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[发明专利]用于神经网络计算的参差存储结构及神经网络计算方法-CN202110781610.X有效
发明人：姚春赫;刘力源;杨旭;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明提供一种用于神经网络计算的参差存储结构及神经网络计算方法，涉及数字信号处理技术领域。该参差存储结构包括：直接存储器访问器，用于从外部获取需要的权重数据；存储阵列，包括并行布置的多个存储器，存储器用于存储权重数据；广播网络，包括多个选择器，选择器用于将多个存储器分配给不同的计算簇，以实现不同大小特征图；控制器，连接广播网络，用于控制广播网络中的数据流以及各个选择器的开关；其中，存储阵列包含的存储器个数与计算簇的数量相等，存储器的存储容量根据存储器在广播网络中的重要性进行排列。本发明可以通过配置不同的广播网络适配不同大小的特征图，同时通过较为简单的连接网络，获得很高的速度。
用于神经网络计算参差存储结构计算方法

[发明专利]一种神经网络处理装置和方法-CN202310849203.7在审
发明人：王飞虎;刘力源;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供了一种神经网络处理装置和方法。该装置包括：配置单元，用于根据选择器配置信息，从数据选择器组中确定至少一个目标数据选择器，确定至少一个目标数据选择器所导通的传输通路；至少一个目标数据选择器，用于通过导通传输通路，向多个处理单元中的至少一个目标处理单元各自的运算器，传输与至少一个目标处理单元各自对应的待处理数据和与至少一个目标处理单元各自对应的模型参数；至少一个目标处理单元各自的运算器，用于按照与至少一个目标处理单元各自对应的模型参数，对与至少一个目标处理单元各自对应的待处理数据执行运算操作，得到数据处理结果。
一种神经网络处理装置方法

[发明专利]基于多维度特征的目标追踪方法及装置-CN202110450929.4有效
发明人：程力;赵明心;窦润江;刘力源;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06V10/764 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多维度特征的目标追踪方法和装置，方法包括：基于目标追踪图像中的目标对象的位置，从待追踪图像中确定候选图像，其中，目标追踪图像为待追踪图像的预设时间段内的相关联图像；从不同维度提取目标图像的特征，生成第一多维度特征数据，其中，目标图像中包括目标对象；从不同维度提取候选图像的特征，生成第二多维度特征数据；将第一多维度特征数据和第二多维度特征数据进行特征整形处理，得到整形特征图；以及将整形特征图输入至目标追踪模型，输出目标对象置信度，目标对象置信度用于表征候选图像中包含目标对象的置信度。通过对目标图像和候选图像分别进行多维度的特征提取，提高了目标追踪模型在不同场景下的鲁棒性。
基于多维特征目标追踪方法装置

[发明专利]一种面向运动背景的运动小目标实时检测跟踪装置及方法-CN202311135156.6在审
发明人：于靖一;窦润江;刘力源;王秀宇;徐江涛;吴南健 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06T7/246 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向运动背景的运动小目标实时检测跟踪装置及方法，装置包括用来拍摄复杂运动背景视频的图像传感器；对视频图像数据进行预处理及缓存的高速数据预处理模块；针对视频图像数据进行实时运动小目标检测跟踪的运动背景偏移量补偿模块、运动小目标检测模块和多目标相似度关联预测模块、转台跟踪控制模块、相机转台；获取系统工作状态及输入参数的核心控制模块及界面显示及用户控制。本发明所述装置及方法在边缘端完成复杂运动背景下运动小目标的采集、检测和跟踪，并根据图像传感器的输出数据流的特性优化设计处理逻辑及处理方法，可以实现复杂运动背景下运动小目标的实时检测及跟踪。
一种面向运动背景目标实时检测跟踪装置方法

[发明专利]目标检测方法、目标检测模型的训练方法以及电子设备-CN202310574089.1在审
发明人：徐萌萌;刘力源;赵明心;文宇骁;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06V10/44 文献下载
摘要：本公开提供了一种目标检测方法、目标检测模型的训练方法以及电子设备，可以应用于人工智能、计算机视觉、图像识别、图像传感器、模型压缩和目标检测技术领域。该目标检测方法包括：对彩色滤波阵列图像进行通道重排，得到第一中间特征图；根据第一中间特征图，得到第二中间特征图；根据第二中间特征图，得到至少一个尺度的第三中间特征图；以及，根据至少一个尺度的第三中间特征图，得到与至少一个待检测对象各自对应的目标检测信息。
目标检测方法模型训练以及电子设备

