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[发明专利]一种改进的双面往复连续磁控溅射镀膜机-CN202310081476.1在审
发明人：吴佳云;李志隆;陈功;管家乐;柏昕言;屠泽峰;张咏旭;左佑;吴回忠;王震;董文贤 -专利权人：常州工学院
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种改进的双面往复连续磁控溅射镀膜机，包括设于真空室内的第一冷辊、第二冷辊和第三冷辊、第一回转换靶装置、第二回转换靶装置、第三回转换靶装置、第四回转换靶装置和纠偏装置，第一冷辊、第二冷辊和第三冷辊横向并排布置，且中间为第二冷辊，开卷机构和收卷机构之间的基带经过设于真空室内的换向辊换向后呈“S”形缠绕于第一冷辊、第二冷辊和第三冷辊上，第一冷辊包覆有基带的圆周面上对应设置有第一回转换靶装置和第二回转换靶装置，第三冷辊包覆有基带的圆周面上对应设置有第三回转换靶装置和第四回转换靶装置。本发明克服现有磁控溅射镀膜机设备的稳定性以及基带在镀膜过程中的不均匀性的问题。
一种改进双面往复连续磁控溅射镀膜

[发明专利]一种新型防杂物进入下水道井盖装置及其使用方法-CN202110932325.3在审
发明人：张咏旭;陈功;苏鹏举;周子文;吴回忠;吴佳云;项玥;徐斌;周婕;方静;蒋旭鹏 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： E03F5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型防杂物进入下水道井盖装置，其技术方案要点是：包括井盖，所述井盖的一侧边设置在路边，还包括：下水孔，所述下水孔设置有若干组，若干组所述下水孔均设置为一字孔；毛刷盒，所述毛刷盒设置有三组，三组所述毛刷盒分别设置在所述井盖的其他侧边；盒盖，所述盒盖设置在所述毛刷盒的顶部；毛刷，所述毛刷设置在所述毛刷盒内；固定机构，所述毛刷通过所述固定机构设置在所述毛刷盒内；移动板，所述移动板设置在其中两组所述下水孔之间；本发明还公开了一种新型防杂物进入下水道井盖装置利用装置的使用方法。本发明在下雨时通过人工操作毛刷盒，控制井盖周边毛刷盒内的毛刷升起，阻挡树叶，降低杂物堵住下水孔的可能。
一种新型杂物进入下水道井盖装置及其使用方法

[发明专利]一种新型防堵减淤滤水井盖及其使用方法-CN202110932335.7在审
发明人： 吴回忠;陈功;张涵;马震;邱梦洳;孙鑫;杨艳琴;赵明霞;徐斌;束双晧;王致远;代寒琪 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： E03F5/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型防堵减淤滤水井盖及其使用方法，其技术要点是：包括方形井盖和设置在所述匚形井盖四周的毛刷组，所述毛刷组包括：由第二连接杆连接的上下毛刷组、由第一连接杆连接的左右毛刷组，所述上下毛刷组包括第一上下毛刷和第二上下毛刷，所述左右毛刷组包括第一左右毛刷和第二左右毛刷，所述第一连接杆的两端分别穿设过所述第一上下毛刷和第二上下毛刷并连接固定在所述第一左右毛刷和第二左右毛刷上，所述方形井盖内开设有若干个供所述第一上下毛刷、所述第二上下毛刷、所述第一左右毛刷、所述第二左右毛刷隐藏的凹槽。本发明有效地解决了常见的市政难题，可有效解决雨水口堵塞导致的城市内涝问题。
一种新型防堵减淤滤水井及其使用方法

[发明专利]用于晶圆的黏胶带装置、及晶圆的黏胶带方法-CN200710003273.1无效
发明人： 吴回忠;李训敏 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2007-02-02 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种用于晶圆的黏胶带装置，其包括：机台单元、晶圆承载单元、胶带拉紧单元、胶带夹紧单元及滚压单元。该晶圆承载单元可上下移动地(movably)设置于该机台单元上，以用于承载至少一晶圆。该胶带拉紧单元于其上设置有一捆胶带，并且该胶带拉紧单元设置于该机台单元上并且位于该晶圆承载单元的一侧。该胶带夹紧单元设置于该机台单元上并位于该晶圆承载单元的另一侧，以用于夹紧该捆胶带的胶带末端。以及，该滚压单元可滑动地(slidably)设置于该机台单元上，并位于该晶圆承载单元的另一侧，以用于均匀地滚压及黏贴该胶带于该至少一晶圆上。
用于黏胶装置方法

[发明专利]半导体真空金属烧结装置及其制程-CN200410091606.7无效
发明人：郑鸿龙;吴回忠;李基城 -专利权人：敦南科技股份有限公司
申请日： 2004-11-23 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体真空金属烧结装置及其制程，该半导体真空金属烧结装置包括有一石英管、一真空抽气设备、一炉膛及一气体注入管。该半导体真空金属烧结制程是于真空状态下，进行高温金属烧结。藉此，由于真空状态下的低氧气含量能减少金属氧化情形，进而促进高良率制程进行。而于烧结完成后藉由一可移动式的炉膛，可立即离开该石英管降低烧结后的冷却时间。
半导体真空金属烧结装置及其