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[发明专利]LiGaGe₂Se₆化合物、LiGaGe₂Se₆非线性光学晶体及制法和用途-CN201110168816.1有效
发明人：姚吉勇;梅大江;尹文龙;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及LiGaGe2Se6化合物、LiGaGe2Se6非线性光学晶体及制法和用途；该LiGaGe2Se6化合物采用固相反应制备；LiGaGe2Se6非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；在该LiGaGe2Se6非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得LiGaGe2Se6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该LiGaGe2Se6非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
ligage sub se 化合物非线性光学晶体制法用途

[发明专利]一种抗潮解紫外三倍频晶体及制备方法和用途-CN201010621151.0有效
发明人： 吴以成;张建秀;王丽荣;吴洋;王桂玲;傅佩珍 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-12-24 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01S3/109 文献下载
摘要：一种La2CaB10O19三倍频光学晶体器件，其为按晶体I或II型三倍频位相匹配方向切割后，两通光面抛光并镀介质膜而得的I或II型三倍频器件；其制备：先对晶体1064波段标准Ⅰ类相位匹配时的倍频系数进行测量，得4个非零倍频系数；再用最小偏向角测定晶体从363-2325nm的13个波长下的主折射率，拟合得Sellmeire方程；依Sellmeire方程，利用计算机编程，计算得该晶体I和II型三倍频相位匹配曲线，再结合倍频系数确定该晶体相位匹配点；然后按相位匹配方向对晶体进行切割，两通光面抛光并镀介质膜得到该晶体三倍频器件；该晶体三倍频器件用于产生三倍频激光输出。具有机械性能好，抗潮解等优点。
一种潮解紫外倍频晶体制备方法用途

[发明专利]硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途-CN201010528888.8有效
发明人：姚吉勇;梅大江;尹文龙;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及硒稼硅银化合物、硒稼硅银非线性光学晶体及制法和用途；该硒稼硅银化合物及晶体的化学式Ag4-xGa4-xSixSe8，0.85＜x＜1.15；可采用固相反应或气相传输法制备硒稼硅银化合物；采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降等法生长硒稼硅银非线性光学晶体；所得硒稼硅银非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；可用于制备非线性光学器件；所制备的非线性光学器件包含将至少一束入射电磁辐射通过至少一块该硒稼硅银非线性光学晶体后产生至少一束频率不同于入射电磁辐射的输出辐射的装置。
硒稼硅银化合物非线性光学晶体制法用途

[发明专利]一种自调Q激光晶体材料及其用途-CN201010279093.8无效
发明人：张建秀;李如康;夏明军;张国春;吴以成;傅佩珍 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种自调Q激光晶体及其用途；该自调Q激光晶体的化学式为Na₃La_9-xRE_xB₈O₂₇，0＜x＜9，RE为Pr³⁺、Nd³⁺、Sm³⁺，Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、和Yb³⁺稀土离子中的一种或两种；该自调Q激光晶体属于D_3h-62m点群，线性电光系数矩阵为只有一个电光系数γ₂₂，且该电光系数γ₂₂＝2.3pm/V；该自调Q激光晶体具有不潮解，抗激光损伤阈值大等优点；可用于制作结构简单紧凑的自调Q脉冲激光器件。
一种自调激光晶体材料及其用途

[发明专利]一种电光晶体材料及其用途-CN201010165036.7有效
发明人：李如康;张建秀;夏明军;张国春;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-04-30 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种电光晶体材料以及电光晶体材料在光电子技术领域中的应用；该电光晶体材料是化学式为Na₃Ln1₉B₈O₂₇、Na₃(Ln2_xLn1_1-x)₉B₈O₂₇或(A_xNa_1-x)₃Ln1₉B₈O₂₇，0＜x＜1的电光晶体材料；其属于点群，线性电光系数矩阵为只有一个电光系数γ₂₂，且该电光系数γ₂₂＝2.3pm/V；该电光晶体材料具有不潮解，抗激光损伤阈值大等优点；可广泛应用于激光技术中领域，制备电光调制器、电光Q开关等。
一种电光晶体材料及其用途

