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[发明专利]一种半导体衬底的抛光方法-CN202310901082.6在审
发明人： 吕合彬;翟传鑫;黎晓丰;谷宁宁 -专利权人：安徽华晟新材料有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种半导体衬底的抛光方法，包括：提供半导体衬底；对半导体衬底进行超声碱洗；对半导体衬底进行抛光处理，以降低半导体衬底的两侧表面的线痕度；抛光处理采用抛光处理液，抛光处理液包括碱液、抛光辅助剂以及去离子水。本发明提供的半导体衬底的抛光方法能够提高半导体衬底表面线痕的平整性，且在对所述半导体衬底进行抛光处理之前，无需额外的腐蚀处理去除损伤层，工艺成本低。
一种半导体衬底抛光方法

[发明专利]一种硅棒的切割方法-CN202310580493.X在审
发明人：黎晓丰;王进;任检;吕合彬;王丹 -专利权人：安徽华晟新材料有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种硅棒的切割方法，包括：获取硅棒主体；沿硅棒主体的长度方向进行切割，以得到初始棒和四个第一边料，第一边料在硅棒主体的切割线位于硅棒主体的晶线上，初始棒在垂直于初始棒的长度方向上的截面具有第一方向和第二方向；沿初始棒的长度方向进行切割，至少得到两个尺寸对应相同的半棒；沿第一边料的长度方向进行切割，以得到形状为长方体的第二边料；沿垂直于所述第二边料的长度方向进行切割，得到第三边料；对第三边料进行打磨得到目标料，目标料的长度等于半棒在第一方向的尺寸，目标料的宽度等于半棒在第二方向的尺寸。该硅棒的切割方法，可提高硅棒的利用率。
一种切割方法

[发明专利]硅片加强清洗方法、硅片清洗装置和硅片制造方法-CN202310436832.7在审
发明人：谷宁宁;吕合彬;张银鹏 -专利权人：安徽华晟新材料有限公司
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅片制造技术领域，具体公开一种硅片加强清洗方法、硅片清洗装置和硅片制造方法。硅片加强清洗方法包括以下步骤：提供经一次清洗后表面仍残留有脏污的脏污硅片；将脏污硅片传送入清洗装置；清洗装置具有清洁腔室，脏污硅片在清洁腔室内呈移动状态；烘吹硅片，在传送脏污硅片的同时，对脏污硅片进行至少两个不同梯度温度、并同时使用吹扫气体吹扫脏污硅片的表面，形成清洁硅片；其中：烘吹硅片的过程中，相邻温度梯度之间至少相差100℃；输出硅片，将清洁硅片传送出清洗装置。本发明提供的硅片清洗方法，对于脏污硅片反洗耗时短，良率高。
硅片加强清洗方法装置制造

[发明专利]硅棒可切割性能的评估方法及硅棒切割方法-CN202310387144.6在审
发明人：黎晓丰;王进;任检;吕合彬;王丹 -专利权人：安徽华晟新材料有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G01N3/56 文献下载
摘要：本发明提供一种硅棒可切割性能的评估方法及硅棒切割方法。硅棒可切割性能的评估方法包括以下步骤：切取样块，分别自若干硅棒的指定区域切取样片，自样片切取测试样块；测试耐磨性，测试各测试样块在相同条件下的磨耗比，磨耗比与所述硅棒的硬度、塑性、韧性、晶体结构和杂质含量相关；性能评估，根据磨耗比进行数据分析，确定硅棒的耐磨性，根据不同磨耗比建立耐磨性评级，进而建立耐磨性评级与可切割性能评级的对应关系曲线，根据所述耐磨性评级与可切割性能评级的对应关系曲线评估所述硅棒的可切割性能。该方法通过测试硅棒的磨耗比评估硅棒的可切割性能，可直观、准确、全面的反应硅棒的可切割性能，用以指导后续的硅棒切割工艺中参数的选择。
硅棒可切割性能评估方法

[发明专利]一种硅棒粘接的方法-CN202310371775.9在审
发明人：黎晓丰;王进;任检;吕合彬;王丹 -专利权人：安徽华晟新材料有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅棒粘接的方法，包括：提供载板和固态的粘板胶；在载板的一侧粘贴固态的粘板胶；在固态的粘板胶背离载板的一侧表面放置基板；提供固态的粘棒胶，并且在基板背离粘板胶的一侧表面粘贴固态的粘棒胶；在粘棒胶背离基板的一侧表面放置硅棒；在粘棒胶背离载板的一侧表面放置硅棒之后，进行加热预处理使固态的粘板胶和固态的粘棒胶熔化，在熔化的过程中，粘板胶和粘棒胶呈液态；进行加热预处理之后，对液态的粘板胶和粘棒胶进行固化处理。本发明的硅棒粘接的方法耗时短、可靠性强。
一种硅棒粘接方法