[发明专利]可编程并行处理装置、神经网络芯片和电子设备-CN202210245401.8在审
发明人：罗迁;于双铭;刘力源;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本公开提供了一种可编程并行处理装置，应用于信息处理技术领域，包括：配置寄存器组用于存储可被重复使用的指令的配置信息，指令控制器用于从配置寄存器组中查找指令的配置信息并进行译码，得到指令对应的控制信息，基于控制信息将指令发送给指令执行单元，向量模块包括共享寄存器组和可动态重构的多个处理单元，向量模块用于根据根据待处理的向量数据的向量宽度将多个处理单元动态重构成为多个处理单元组，共享寄存器组用于存储标量数据，存储器访问网络用于在数据存储器和向量模块之间完成数据搬运，数据存储器用于通过输入输出接口和外部进行数据交换，并存储运算数据。本申请还公开了一种神经网络芯片和电子设备。
可编程并行处理装置神经网络芯片电子设备

[发明专利]适用于光电感算融合视觉芯片的封装结构-CN202310738142.7在审
发明人：刘力源;于双铭;窦润江;李贵柯;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种适用于光电感算融合视觉芯片的封装结构，包括：互联基板，一面设有第一区基板焊盘，另一面设有第二区基板焊盘；光学传感芯片，设有芯片焊盘，芯片焊盘与互联基板的第一区基板焊盘通过金线电性连接；电学信号处理芯片，设有芯片焊球，芯片焊球与互联基板的第二区基板焊盘电性连接；其中，互联基板用于连接光学传感芯片与电学信号处理芯片；光学传感芯片用于感知可见光；电学信号处理芯片用于处理光学传感芯片输出的信号。本公开通过在一片互联基板的正反面分别固定两种芯片的三维堆叠异质集成结构，减少光学传感芯片与电学信号处理芯片之间的电学、热学的互相影响，解决了不同工艺生产的两个芯片的集成问题。
适用于电感融合视觉芯片封装结构

[发明专利]基于FPGA的单次扫描小目标检测系统-CN202310698973.6在审
发明人：于靖一;窦润江;刘力源;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：本发明提供一种基于FPGA的单次扫描小目标检测系统，该系统依次包括图像数据解析模块、图像形态学滤波模块、局部自适应阈值计算模块、连通域标注模块、连通域特征获取模块和目标信息输出模块；图像数据解析模块与局部自适应阈值计算模块、连通域特征获取模块和目标信息输出模块相连；连通域标注模块与目标信息输出模块相连。通过对高速图像传感器输出的数据流进行流水线处理，在高速图像传感器输出数据的同时进行小目标检测，去掉了系统中的整帧图像缓存，提高了目标检测的实时性，降低了系统的整体复杂度，同时提高了系统的稳定性。
基于 fpga 扫描目标检测系统

[发明专利]SPAD图像传感器件及制备方法-CN202310160892.0在审
发明人：刘力源;王哲;田娜;杨旭;尹韬;于双铭;窦润江;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开提供了一种SPAD图像传感器件及制备方法，该SPAD图像传感器件包括：第一光子反射层、衬底、P型硅外延层、N埋层掺杂区、深N阱掺杂区、N型重掺杂区、P型重掺杂区、浅沟槽隔离区、第二光子反射层、深沟槽隔离区、光子吸收层、阴极、阳极、微透镜和衍射微结构。本公开通过P型重掺杂区和深N阱掺杂区形成PN结，SPAD形成于P型硅外延层中，利用深沟槽隔离区进行像素与像素之间的隔离，可有效降低像素之间的电子串扰。同时通过微透镜与倒金字塔型的表面衍射微结构将光子汇聚至感光区域，采用锗或者锗化硅材料作为光子吸收层，提高了SPAD图像传感器件对近红外波段光子的吸收效率，通过第一光子反射层和第二光子反射层，进一步提高光子吸收率。
spad 图像传感器制备方法

[发明专利]遥感目标检测方法、装置、电子设备及存储介质-CN202310342072.3在审
发明人：周丹书;李泽君;窦润江;刘力源;吴南健;刘剑 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种遥感目标检测方法、装置、电子设备及存储介质，可以应用于图像处理技术领域。该方法包括：利用卷积神经网络的不同特征提取支路对目标遥感图像进行特征提取，得到多个特征图；对多个特征图分别进行通道转换，得到与多个特征图分别对应的转换图，得到多个转换图；利用基于自注意力机制的网络对多个转换图和目标遥感图像进行特征提取，得到多个目标特征图；根据多个目标特征图，检测目标遥感图像中的目标对象。
遥感目标检测方法装置电子设备存储介质

