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[发明专利]红光发射长余辉荧光体及其制备方法-CN02123914.2无效
发明人：石春山;唐功本;叶泽人;田惠元 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2002-07-09 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： C09K11/84 文献下载
摘要：一种红光发射长余辉荧光体及其制备方法，荧光体组成为Y₂OS₂：Eu，Mg，Ti。其中Y₂OS₂为基质，Eu³⁺为激活离子，Mg²⁺和Ti⁴⁺为掺杂的电荷补偿离子。用Na₂CO₃作助熔剂。铕离子(Eu³⁺)浓度为摩尔分数0.07-0.09，Mg²⁺的相应摩尔分数为0.01-0.03，Ti⁴⁺摩尔分数为0.01。原料重量比为Y₂O₃∶S∶Na₂CO₃＝100∶30∶30。灼烧温度为1100-1200℃，反应时间6小时。高温出炉，热的稀盐酸浸泡1.5-2小时，热水洗涤。样品在254nm紫外光激发下，磷光发射峰为612nm，激发停止后，余辉发射呈指数衰减。该荧光体制备过程中不需还原剂。
红光发射余辉荧光及其制备方法

[发明专利]稀土发光材料的制备方法-CN01141983.0无效
发明人：石春山;叶泽人;刘应亮;刘晓瑭;臧春雨 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2001-09-27 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： C09K11/81 文献下载
摘要：本发明属于稀土三基色发光材料制备的一种新方法。这些材料包括：铕和铽掺杂的硼磷酸钙及其铈敏化体系；铕和铽掺杂的硼铝磷酸钙及其铈敏化体系；铕和铽掺杂的氯氧硼酸钙及其铈敏化体系，反应温度为850－950℃，反应时间为3－5h；激活剂浓度：xEu³⁺中x＝0.02－0.05摩尔分数，yTb³⁺中y＝0.001－0.01摩尔分数；敏化剂浓度：zCe³⁺中z＝0.001－0.01摩尔分数。本发明提供的方法特点：合成稀土三基色荧光体只需一种基质、二种稀土激活离子(Eu³⁺、Tb³⁺)、不需任何还原剂，只通过Eu³⁺和Tb³⁺之间电子转移产生蓝光发射的Eu²⁺、空气中合成。铈离子(Ce³⁺)有很好的敏化效果。
稀土发光材料制备方法

[发明专利]镱激活的稀土长余辉磷光体-CN03138305.X无效
发明人：石春山;雷炳富;唐功本;叶泽人;刘应亮 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2003-05-23 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： C09K11/81 文献下载
摘要：一种镱离子激活的橙色发射稀土长余辉磷光体，其组成为：Y₂O₂S∶Yb，Mg，Ti。其中，Y₂O₂S为基质，Yb³⁺是激活离子，Mg²⁺和Ti⁴⁺是添加离子。用氧化钇(Y₂O₃)和硫磺(S)作基质原料，碳酸钠(Na₂CO₃)作助熔剂。重量比Y₂O₃∶S∶Na₂CO₃＝10∶3∶3。稀土镱离子(Yb³⁺)掺杂量为0.02－0.08摩尔分数，镁离子(Mg²⁺)的摩尔分数为0.08－0.02，钛离子(Ti⁴⁺)为0.01摩尔分数。原料重量比为Y₂O₃∶S∶Na₂CO₃＝10∶3∶3。灼烧温度1000－1150℃。反应时间5－6小时。活性碳作还原剂。产物高温出炉，热盐酸浸泡1.5－2小时，热水洗涤。太阳光或紫外光照射后，可观察到样品强的橙色长余辉发射。
激活稀土余辉磷光体

[发明专利]柱状纳米氟化钡晶体制备方法-CN03127678.4无效
发明人：连洪洲;叶泽人;石春山 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2003-08-13 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：一种立方柱状氟化钡纳米晶体的制备方法，采用反胶束法制备氟化钡纳米晶体，选择十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)—正丁醇—正辛烷—水组成四组分微乳体系。其中，正丁醇∶CTAB=1∶1.25，体系中水含量为14.6％，硝酸钡∶氟化铵=1∶0.35，20℃下反应15－30分钟。本发明所提供的方法制备氟化钡为立方柱状纳米单晶体，立方柱的横截面边长为20－60nm，柱长度为150－200nm。
柱状纳米氟化钡晶体制备方法

[发明专利]一种单基多光色长余辉磷光体及其制备方法-CN03120806.1无效
发明人：刘应亮;雷炳富;叶泽人;张静娴;石春山;易守军 -专利权人：暨南大学
申请日： 2003-03-20 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：一种单基多光色长余辉磷光体，其组成为：CdSiO₃∶Re³⁺，其中，CdSiO₃为基质，Re³⁺是稀土激活离子。按原料1∶1配比称取CdCO₃和SiO₂原料，按0.1－20％摩尔分数称取激活剂，充分混合后置于刚玉坩埚内，加盖，灼烧；高温出炉，空气中冷却即可获得体色为白色的产物。经254nm紫外光照射一分钟，可观察到样品强的长余辉发射，发射颜色因不同激活离子而有所不同。
一种基多光色长余辉磷光体及其制备方法