[发明专利]一种硼酸钾钡铕化合物、硼酸钾钡铕红色荧光粉及制法-CN201010568203.2有效
发明人：张国春;赵三根;姚吉勇;张建秀;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C01B35/12 文献下载
摘要：一种KBaEu(B₃O₆)₂化合物和红色荧光粉，该荧光粉晶胞参数a＝7.1904c＝17.9710Z＝3，空间群为R制备步骤如下：按KBaEu(B₃O₆)₂各元素相应比例称取钾源、钡源、铕源和硼源物质作原料，混合均匀后装入坩埚中压实置马福炉中，以20～100℃/h升至450℃～550℃，烧结10～48h，降温取出，研磨成粉末；将粉末再装入坩埚中压实置马福炉中，以50～150℃/h升至750℃～850℃，烧结72～100h，中间取出研磨2～3次得硼酸钾钡铕红色荧光粉品；其合成温度低，产品性质稳定，发光强度大效率高，为具良好发光特性的光转换材料，可用于制造白光LED。
一种硼酸钾钡铕化合物红色荧光粉制法

[发明专利]一种硼酸钾钡铽化合物、硼酸钾钡铽绿色荧光粉末及制法-CN201010568192.8有效
发明人：张国春;赵三根;姚吉勇;张建秀;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-11-26 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：一种KBaTb(B₃O₆)₂化合物和绿色荧光粉，该荧光粉晶胞参数为c＝17.7970Z＝3，空间群为R制备步骤如下：按KBaTb(B₃O₆)₂各元素相应比例称取钾源、钡源、铽源和硼源物质作原料，混合均匀后装入坩埚中压实置马福炉中，以20～100℃/h升至450℃～600℃，烧结10～48h，降温取出，研磨成粉末；将粉末再装入坩埚中压实置马福炉中，以50～150℃/h升至750℃～900℃，烧结72～100h，中间取出研磨2～3次得硼酸钾钡铽绿色荧光粉品；其合成温度低，产品性质稳定，发光强度大效率高，为具良好发光特性的光转换材料，可用于制造白光LED。
一种硼酸钾钡铽化合物绿色荧光粉末制法

[发明专利]硒稼铝钡化合物、硒稼铝钡非线性光学晶体及制法和用途-CN201010590211.7无效
发明人：姚吉勇;梅大江;尹文龙;傅佩珍;吴以成;陈创天 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及硒稼铝钡化合物、硒稼铝钡非线性光学晶体及制法和用途；该硒稼铝钡化合物化学式BaAlxGa4-xSe7，其中0＜x＜4；可采用固相反应或气相传输法制备；该硒稼铝钡非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法或坩埚下降法生长；所得BaAlxGa4-xSe7(0＜x＜4)非线性光学晶体具有非线性光学效应较大，透光波段较宽，硬度较大，机械性能好，易于加工和保存等优点；该BaAlxGa4-xSe7(0＜x＜4)非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
硒稼铝钡化合物非线性光学晶体制法用途

[发明专利]一种R₂CaB₁₀O₁₉单晶的定向籽晶生长方法-CN200910092081.1无效
发明人：张建秀;傅佩珍;吴以成;吴洋;祖延雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种R2CaB10O19的籽晶定向生长方法，特点在于所引入的籽晶为长条状籽晶，该长条状籽晶的切割方向在+b轴与(a+b)轴之间，且与(a+b)轴成3～6°夹角；本发明的定向生长方法限制了a、b方向的生长速度，克服了R2CaB10O19晶体生长过程中因籽晶两端质量失衡而脱坠，(001)面难以长厚以及(111)面族不易尖灭等不足，本发明的R2CaB10O19晶体的籽晶定向生长方法，提高了R2CaB10O19晶体生长过程中的稳定性，易于获得利用率高，较大尺寸、高光学质量的晶体，可以满足器件加工要求。
一种 sub cab 10 19 定向籽晶生长方法

[发明专利]Na₃M₂(BO₃)₃非线性光学晶体及制备方法和用途-CN201010109100.X无效
发明人：张国春;李寅;刘作亮;张建秀;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及Na3M2(BO3)3非线性光学晶体及制法和用途，Na3M2(BO3)3非线性光学晶体不具有对称中心，属正交晶系，空间群为Amm2；用助熔剂法生长晶体：将Na3M2(BO3)3∶Na2CO3∶H3BO3按摩尔比1∶(1-5)∶(1-5)配料，置于马弗炉中升温熔融；再置入单晶生长炉中，采用籽晶法生长晶体；该Na3M2(BO3)3非线性光学晶体具有1-3倍KDP(KH2PO4)大小的非线性光学效应，机械加工性能好，不易潮解；适合蓝绿光波段激光变频的需要，可用其制作非线性光学器件；当M部分被稀土激活离子取代时，该单晶体可制作激光非线性光学复合功能器件。
na sub bo 非线性光学晶体制备方法用途