[发明专利]基于线性激光雷达的模拟前端接收装置-CN202310361745.X在审
发明人：张一丹;刘力源;张钊;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01S7/486 文献下载
摘要：本申请公开了基于线性激光雷达的模拟前端接收装置，包括：具有电流信号的输入端的跨阻放大器，其输出端连接单端转差分电路的输入端；单端转差分电路的输出端依次经过第一直流偏移消除器、后置放大器、第二直流偏移消除器后与均衡器的输入端连接；输出缓冲器的输入端连接均衡器的输出端，其中，均衡器为两级源级退化型均衡器，构造为源级并联电阻电容的差分对结构，跨阻放大器构造为电阻并联型结构，跨阻放大器包括共源极前馈电阻、局部负反馈电阻RF1和电阻RF2。根据本申请的前端接收装置，可提高激光雷达远距离弱信号的检测能力，同时支持增益切换以适应不同测距场景，其具有高带宽、低噪声，测距范围大，恢复时间短，可靠性高的优点。
基于线性激光雷达模拟前端接收装置

[发明专利]一种频率综合器-CN202310389763.9在审
发明人：沈鑫宇;张钊;刘力源;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：本申请公开了一种频率综合器包括：具有参考时钟信号Fref输入端和分频信号Fdiv输入端的鉴频鉴相器，鉴频鉴相器的UP信号输出端通过比例路径电荷泵连接环路滤波器；鉴频鉴相器的UP/DN信号输出端通过线性积分路径电荷泵连接积分环路滤波器；环路滤波器与LC压控振荡器之间形成第一信号VP通路，积分环路滤波器与LC压控振荡器之间形成第二信号VI通路；LC压控振荡器通过输出缓冲器输出端输出时钟信号CLKOUT；时序电路的输入端与鉴频鉴相器的信号输出端连接，时序电路的输出端分别连接比例路径电荷泵和线性积分路径电荷泵。在小数调制的范围内的线性度高、电流噪声低的电荷泵，使得整个锁相环的带内噪声不受到量化噪声混叠的影响，具有低功耗、低抖动的优点。
一种频率综合

[发明专利]一种高带宽跨阻放大电路-CN202310175192.9在审
发明人：陆东来;祁楠;李乐良;李贵柯;刘力源;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本公开提供一种应用于光通信和光电传感的高带宽跨阻放大电路，包括跨导倍增共栅放大器，跨阻增益级，负反馈网络，其中：跨导倍增共栅放大器的输入节点IN作为整体跨阻放大电路的输入端，接收信号源发出的电流信号Iin，其输出节点X与所述跨阻增益级的输入端连接；跨阻增益级的输出节点OUT作为整体跨阻放大电路的输出端，输出电压信号Vout；负反馈网络的两端分别与所述跨导倍增共栅放大器的输入节点和跨阻增益级的输出节点连接；负反馈网络中的第一电感与跨导倍增共栅放大器的第二电感相互耦合，组成变压器结构。本公开的跨阻放大电路能够显著提高跨阻放大电路的增益和带宽等性能，拥有低电源电压、低功耗等优点。
一种带宽放大电路

[发明专利]光发射机驱动电路及光发射机-CN202310341789.6在审
发明人：李乐良;祁楠;刘力源;刘剑;吴南健 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04B10/50 文献下载
摘要：本公开提供一种光发射机驱动电路及光发射机，光发射机驱动电路包括：数据分布电路和子驱动电路，数据分布电路包括级联的多个可控延时电路，每一级可控延时电路的输出连接一个子驱动电路；其中，可控延时电路用于将输入的差分信号延时后输入对应的子驱动电路，子驱动电路用于对延时后的差分信号进行放大，输出电压信号作为驱动信号。光发射机包括：发射机驱动电路；调制器，包括多段集总式移相器，每段集总式移相器等效为高阻容性负载；其中，每个子驱动电路的输出对应连接一段集总式移相器，每个子驱动电路输出电压信号驱动对应的集总式移相器，实现多幅值调制。该光发射机驱动电路实现了低功耗、高线性度、高数据率及高消光比。
发射机驱动电路

[发明专利]CMOS非易失存储器单元电路-CN201610943304.0有效
发明人：王开友;吴南健;冯鹏;李贵柯;邓元明;伯林 -专利权人：上扬无线射频科技扬州有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS非易失存储器单元电路，该电路具有四个信号输入端口：分别为CTR，T，W，EN，两个信号输出端口：分别为OUT1和OUT2。该电路由五个PMOS晶体管PM1~PM5和一个电容C1组成。其中晶体管PM1和PM2的栅极和电容C1的一个端口连接在一起，形成一个浮空的存储电荷节点，晶体管PM3的栅极接地，在数据读出时作为参考晶体管使用，晶体管PM4和PM5作为开关使用，用于控制存储单元数据的输出，本发明的特点是制作时工艺流程简单，具有更短的加工时间和更低的成本，此外，该电路的电子隧穿晶体管与数据读出晶体管采用不同的晶体管实现，避免了电子注入和擦除操作对存储单元读出性能的影响，而在电子擦除时使用比电子注入时更强的外部电场，提高了数据写入的速度。
cmos 非易失存储器单元电路

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