专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种栅极制作方法-CN202211740162.X在审
  • 马恒;司静;罗雪;宁宁;黄桂梅 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-12-30 - 2023-04-25 - H01L21/28
  • 本发明提供一种栅极制作方法,该方法包括:提供半导体衬底,于半导体衬底上依次形成栅介质层、多晶硅层及氧化硅掩膜层;刻蚀多晶硅层和栅介质层以形成被沟槽隔离的假栅结构,沟槽显露半导体衬底;于沟槽中形成预设厚度的层间介质层,层间介质层的顶面低于假栅结构的顶面并高于多晶硅层的顶面;采用离子植入工艺对层间介质层进行改性;去除氧化硅掩膜层和多晶硅层;于栅介质层上形成金属栅。本发明于多晶硅层上仅形成一氧化硅硬掩膜层,降低沟槽的深宽比,利于沟槽填充;并且,采用离子植入工艺对层间介质层进行改性,作为假栅结构刻蚀的停止层,以改性的层间介质层高度对多晶硅层的高度进行补偿,能够调整栅极高度,具有栅极高度灵活可调的优点。
  • 一种栅极制作方法
  • [发明专利]一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法-CN202211535436.1在审
  • 罗雪;司静;马恒;宁宁;龚夕淮 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-11-30 - 2023-04-07 - H01L29/423
  • 本发明提供一种具有高K金属栅结构的半导体器件及其制作方法,包括以下步骤:提供一包括栅介质层、底部阻挡层以及栅极侧墙的半导体层,底部阻挡层位于栅介质层上围成一顶部开口的收容空间,收容空间的底壁及侧壁形成拐角;形成P型功函数金属侧墙于拐角处;形成覆盖P型功函数金属侧墙的P型功函数层于收容空间的底壁及侧壁;依次形成N型功函数层、顶部阻挡层以及金属层于收容空间内,N型功函数层覆盖P型功函数层且与金属层之间由顶部阻挡层间隔。该方法可以有效改善N型功函数层中的铝扩散效应,提高了器件的性能稳定性、产品良率以及可靠性评估。本发明还提供一种具有高K金属栅结构的半导体器件,该器件具有较好的性能稳定性和可靠性。
  • 一种具有金属结构半导体器件及其制作方法
  • [发明专利]一种栅极硬掩膜层的去除方法-CN202211525724.9在审
  • 张栖瑜;司静;傅怡;宁宁;曾朝娇 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-11-30 - 2023-04-04 - H01L21/027
  • 本发明的栅极硬掩膜层的去除方法,在栅极的氧化物硬掩膜层去除前,通过形成一层具有高填充能力的有机绝缘层,将氧化物硬掩膜层和有源区覆盖,采用回蚀工艺刻蚀至氧化物硬掩膜层裸露,在氧化物硬掩膜层和有机绝缘层上覆盖光刻胶层,使得光刻胶层和有机绝缘层趋于平坦化,再通过曝光、显影以显露氧化物硬掩膜层,然后通过干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除栅极上方的氧化物硬掩膜层,最后去除有源区上方的光刻胶层和有机绝缘层。本发明使得第一栅极之间不会产生孔洞,消除了由于衬底上不同图形密度所造成有机绝缘层的厚度不同导致的对有源区产生损伤的可能,且在氧化物硬掩膜层刻蚀的过程中不会产生硬掩膜残留,提高器件产品的可靠性和良率。
  • 一种栅极硬掩膜层去除方法
  • [发明专利]一种栅极结构的制备方法和栅极结构-CN202211514876.9在审
  • 傅怡;司静;张栖瑜;宁宁;张舒 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-17 - H01L21/28
  • 本发明提供栅极结构的制备方法和栅极结构,所述方法包括:在半导体衬底上依次制备若干个初始栅极和第一介质层;填充目标填充材料,在所述初始栅极间沟槽中形成具有第二深度的第一填充层;去除所述暴露介质层后得到目标栅极间沟槽;在所述目标栅极间沟槽内继续填充目标填充材料,并对所述目标填充材料和所述初始栅极进行研磨后,得到栅极结构;解决了现有技术中栅极结构中的沟槽填充存在空洞或缝隙等问题,本发明通过加大空洞以上的栅极间沟槽的宽度,使在第二次栅极间沟槽填充时既可以对已形成的空洞进行填充,也不会出现新的空洞或缝隙等缺陷,经过机械研磨后可得到平整的栅极结构,提高半导体器件的连接性能。
