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[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310217695.8在审
发明人： 古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人：冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件具有：基板(33)；第1电极(34a)，其设置于基板(33)上；第2电极(34b)，其设置于基板(33)上；作为第1单晶压电膜(15)的单晶PZT膜，其设置于第1电极(34a)上；作为第2单晶压电膜(25)的单晶AlN膜，其设置于第2电极(34b)上，具有与第1单晶压电膜(15)的晶体构造不同的晶体构造；第3电极(16)，其设置于第1单晶压电膜(15)上；以及第4电极(26)，其设置于第2单晶压电膜(25)上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器-CN202310206923.1在审
发明人： 古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆;小西晃雄;金森广晃;饭塚猛 -专利权人：冲电气工业株式会社;日商爱伯压电对策股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N39/00 文献下载
摘要：压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。
压电集成器件及其制造方法以及声学振动传感器

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310206520.7在审
发明人： 古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]压电体薄膜接合基板及其制造方法-CN202310205783.6在审
发明人： 古田裕典;小酒达;铃木贵人;谷川兼一;石川琢磨;北岛由隆 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N30/50 文献下载
摘要：压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上重叠设置2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；基板电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电体薄膜(27)，其粘贴于基板电极(34)上，具有第1压电膜(25)和形成于第1压电膜(25)上的第1上部电极膜(26)；以及第2压电体薄膜(17)，其粘贴于第1上部电极膜(26)上，具有与第1压电膜(25)不同的第2压电膜(15)和形成于第2压电膜(15)上的第2上部电极膜(16)。
压电薄膜接合及其制造方法

[发明专利]电子结构体和电子结构体的制造方法-CN202310121302.3在审
发明人：松尾元一郎;小酒达;铃木贵人;古田裕典;十文字伸哉;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：电子结构体和电子结构体的制造方法，能够提高复合膜从基板的剥离性。电子结构体(1)构成为在形成基板(10)层叠支承层(11)，进而重叠复合膜(2)，使该支承层(11)的面积比该复合膜(2)的面积小，进而设置有多个微间隔件(12)。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜(2)和支承层(11)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离，并且，还能够防止复合膜背面(2B)粘贴于形成基板(10)。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离、向布线基板(90)的安装。
电子结构制造方法

[发明专利]电子结构体和复合膜的制造方法-CN202211372810.0在审
发明人： 古田裕典;松尾元一郎;饭野皓宏;铃木贵人;谷川兼一;中井佑亮;十文字伸哉;篠原悠贵 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：电子结构体和复合膜的制造方法，能够提高复合膜的生产性。在电子结构体(1)中，利用无机材料构成形成基板(10)和支承层(11)，另一方面，利用有机材料构成复合膜(2)的基底膜(12)和覆盖层(17)，将支承层(11)的外形形成得比基底膜(12)的外形小。因此，电子结构体(1)能够适当地调整作用于复合膜背面(2B)与支承层正面(11A)之间的吸附力，以在保管时、搬送时不剥离，且在安装前能够使用压印器(81)容易地剥离。由此，电子结构体(1)能够在维持复合膜背面(2B)的平滑性的状态下容易地进行保管、搬送，并且，还能够容易地进行复合膜(2)从支承层(11)的剥离和向布线基板(90)的安装。
电子结构复合制造方法

[发明专利]发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法-CN202210942482.7在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵;饭野皓宏 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。
发光装置半导体结构薄膜制造方法

[发明专利]半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法-CN202111486438.1在审
发明人：篠原悠贵;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;石川琢磨;高桥千优;川田宽人 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：半导体元件单元、供给基板、半导体安装电路以及制造方法，能够在小型地构成的同时实现半导体与电路的良好电连接。半导体元件单元(1)通过在将第1电极(3)和半导体元件(2)重叠地载置在形成牺牲层(42)上的状态下进行退火处理，使半导体元件(2)和第1电极(3)共晶键合，并且将第1电极安装面(3B)维持在极平坦的状态。由此，半导体元件单元(1)在被安装于基板表面(51A)极平坦地形成的电路基板(51)时，仅通过以使第1电极安装面(3B)与第1盘表面(61A)抵接的方式进行转印，就能够使分子间力作用于两者之间来进行物理连接和电连接，不需要在安装后进行退火处理。
半导体元件单元供给安装电路以及制造方法