[发明专利]一种单基发白光的长余辉磷光体及其制备方法-CN03113679.6无效
发明人：刘应亮;雷炳富;叶泽人;张静娴;石春山;易守军 -专利权人：暨南大学
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：一种单基发白色光的长余辉磷光体，其组成为：CdSiO3：Dy3+，其中，CdSiO3为基质，Dy3+是激活离子。制备方法：按1∶1配比称取CdCO3和SiO2原料，按0.1－20％摩尔分数称取激活剂，充分混合后置于刚玉坩埚内，加盖，灼烧温度900－1200℃，反应时间1－6小时。高温出炉，空气中冷却即可获得体色为白色的产物。经254nm紫外光照射一分钟，可观察到样品强的白色长余辉发光，当Dy3+掺杂量为10％时，白色光纯度最高，色坐标为x＝0.4102，y＝0.3962。
一种单基发白光余辉磷光体及其制备方法

[发明专利]含镉氧化物长余辉发光材料及其制备方法-CN03113677.X无效
发明人：刘应亮;易守军;叶泽人;雷炳富;石春山;张静娴 -专利权人：暨南大学
申请日： 2003-01-27 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： C09K11/54 文献下载
摘要：含镉化合物的长余辉发光材料，它是由镉和其他的氧化物组成的，其组成式为：aM·bM′·cR：Lnx。其中M选自Cd的氧化物；M′选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Al、Ga、In、B、P中的一种或多种氧化物；R为H3BO3、P2O5中的一种或两种；Ln为Eu、Pr、Tb、Ce、Sm、Dy、Nd、Er、Ho、Tm、Mn、Pb、Sn、Sb、Bi、In等中的一种或多种元素；a、b、c、x为摩尔系数。该材料在紫外光的激发下，分别发出各种不同颜色的长余辉发光。其制备方法如下：采用高温固相法，原料按其组成进行配比，温度900－1200℃，反应时间1－6小时，在空气中煅烧即可得到所需要的材料。
氧化物余辉发光材料及其制备方法

[发明专利]低氧含量钙钛矿型复合氟化物的合成方法-CN01128286.X无效
发明人：石春山;华瑞年;谢德民;贾志宏;叶泽人 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2001-10-12 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： C01B9/08 文献下载
摘要：本发明属于低氧含量钙钛矿型复合氟化物的溶剂热合成方法。选择的原料配比KF∶MF2=1～3∶1,M代表Mg或Zn,反应温度150～180℃,反应时间1～7天,充填度60～85%;选择的溶剂为乙醇、乙二醇、正丁醇、吡啶、苯酚、乙二胺及四氢呋喃。本发明提供的方法与高温固相反应法及中温水热法比较,合成温度低,产物含氧量低,实验操作简便。
低氧含量钙钛矿型复合氟化物合成方法

[发明专利]复合氟化物的溶剂热合成方法-CN01128288.6无效
发明人：石春山;华瑞年;叶泽人;谢德民;贾志宏 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2001-10-12 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： C01B9/08 文献下载
摘要：本发明属于复合氟化物氟化锂钡、氟化钴钾和氟化镍钾的非水体系溶剂热合成方法。选择的溶剂为乙醇、乙二醇、正丁醇、吡啶、苯酚及四氢呋喃,原料配比AF∶BF2=2～1∶1;反应温度120～180℃;反应时间1～7天;充填度60－85%。本发明提供的合成方法与高温固相反应法及中温水热法比较,合成温度低,产物为纯立方相,含氧量低,实验操作简便。
复合氟化物溶剂合成方法

[发明专利]单基双掺稀土三基色荧光材料的制备-CN95104913.5无效
发明人：石春山;叶泽人;高勇;吴郢;尤洪鹏 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 1995-05-10 - 公布日： 2000-03-01 - 主分类号： C09K11/81 文献下载
摘要：本发明属于单基双掺稀土三基色荧光材料的制备。$本发明利用稀土离子的电子组态具有共轭性，在一定条件下共轭的一对稀离子可以实现电子转移而产生价态变化的原理，在碱土金属含氧酸盐中掺入Eu3+和Tb3+经烧结得到三种发射共存的荧光体系。$本发明制备的稀土三基色荧光材料只用一种基质化合物，只采用二种稀土激活离子Eu3+和Tb3+,不须特别条件制备Eu2+，只在空气中合成，因此改善和简化了工艺条件。
单基双掺稀土基色荧光材料制备

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