公开一种低成本电子抹除式可复写只读存储器数组的操作方法，此低成本电子抹除式可复写只读存储器数组包含多字元线、字线、共源线与子内存数组，此些位线区分为多组位线，字线包含第一、第二字线，共源线包含第一共源线，每一子内存数组包含第一、第二记忆晶胞，第一、第二记忆晶胞皆连接第一组位线、第一共源线并分别连接第一、第二字线，第一、第二记忆晶胞互相对称配置，并分别位于第一共源线的相异两侧，且第一、第二记忆晶胞皆作为操作记忆晶胞。本发明可一次选择所有操作记忆晶胞，并利用特殊的偏压设定来达成大量记忆晶胞的写入及抹除。
低成本电子复写只读存储器数组操作方法

[发明专利]单向型无溶剂聚氨酯树脂、含有该树脂的人造皮革及其制造方法-CN201810318355.3在审
发明人：林永欣;吴政颖;陈俊业 -专利权人：高鼎精细化工（昆山）有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C08G18/76 文献下载
摘要：本发明涉及一种单向型无溶剂聚氨酯树脂、含有该树脂的人造皮革及其制造方法，其包含一或多种异氰酸酯、一或多种多元醇、及一或多种硅烷化合物，其中该一或多种异氰酸酯、一或多种多元醇、及一或多种硅烷化合物系经反应，以形成聚氨酯预聚物，且其中该一或多种多元醇系选自由聚酯多元醇、聚醚多元醇及其组合所组成之群。本发明另关于包含前述单向型无溶剂聚氨酯树脂之人造皮革及其制造方法，该人造皮革具有改良之软触感、耐水解、耐候性、柔韧性及丰厚感等特性。
无溶剂聚氨酯树脂人造皮革硅烷化合物异氰酸酯多元醇树脂制造聚氨酯预聚物该人造皮革聚醚多元醇聚酯多元醇柔韧性多元醇系耐候性耐水解触感改良自由

[发明专利]一种奶牛专用甘蔗颗粒饲料及其制造工艺-CN201611093808.4在审
发明人：吴聚定;吴政霖;吴政颖;吴聚钦 -专利权人：吴聚定
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： A23K50/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种奶牛专用甘蔗颗粒饲料及其制造工艺，包括甘蔗叶、甘蔗渣、糖蜜和桑树；所述材料的重量比为甘蔗叶30％‑50％；甘蔗渣20％‑40％；糖蜜10％‑30％；桑树10％‑30％；制作工艺包括如下步骤步骤一，材料的称取；步骤二，甘蔗叶的制备；步骤三，甘蔗渣的制备；步骤四，糖蜜的选取；步骤五，桑树的制备；步骤六，材料的混合；步骤七，制粒；本发明既适合奶牛采食，又能够把甘蔗叶、甘蔗渣和桑树、甘蔗糖蜜的长期保鲜和降低长途运输成本等，实现低价值甘蔗废异物整体升值，南料北运，弥补北方寒冬季节缺鲜草料的目标。
一种奶牛专用甘蔗颗粒饲料及其制造工艺

[实用新型]配置在车体上的行动电源装置-CN201120265711.3有效
发明人：叶昇鑫;吴政颖 -专利权人：叶昇鑫;吴政颖
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： B60L1/00 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种配置在车体上的行动电源装置，其包含车体、发电装置以及蓄电装置；该车体具有一动力输出轴；该发电装置与该动力输出轴直接或间接枢接进而发电，控制模块具有直流转交流的变压设计，而电源输出单元透过控制模块可藉由电源输出端子供电器用品枢接取电；该蓄电装置又包含一连结于车体的承置座，可供蓄电装置方便容置固定与卸下。藉此，本实用新型藉由车体移动时的轮轴转动的动能对发电装置作用而产生电能，并将该电能储存于蓄电装置，并透过直流、交流的转换而可将蓄电装置内的电能直接供车体的电器用品使用，或者将该电能作更广泛的运用。
配置车体行动电源装置

