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[发明专利]具备内部电压发生电路的半导体器件-CN200710088509.6无效
发明人：秋山实邦子;伊贺上太;吉永贤司;松村雅司;森下玄 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2007-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G11C11/4074 文献下载
摘要：在该半导体集成电路装置中，由于分别在6个存储器模块(M1～M6)用的电源电路部(P1～P6)中设置了负电压发生电路(2)，故对于负电压(VNEG)的变动的响应性变快。此外，在等待模式时利用开关电路(SW2～SW6)连接6个存储器模块(M1～M6)用的负电压供给线(L1～L6)，由于只使6个电源电路部(P1～P6)的负电压发生电路(2)中的1个电源电路部(P1)的负电压发生电路(2)激活，故可防止等待电流的增大。
具备内部电压发生电路半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN200610151701.0无效
发明人： 吉永贤司;森下玄 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-08-31 - 公布日： 2007-03-07 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：本发明提供接受由内部电源发生电路生成的内部电源来实现稳定工作并抑制耗电的半导体装置。控制电路(12)、行列解码器(13)及读出放大器(15)用内部降压电压(VddT)驱动。另一方面，耗电大的数据总线(14)用外部电源电压(VddL)驱动。然后电平变换电路(17)接受具有外部电源电压(VddL)的电压电平的地址信号或指令信号，将该电压电平变换成内部降压电压(VddT)，输出到控制电路(12)。另外，电平变换电路(18)从控制电路(12)接受具有内部降压电压(VddT)的电压电平的控制信号，将该电压电平变换成外部电源电压(VddL)，输出到数据总线(14)。
半导体装置