  • 一种栅极结构制备方法
  • [发明专利]一种半导体引出结构的制备方法和半导体-CN202211515107.0在审
  • 张舒;司静;曾朝娇;宁宁 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-07 - H01L21/60
  • 本发明提供半导体引出结构的制备方法和半导体,所述方法包括:在半导体的金属布线层沉积金属材料,得到初始引出电极;对所述初始引出电极进行多次蚀刻,得到上窄下宽且外表面呈弧形状的目标引出电极;在所述目标引出电极上制备保护层,得到半导体引出结构;本发明通过对沉积的初始引出电极进行多次蚀刻来改变其表面形态,从而得到具有上窄下宽且表面呈弧形状特征的目标引出电极,其外表面的形状特征可以更利于保护材料的堆积,提高保护层的厚度,防止保护层裂缝的产生,进而提高了半导体的性能和寿命。
  • 一种半导体引出结构制备方法
  • [发明专利]一种栅极结构的制备方法和栅极结构-CN202211515118.9在审
  • 龚夕淮;司静;黄桂梅;宁宁 - 联合微电子中心有限责任公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-07 - H01L21/762
  • 本发明提供栅极结构的制备方法和栅极结构,所述方法包括:在半导体衬底上依次制备若干个初始栅极和第一介质层;旋涂第一填充材料,在所述初始栅极间沟槽中形成具有第二深度的第一填充层;去除所述暴露介质层和所述第一填充层后得到目标栅极间沟槽;在所述目标栅极间沟槽内填充第二填充材料,并对所述第二填充材料和所述初始栅极进行研磨后,得到栅极结构;解决了现有技术中栅极结构中的沟槽填充存在空洞或缝隙等问题,本发明降低了栅极间沟槽的深宽比,再通过第二填充材料对栅极间沟槽进行填充,就不会出现空洞或缝隙等缺陷,经过机械研磨后可得到平整的栅极结构,提高半导体器件的连接性能。
  • 一种栅极结构制备方法
  • [实用新型]一种器械陈列盒-CN202222496692.6有效
  • 李萍萍;司静;王欣 - 西安交通大学口腔医院
  • 2022-09-21 - 2023-01-17 - A61C19/02
  • 本实用新型涉及器械陈列盒技术领域,且公开了一种器械陈列盒,包括器械盒和防尘盖,所述防尘盖的外表面固定连接有限位杆,所述限位杆的表面套接有卡接板,所述器械盒的外表面固定连接有圆杆,所述器械盒的内部设置有第一格室、第二格室和第三格室。该器械陈列盒,通过器械盒、第一格室、第二格室、第三格室、弹力带、套环和挂钩的配合设置,使用时,工作人员可以将手术器械放置在第一格室内,再将弹力带上的套环挂在挂钩上,第一格室、第二格室和第三格室可以放置不同的器械,从而1.安全有效性;2.提高手术效率;3.降低针刺伤发生概率;4.减轻护士的工作量,可满足大部分治疗的需求,无需另外打包消毒更多的器械。
  • 一种器械陈列
  • [发明专利]一种电池包快速脱扣的安防系统-CN202011194554.1有效
  • 陈子冬;司静;曹杰;杨帆 - 江苏慧智能源工程技术创新研究院有限公司
  • 2020-10-30 - 2022-07-19 - H01M50/204
  • 本发明公开了一种电池包快速脱扣的安防系统,包括电池架、一个以上的放置脱扣单元,所述放置脱扣单元安装在电池架上;所述放置脱扣单元包括电池栈板、滑轨、推杆电机、连杆、光轴一、光轴二、轴承座、电机安装座、滑块,其中,所述滑轨为C型,所述滑轨的下侧板上设置有下滑轮组,所述电池栈板放置于下滑轮组上;通过推杆电机的伸长动作,带动连杆抬升、旋转,实现滑轨以光轴二为转动中心,向上抬起,从而使电池包与水平面成一个角度,在自重的作用下滑出电池架,通过滑轨的限位实现电池包特定轨迹的掉落,从而将发生热失控的电池包退出电池架,确保其他电池包的安全及系统的安全。
  • 一种电池快速系统

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