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[发明专利]具有半导体衬底的封装组件-CN201080061743.X有效
发明人：刘宪明;S·苏塔尔德加;吴亚伯;郑全成;卫健群 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本公开内容的实施例提供一种方法，该方法包括：提供包括半导体材料的半导体衬底；在半导体衬底上形成电介质层；在电介质层上形成互连层；将半导体裸片附接到半导体衬底；以及将半导体裸片的有源侧电耦合到互连层，互连层用于路由半导体裸片的电信号。可以描述和/或要求保护其它实施例。
具有半导体衬底封装组件

[发明专利]包括具有应力减轻结构的半导体衬底的封装组件-CN201280060066.9无效
发明人： A·吴;卫健群 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种被配置用于耦合到衬底上的装置，其中该装置包括半导体衬底，并且半导体衬底包括在半导体衬底的侧部内限定的多个沟槽。该装置还包括在半导体衬底的侧部的部分之上的互连层，其中半导体衬底的侧部的部分包括在半导体衬底的侧部内限定的多个沟槽。每个沟槽被配置用于分别接收用于提供在i)互连层与ii)该装置将被耦合到的衬底之间的接口的焊球。
包括具有应力减轻结构半导体衬底封装组件

[发明专利]凹陷半导体衬底-CN201180005381.7有效
发明人：吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开内容的实施例提供一种装置，该装置包括：半导体衬底，具有第一表面，与第一表面相对设置的第二表面，其中第一表面的至少部分被凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域，以及一个或者多个过孔，形成于半导体衬底的凹陷区域中以在半导体衬底的第一表面与第二表面之间提供电或者热通路；以及裸片，耦合到半导体衬底，该裸片电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或者多个过孔。可以描述和/或要求保护其它实施例。
凹陷半导体衬底

[发明专利]用于凹陷的半导体基底的技术和配置-CN201110038808.5无效
发明人：吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的实施方式涉及用于凹陷的半导体基底的技术和配置，具体地，提供了一种方法，包括：提供半导体基底，该半导体基底具有(i)第一表面和(ii)与第一表面相反地布置的第二表面；在半导体基底的第一表面上形成电介质膜；在电介质膜上形成再分布层；将一个或多个裸片电耦合到再分布层；在半导体基底上形成模塑料；使半导体基底的第二表面凹陷；形成通过半导体基底的凹陷的第二表面的一个或多个沟道以暴露再分布层；以及在该一个或多个沟道中形成一个或多个封装互连结构，该一个或多个封装互连结构电耦合到再分布层，该一个或多个封装互连结构用以路由该一个或多个裸片的电信号。可以描述和/或要求保护其他实施方式。
用于凹陷半导体基底技术配置

[发明专利]凹入的半导体基底和相关技术-CN201110038800.9无效
发明人：吴亚伯;陈若文;韩忠群;刘宪明;卫健群;常润滋;吴嘉洛;郑全成 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2011-02-09 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种凹入的半导体基底和相关技术。本发明的实施方式提供一种方法，该方法包括提供具有(i)第一表面和(ii)与所述第一表面相反布置的第二表面的半导体基底，在所述半导体基底的第一表面中形成一个或更多个过孔，所述一个或更多个过孔初始仅穿过所述半导体基底的一部分而不到达所述第二表面，在所述半导体基底的第一表面上形成电介质膜，在所述电介质膜上形成再分布层，所述再分布层电耦合至所述一个或更多个过孔，将一个或更多个裸片耦合至所述再分布层，形成模塑料以封裹所述一个或更多个裸片的至少一部分，以及使所述半导体基底的第二表面凹入以暴露所述一个或更多个过孔。可以描述和/或请求保护其他实施方式。
半导体基底相关技术

[发明专利]α屏蔽技术和结构-CN200910253962.7有效
发明人：纳尔逊·塔姆;艾伯特·吴;卫健群 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及α屏蔽技术和结构。本发明内容的实施方式提供了一种装置，其包括：半导体芯片，其具有多个集成电路器件；焊盘结构，其通过互连层电耦合到多个集成电路器件中的至少一个集成电路器件；电绝缘层，其布置在互连层上；第一屏蔽结构，其布置在电绝缘层中并且电耦合到焊盘结构；球下金属化(UBM)结构，其电耦合到第一屏蔽结构；以及焊料凸点，其电耦合到UBM结构，焊料凸点包括能够发射α粒子的焊料凸点材料，其中，第一屏蔽结构位于焊料凸点和多个集成电路器件之间，以保护多个集成电路器件不受α粒子影响。可描述和/或主张其它实施方式。
屏蔽技术结构