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[发明专利]光掩模修正装置及方法-CN202211023392.4在审
发明人：梁孝源;尹铉;郑志勳;郑仁基;崔基熏;金泰熙;吴世勳 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本申请提供一种能够提高光掩模的精度的光掩模修正方法。该光掩模修正方法包括：测量激光的强度轮廓(intensity profile)；利用库来获取与所测量的强度轮廓对应的蚀刻量数据；基于蚀刻量数据确定激光的工艺参数；以及根据所确定的工艺参数，用激光来修正光掩模。
光掩模修正装置方法

[发明专利]基板处理装置和方法-CN202010638699.X在审
发明人：李城吉;吴世勳;吴东燮;李知桓;金东勳;朴玩哉 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用等离子体处理基板的装置和方法，所述装置和方法具有提升的等离子体稳定性和工艺重复性。基板处理方法包括：提供基板处理装置，基板处理装置包括等离子体生成区域和与等离子体生成区域分隔开的处理区域；在处理区域内布置包括硅层和氧化物层的基板；在不经过等离子体生成区域的情况下，向处理区域提供氢基气体，从而在处理区域中形成氢气氛；通过向等离子体生成区域提供氟基气体来生成等离子体；以及将所生成的等离子体提供到处理区域，以相对于氧化物层选择性地去除硅层。
处理装置方法