[发明专利]复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置-CN202111208125.X在审
发明人：石川琢磨;铃木贵人;谷川兼一;古田裕典;小酒达;中井佑亮;十文字伸哉;松尾元一郎;高桥千优;川田宽人;篠原悠贵 -专利权人：冲电气工业株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：复合集成膜、复合集成膜供给晶片以及半导体复合装置，能够容易地消除不良，并且能够提高安装密度。复合集成膜(1)极平坦地形成有由基材反面(2B)和电极反面(20B)构成的膜反面(1B)。另外，电路基板(70)极平坦地形成有由绝缘正面(73A)和盘正面(80A)构成的基板正面(70A)。因此，LED显示器显示部(61)通过分子间力使复合集成膜(1)的电极反面(20B)与电路基板(70)的盘正面(80A)结合，从而能够在物理连接且电连接的状态下，使该复合集成膜(1)动作来检查特性，另外，能够在异常部位容易地替换该复合集成膜(1)。由此，LED显示器显示部(61)能够在提高安装密度的同时显著提高成品率。
复合集成供给晶片以及半导体装置

[发明专利]半导体器件、光学打印头和图像形成装置-CN201010228935.7有效
发明人： 古田裕典;中井佑亮;藤原博之 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、光学打印头和图像形成装置。一种半导体器件包括提供在基板上的三端子发光元件阵列，其包括基本上直线地布置的多个三端子发光元件。每个三端子发光元件包括第一、第二和第三端子。第三端子用来控制第一和第二端子之间的电流。引出布线部分被连接到所述多个三端子发光元件。三端子发光元件阵列包括提供在相互邻近的两个或多个三端子发光元件之间的公共层。该公共层将两个或三个三端子发光元件的第二端子(或第三端子)相互连接。引出布线部分包括从公共层和所述多个三端子发光元件引出并沿着基本上垂直于所述多个三端子发光元件的布置方向的方向延伸的布线。
半导体器件光学打印头图像形成装置

[发明专利]半导体发光装置、光学打印头以及图像形成装置-CN200810187432.2有效
发明人：中井佑亮;古田裕典;藤原博之;荻原光彦 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2008-12-29 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种将电气性能与发光性能同时最优化的高性能半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于，具有：正极层121；与正极层不同导电类型的负极层111；控制正极层与负极层的电气导通的闸层120a和120b；设置在正极层与负极层之间，通过电子与正孔的再结合进行发光的活性层114；与活性层的一面相接，大于活性层的能带隙的第1覆盖层115；与活性层的另一面相接，大于活性层的能带隙，且与第1覆盖层不同导电类型的第2覆盖层113，其中，闸层的厚度小于被注入闸层的少数载体的平均自由行程。
半导体发光装置光学打印头以及图像形成

[发明专利]发光面板、显示设备和光源设备-CN200810128574.1无效
发明人：荻原光彦;铃木贵人;猪狩友希;藤原博之;鹭森友彦;古田裕典;中井佑亮 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2008-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：一种发光面板，包括多个发光元件阵列，每个发光元件阵列具有配置在平面中的多个发光元件。发光元件阵列被配置为一个发光元件阵列的发光元件的配置平面基本上相互平行地与另一发光元件阵列的发光元件的另一配置平面重叠，并且一个发光元件阵列的发光元件与另一发光元件阵列的发光元件将光发射到相同侧。
发光面板显示设备光源

[发明专利]显示装置-CN200810081964.8有效
发明人：铃木贵人;鹭森友彦;藤原博之;猪狩友希;中井佑亮;古田裕典;荻原光彦 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2008-02-29 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L23/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种使用塑料基板100代替玻璃基板的显示装置，能够解决由于塑料基板100的热传导率低、放热性能差、难以获得稳定的特性、缺乏可靠性的问题。在该显示装置中，把与纵向配线一体化形成在塑料基板100与薄膜LED102之间的内面电极107进行层叠，使该内面电极107发挥放热层的作用，导出并释放薄膜LED102内部产生的热量。
显示装置

[发明专利]半导体器件、LED头和图像形成装置-CN200710127114.2有效
发明人： 古田裕典;荻原光彦;藤原博之;猪狩友希;武藤昌孝 -专利权人：日本冲信息株式会社
申请日： 2007-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件、LED头和图像形成装置。利用切割半导体晶片来制造半导体器件。该半导体器件包括衬底，形成在该衬底上的基底绝缘层，形成在该基底绝缘层上的半导体元件，以及与该基底绝缘层分开地形成在该衬底的端部上的分离图案部分。当实施该切割时该分离图案部分防止基底绝缘层从衬底脱落。
半导体器件 led 图像形成装置

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