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[实用新型]一种碳化硅粉体材料的筛选装置-CN202321045881.X有效
发明人：周薇;王盖;卫义成 -专利权人：兰德森材料科技（盐城）有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B07B1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅粉体材料的筛选装置，涉及筛选装置技术领域。包括筛管，所述筛管的顶部铰接有盖板，所述筛管的底部固定连接有下料斗，所述下料斗底部的顶角处固定连接有支柱，所述筛管的第一端固定连接有清洗组件，所述清洗组件用于筛管内部的清洗，所述筛管的第一侧固定连接有筛选组件，所述筛选组件用于碳化硅粉体材料的筛选，所述筛选组件顶部的第二侧设置有排杂口。本实用新型与现有技术的区别在于，通过将外部水管与接水管连接，再启动泵机将外部水源通过接水管抽入进水管内，并接着进入送水管内，最后通过喷头完成对筛管的内部进行自动清洗，无需人工拆卸清理，较为节省人力。
一种碳化硅材料筛选装置

[实用新型]一种碳化硅陶瓷膜修复装置-CN202321171975.1有效
发明人：邬胤;卫义成;袁林峰 -专利权人：兰德森材料科技（盐城）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B05B13/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅陶瓷膜技术领域，公开了一种碳化硅陶瓷膜修复装置，包括底座，所述底座上方两侧对称安装有连接块，两个所述连接块之间转动安装有多个滚轴，所述底座上方中间位置固定连接有连接板，所述连接板内转动安装有转轮，所述转轮的内壁上固定连接有多个喷嘴，所述底座上方两侧对称安装有固定块，所述固定块的一侧均固定安装有第三气缸。本实用新型在使用时，滚轮带动管式碳化硅陶瓷膜往前运动，滚筒使管式碳化硅陶瓷膜限位，驱动电机带动转轮转动使喷嘴围绕管式碳化硅陶瓷膜转动喷涂，使喷涂更加均匀，且每个喷嘴可单独控制，在遇到损伤较为严重的地方时，可控制喷嘴反复喷涂，或加大喷涂量，有效提升了实用性。
一种碳化硅陶瓷膜修复装置

[发明专利]一种离心绑定ITO旋转靶材的方法-CN202011603040.7有效
发明人：郑保昌;史伟;卫义成;钟雪琴;欧阳光华;万如意 -专利权人：湖南柯盛新材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种离心绑定ITO旋转靶材的方法，属于ITO旋转靶材加工技术领域，该方法包括以下步骤：S1、预处理：对ITO靶管内壁和背管外表面进行金属化处理；S2、组装：将背管从电热管上方往下插入，以使背管插设在安装座顶面插槽内，并使安装座上的定位筒插设在背管内；将单节ITO靶管套在背管上，并使ITO靶管插设在安装座顶面插槽内，ITO靶管与背管之间设有间隙；S3、灌铟绑定：由下往上对单节ITO靶管进行逐步绑定。本发明通过转动离心，使得熔化后的铟将紧贴ITO靶管内壁，绑定率较好。
一种离心绑定 ito 旋转方法

[发明专利]一种冷喷涂制造旋转靶材的工艺及其生产设备-CN202011612505.5有效
发明人： 卫义成;史伟;欧阳光华;石亮;刘城磊 -专利权人：湖南柯盛新材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷喷涂制造旋转靶材的工艺及其生产设备，工艺包括如下步骤：1)对基体依次进行超声波清洗、烘干、喷砂处理；2)对基体所在区域进行抽真空操作；3)将ITO粉末导入喷枪内；同时在喷枪内导入惰性气体；4)驱动控制基体旋转，并控制喷枪沿基体轴向方向运动，使得ITO靶材呈成型。通过上述步骤制备的ITO靶材，由于喷涂时始终处于氦气保护氛围中，降低了氧含量和其他杂质的混入，此外，靶材在冷喷涂时，颗粒高速撞击基体充分变形形成涂层，涂层组织致密，靶材的相对密度可以达到99.9％以上，靶材内部晶粒组织均匀细小，无缺陷组织，同时沉积效率高，降低了生产成本。
一种喷涂制造旋转工艺及其生产设备

