专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种适宜高湿高盐环境下的阀门-CN202120416331.9有效
  • 王春健;史文森;陈建华;王条 - 中国人民解放军海军潜艇学院
  • 2021-02-25 - 2021-12-07 - F16K1/22
  • 本实用新型提供一种适宜高湿高盐环境下的阀门,包括阀体,阀体顶部固定连接有齿盘,齿盘中部贯穿连接有阀杆,阀杆顶部转动连接有手柄,齿盘顶部固定连接有辅助机构,阀体外壁表面喷涂有防锈层,阀体内壁设有阀座,阀座内壁表面设有喷涂有防腐蚀层,阀杆底部贯穿阀体与阀座转动连接有轴承,轴承底部转动连接有阀瓣,阀瓣底部转动连接枢轴,阀瓣通过枢轴与阀座内壁底部转动连接。本实用新型提供一种适宜高湿高盐环境下的阀门,设有辅助机构方便阀杆转动卡住的齿盘打开阀体内部的阀瓣,设有防锈层防止阀门在高湿环境下水汽使阀体生锈,设有的防腐蚀层防止阀门内部运输高盐等液体时阀座被盐分腐蚀,有效的延长了阀门的使用寿命。
  • 一种适宜高湿高盐环境阀门
  • [发明专利]程序写入方法和装置-CN201611075581.0有效
  • 史文森;赵轶 - 硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司
  • 2016-11-28 - 2020-03-10 - G06F8/65
  • 本发明公开了一种程序写入方法和装置。该方法包括:从预留区域中获取已经写入到存储区域的第一程序的第一起始地址,其中,存储区域为一次性可编程器件中的存储区域,存储区域中预留了多个预留区域,每个预留区域均用于保存在存储区域中存储的程序的起始地址;获取在存储区域中紧邻第一程序之后的能够写入第二程序的地址;获取第二起始地址,其中,第二起始地址的值满足如下条件:大于等于能够写入第二程序的地址、并且将能够写入第二程序的地址中的0修改为1后能够得到的;根据第二起始地址将预留区域中的第一起始地址中的0修改为1;从第二起始地址写入第二程序。通过本发明,解决了相关技术中OTP程序起始地址烧录次数有限的问题。
  • 程序写入方法装置
  • [实用新型]充电器插头结构-CN201621265787.5有效
  • 史文森 - 硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司
  • 2016-11-23 - 2017-06-06 - H01R13/02
  • 本实用新型提供了一种充电器插头结构,包括插头和插座,插头具有第一电源插针和第一信号插针,插座具有与第一电源插针适配的第二电源插针和与第一信号插针适配的第二信号插针,第一电源插针的长度小于第一信号插针的长度,以使在插头与插座处于插紧状态时,第一电源插针与第二信号插针之间具有沿插头的插设方向的安全间隙;应用本实用新型技术方案的充电器插头结构,解决了现有技术中的Type‑C充电器在稳定高压充电过程中,用户非垂直插拔插头时容易导致插座上的与其他信号插针连接的芯片管脚损坏的问题。
  • 充电器插头结构
  • [实用新型]插头结构-CN201621264581.0有效
  • 史文森 - 硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司
  • 2016-11-23 - 2017-06-06 - H01R13/04
  • 本实用新型提供了一种插头结构,包括插头和插座,插头上具有第一信号插针和第二信号插针,插座上具有与第一信号插针对应的第一信号插柱和与第二信号插针对应的第二信号插柱,第一信号插针的长度大于第二信号插针的长度,以使在插头与插座插接时,第一信号插针与第一信号插柱先于第二信号插针与第二信号插柱接触;其中,第一信号插针为串行信号插针;应用本实用新型技术方案的插头结构,解决了现有技术中电脑主机与显示器通过VGA数据线连接时,VGA插头与显示器的VGA插座非垂直插接时导致主机无法读取EDID的问题。
  • 插头结构
  • [实用新型]一种TFT阵列基板及液晶显示器-CN201220707201.1有效
  • 史文森;李鑫;任健 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2012-12-19 - 2013-07-24 - G02F1/1362
  • 本实用新型提供了一种TFT阵列基板及液晶显示器,包括基板,所述基板上设置有周边布线区域,所述周边布线区域设置有透明导电层,所述透明导电层包括第一导电层区域和第二导电层区域,所述第一导电层区域下方设置有保护层,且所述第一导电层区域的导电层的上表面处于与所述基板平行的同一平面上。本实用新型通过调整保护层的厚度,使得TFT阵列基板周边布线区域位于第一区域的透明导电层的上表面处于与基板平行的同一平面内,减少了由于厚度问题造成的段差区域,从而降低由于段差造成的产品不良的发生率,提高良品率。
  • 一种tft阵列液晶显示器
  • [实用新型]一种静电保护ESD结构及阵列基板、显示装置-CN201220369565.3有效
  • 王振伟;史文森;李鑫;唐磊;张莹;裴扬;任键 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2012-07-27 - 2013-03-13 - H01L27/02
  • 本实用新型公开了一种静电保护ESD结构,所述ESD包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管,静电起始端和静电释放端,所述第一薄膜晶体管的栅极和漏极与静电起始端连接,其源极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接,所述第二薄膜晶体管的漏极连接静电起始端,所述第二薄膜晶体管的源极连接静电释放端;所述第二薄膜晶体管的开启阈值电压小于等于所述第一薄膜晶体管的开启阈值电压;所述第一薄膜晶体管导通时电流为60μA-200μA;所述第二薄膜晶体管导通时电流为500μA-5000μA。本实用新型还公开了一种阵列基板和显示装置,提高了ESD的电荷通过能力,解决了现有显示装置中ESD电荷传导能力过低的问题,提高了显示装置的防静电能力。
  • 一种静电保护esd结构阵列显示装置
  • [发明专利]公共电极电压补偿电路、阵列基板和显示装置-CN201210358283.8有效
  • 史文森;丁金波;李彬;李健 - 北京京东方光电科技有限公司
  • 2012-09-24 - 2013-01-09 - G09G3/36
  • 本发明公开了一种公共电极电压补偿电路、阵列基板和显示装置,涉及液晶显示器技术领域,实现自动对公共电极电压进行补偿调节,无需人工进行调节,从而减少了工时。该公共电极电压补偿电路,包括:连接于栅线、数据线和像素电极的偏差计算单元,用于在所述栅线输出关闭信号时计算所述数据线电压减去所述像素电极电压得到的偏差值;电压补偿单元,用于用预设的公共电极电压减去所述偏差值得到补偿后的公共电极电压。该阵列基板,包括:上述的公共电极电压补偿电路;连接于所述公共电极电压补偿电路的栅线、数据线和像素电极。该显示装置包括上述的阵列基板。
  • 公共电极电压补偿电路阵列显示装置

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