[实用新型]自行车的方向灯装置-CN201120265712.8有效
发明人：叶昇鑫;吴政颖 -专利权人：叶昇鑫
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B62J6/00 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种自行车的方向灯装置，其包含自行车本体、开关组以及方向灯组。该自行车本体前端具有可控制方向的转向机构，而开关组的第一开关、第二开关固定于转向机构上，藉一启动杆随转向机构的转动而摆动，当启动杆摆动至一预定角度时，可触动第一开关或第二开关作用而发出讯号，藉以通知方向灯组的第一方向灯或第二方向灯发出警示的灯光，而方向灯组可安装于车架上亦可安装于车体以外的物体。
自行车方向装置

[发明专利]参考电压产生装置-CN200810008034.X有效
发明人：林信章;王义成;吴政颖 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2008-03-04 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：本发明系一种参考电压产生装置，包括一电流产生电路产生一电流，一主动负载电路接收此电流并输出一参考电压，且主动负载电路包括至少一第一参考电压控制电路与一相耦接第二参考电压控制电路，用于降低或提升参考电压之准位，以及一参考电压准位供应电路用于提供至少两参考电压控制准位，以供第一、第二参考电压控制电路依据参考电压控制准位，调整参考电压准位系保持固定状态。
参考电压产生装置

[发明专利]电压泵浦装置及其操作方法-CN200710143138.7有效
发明人： 吴政颖;林信章 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种电压泵浦装置及其操作方法，由彼此串接的多级电荷转移单元与输出单元组成，每一级电荷转移单元包括用于输入的第一节点、用于输出的第二节点、第一电路与第一电容。能够提供第一电路一偏压而使其偏压在第一节点或者第二节点，因此奇数级与偶数级电荷转移单元的第一电容能够分别接收两反相的时序信号以进行互补式开关操作，配合输出单元的开关，最后能产生一具有高负准位的输出电压，本发明具有能够消除基体效应和高帮浦增益的优点。
电压装置及其操作方法

[发明专利]低干扰性的单闸极非易失性存储器及其操作方法-CN200610104157.4无效
发明人：林信章;黄文谦;杨明苍;张浩诚;吴政颖 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2006-08-03 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种低干扰性的单闸极非易失性存储器及其操作方法，本发明是在半导体基底内嵌晶体管及电容结构，将晶体管中的导电闸极与电容结构中的导电闸极相互电性连接而形成记忆胞的单浮接闸极，且电容结构内的介电层与半导体基底之间，还形成一离子掺杂区埋层的结构以降低外界对电容结构的干扰，并且可控制起始临界电压；此单闸极记忆胞可透过施加逆向偏压以进行写入、抹除及读取等操作，且同时配合隔离井区的操作，可借由施加正负电压于汲极、闸极及硅基底或井区，来产生反层，以降低绝对电压，减少升压电路的面积，并达成降低电流消耗的目的。
干扰单闸极非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]单闸极的非挥发性内存及其操作方法-CN200610066471.8有效
发明人：林信章;黄文谦;杨明苍;张浩诚;吴政颖 -专利权人：亿而得微电子股份有限公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种单闸极的非挥发性内存及其操作方法，此非挥发性内存是在半导体基底内嵌晶体管及电容结构，晶体管包含第一导电闸极、第一介电层与多个第一离子掺杂区，而电容结构则包含第二导电闸极、第二介电层与第二离子掺杂区，且第一导电闸极与第二导电闸极是相互电连接而形成记忆胞的单浮接闸极，此单闸极记忆胞乃可藉由逆向偏压进行写入以及相关的抹除及读取等操作，另外，有隔离井区的操作时，可藉由施加正负电压于汲极、闸极及硅基底或井区，来产生反层，以降低绝对电压，减少升压电路的面积，并达成降低电流消耗的目的。
单闸极挥发性内存及其操作方法

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