[发明专利]K₃Al₂(PO₄)₃非线性光学晶体的制备及用途-CN201010109097.1无效
发明人：张国春;刘作亮;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本发明涉及K3Al2(PO4)3非线性光学晶体及制法和用途，该晶体属正交晶系，空间群为Pna21，其晶胞参数为：其制法为采用助熔剂法生长晶体：将K3Al2(PO4)3∶K2O∶P2O5按摩尔比1∶(0.5-1.5)∶(0.5-1.5)配料，置于马弗炉中升温熔融；再置入单晶生长炉中，采用籽晶法生长晶体；该K3Al2(PO4)3晶体具有非线性光学效应大、透光范围宽(180-2500nm)、机械性能好、不潮解、易加工保存等优点，可用其制作非线性光学器件，适合蓝绿光波段及紫外光波段激光变频的需要。
sub al po 非线性光学晶体制备用途

[发明专利]BaGa₄Se₇化合物、BaGa₄Se₇非线性光学晶体及制法和用途-CN201019114049.9有效
发明人：姚吉勇;梅大江;傅佩珍;吴以成;陈创天 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及BaGa4Se7化合物、BaGa4Se7非线性光学晶体及制法和用途；该BaGa4Se7化合物采用固相反应制备；BaGa4Se7非线性光学晶体采用高温熔体自发结晶法、助熔剂法或坩埚下降法生长；在该BaGa4Se7非线性光学晶体的生长中晶体易长大且透明无包裹，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点；所得BaGa4Se7非线性光学晶体具有比较宽的透光波段，硬度较大，机械性能好，不易碎裂和潮解，易于加工和保存等优点；该BaGa4Se7非线性光学晶体可用于制作非线性光学器件。
baga sub se 化合物非线性光学晶体制法用途

[发明专利]一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置-CN201010109099.0有效
发明人：张国春;赵三根;傅佩珍;吴以成 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2010-02-08 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度的装置，其包括：扣装于坩埚上端的带第一中心通孔的铂金反射罩和覆于所述铂金反射罩上表面上的带第二中心通孔的耐火保温罩；第一中心通孔直径为坩埚内直径的1/9-5/9；第二中心通孔直径大于第一中心通孔直径2-5mm；耐火保温罩(3)的上表面为平面；其效果在于：本装置的铂金反射罩既可起到反射屏作用，可有效调节晶体生长炉中坩埚内径向温度梯度，同时还可起到降低组分挥发的作用，生长出的晶体无散射颗粒、包裹体和生长条纹等缺陷，晶体利用率大幅度提高。本发明的装置适合于BBO、CBO、KTP等多种功能晶体的生长，特别是CBO晶体的生长。
一种用于调节晶体生长坩埚径向温度梯度装置

[发明专利]一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法-CN200810104670.2无效
发明人： 吴以成;鲁路;傅佩珍 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2008-04-23 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法，步骤如下：将硅烷偶联剂、乙酸、去离子水和低沸点有机溶剂混合，硅烷偶联剂发生水解反应得到镀膜溶胶液；硅烷偶联剂R-Si(OCH₃)₃，R为n-十二烷基、辛基或γ-环氧丙氧丙基；低沸点有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮；将镀膜溶胶液均匀涂抹在硼酸盐晶体表面，经阴干，硼酸盐晶体表面制得预聚合有机硅疏水膜；再于80～140℃下进行热处理，晶体表面上形成致密的有机硅防潮保护膜；其优点：带-Si(OCH₃)₃官能团的硅烷偶联剂在晶体表面形成有机硅聚合物，与晶体表面共价键相连接，硅烷偶联剂的有机官能团具疏水性，可阻隔空气中水分子与晶体表面接触，提高晶体抗潮解能力。
一种硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜方法

[发明专利]一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法-CN200710177368.5无效
发明人： 吴以成;张书峰;张尔攀;傅佩珍;陈创天 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：一种磷酸硼单晶的助熔剂生长方法，其步骤：1)将磷酸硼化合物与助熔剂按比例混合装入铂坩埚，在晶体生长炉中升温至完全熔化；再降温至饱和温度之上2～15℃，得到含磷酸硼和助熔剂的高温熔体；2)把装在籽晶杆上的籽晶放入高温熔体中，恒温10～180分钟后，降温到饱和温度，以10～50转/分钟速率转动籽晶杆；以0.1～2℃/天速率降温，待晶体长大后将晶体提离液面，以20～50℃/小时速率降至室温，得到磷酸硼单晶。该方法使用的助熔剂，可降低高温熔体粘度，利于晶体生长过程中熔质输运，避免晶体中包裹体形成，可稳定生长厘米级尺寸具紫外截止波长短，机械加工性能好，不易碎裂，不吸潮，易保存透明磷酸硼单晶。
一种磷酸硼单晶熔剂生长方法

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