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[发明专利]在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法-CN201110044161.7有效
发明人：安熙均;吴世仲;全寅均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法，包括：(a)第一工艺，结合器件晶片与加工晶片；(b)第二工艺，在第一工艺之后使形成于器件晶片上的Si衬底的背面变薄；(c)第三工艺，在第二工艺之后形成抗反射层和PMD(优选金属沉积)介电层；(d)第四工艺，在第三工艺之后在形成于Si衬底上的超接触体的背面形成通孔；以及(e)第五工艺，在第四工艺之后形成焊盘。
具有三维堆叠结构晶片形成方法

[发明专利]尺寸减小的背面照射图像传感器及其制造方法-CN201010609277.6有效
发明人：全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器具有设置在该背面照射图像传感器中的像素区域的垂直上部的电容器，在该背面照射图像传感器中，光从用户的背面照射，从而减小了芯片尺寸，以及一种制造该背面照射图像传感器的方法。该芯片尺寸减小的背面照射图像传感器的电容器形成在像素区域的垂直上部，而不在像素区域外部，因此不再需要形成该电容器的像素区域的外部面积，从而减小了芯片尺寸。
尺寸减小背面照射图像传感器及其制造方法

[发明专利]具有波导的图像传感器及其制造方法-CN201010152199.1有效
发明人：全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有波导的图像传感器及其制造方法。具有波导的图像传感器包括：半导体衬底，形成有光电二极管和外围电路区域；抗反射层，形成于半导体衬底上；绝缘层，形成于抗反射层上；布线层，形成于绝缘层上并连接至半导体衬底；至少一个层间介电层，堆叠在布线层上；以及波导，通过穿过在光电二极管上形成的层间介电层和布线层连接至绝缘层。
具有波导图像传感器及其制造方法

[发明专利]防止单位像素之间串扰的像素阵列和使用该像素的图像传感器-CN200880020862.3无效
发明人：林栽英;吴世仲 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2008-06-17 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了具有三维结构的像素阵列和具有所述像素阵列的图像传感器。该像素阵列具有三维的结构，其中，光电二极管、传输晶体管、复位晶体管、转换晶体管和选择晶体管被分开并且形成于第一晶片和第二晶片上，在第一晶片和第二晶片上的芯片被分选之后，所述芯片在垂直方向上被连接。所述第一晶片包括：多个光电二极管，用于产生与入射的视频信号对应的电荷；多个传输晶体管，用于将所述光电二极管产生的电荷传输到浮置扩散区；多个STI，环绕所述光电二极管中的一个光电二极管和连接到所述一个光电二极管的一个传输晶体管；第一超接触，从多个所述STI的下部延伸到所述晶片的下表面；第二超接触，穿透多个所述STI和所述第一超接触的一部分。在所述浮置扩散区中积累的电荷通过所述第二超接触被传输到所述第二晶片。
防止单位像素之间阵列使用图像传感器