[发明专利]一种一次离心绑定多节ITO旋转靶材的方法-CN202011603008.9有效
发明人：史伟;卫义成;郑保昌;欧阳光华;何伟 -专利权人：湖南柯盛新材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种一次离心绑定多节ITO旋转靶材的方法，属于ITO旋转靶材加工技术领域，该方法包括以下步骤：S1、预处理：对ITO靶管内壁和背管外表面进行金属化处理；S2、组装：将背管从电热管上方往下插入，以使背管插设在安装座顶面插槽内，并使安装座上的定位筒插设在背管内；将多节ITO靶管由下往上依次套在背管上，上下相邻ITO靶管通过密封圈密封，最下节的ITO靶管插设在安装座顶面插槽内，ITO靶管与背管之间设有间隙；S3、灌铟；S4、离心绑定。本发明先将待绑定的ITO靶管一次组装好，然后再进行整体灌铟和转动离心，使得熔化后的铟紧贴ITO靶管内壁，绑定率较好。
一种一次离心绑定 ito 旋转方法

[发明专利]氮化硅粉体及其制备方法与应用、陶瓷材料-CN202011115646.6有效
发明人：曾小锋;卫义成;陈巨喜;李勇全 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅粉体及其制备方法与应用、陶瓷材料。其中，氮化硅粉体的制备方法中，以硅酸乙酯作为硅源，先将硅酸乙酯、有机碳源和水混合，得到均匀的混合溶液，再将混合溶液进行水热反应，得到碳硅混合物，然后将得到碳硅混合物置于氮气氛围下进行还原反应，最后通过煅烧除去多余的杂质碳，从而得到高纯度的氮化硅粉体。该制备方法制得的氮化硅粉体酥松，纯度高，具有高烧结活性。
氮化硅粉体及其制备方法应用陶瓷材料

[发明专利]一种非浸渍法制备覆膜耐磨陶瓷微球的方法及耐磨陶瓷微球-CN202110107923.7有效
发明人：郑保昌;卫义成;史伟;钟雪琴 -专利权人：湖南柯盛新材料有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C04B35/622 文献下载
摘要：本发明提供了一种非浸渍法制备覆膜耐磨陶瓷微球的方法。先采用滚制成型法得到预制球坯，接着将预制球坯的表面滚覆包覆一层热固型的有机高分子包覆层，通过控制有机高分子的加入量及滚制包覆的滚动速率进而控制包覆层的膜厚，包覆完成后进行加热固化，得到满足冷等静压工艺条件的覆膜陶瓷球坯，最后于冷等静压机中进行压制，得到复合陶瓷坯体，最后进行烧结和整形，得到烧结球坯。本发明能生产＜Φ1mm的陶瓷微球，具有滚制成型法的高产量、滴球成型法的高致密性的优点。同时还具有作业环境友好，覆膜可控的优点。
一种浸渍法制备覆膜耐磨陶瓷方法

[发明专利]一种氧化锆基陶瓷背板及其制备方法和用途-CN202110107922.2有效
发明人：史伟;卫义成;欧阳光华;刘立瑶 -专利权人：湖南柯盛新材料有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化锆基陶瓷背板及其制备方法和用途，通过以氧化锆、氯氧化锆和六硼化镧作为初始原料，然后在粘结剂的存在下经过混匀、水解、干燥并采用超高压冷等静压预处理获得坯体，该坯体无有机挥发，气孔率低，无密度梯度。胚体再经过预烧结、切片和二次烧结处理后获得氧化锆陶瓷背板，胚体烧结后获得的氧化锆陶瓷背板烧结致密度好，强度高，耐磨性强，具有较高的韧性、强度、硬度以及优良的耐磨性格热稳定性。
一种氧化锆陶瓷背板及其制备方法用途

[发明专利]氮化硅复合材料及其制备方法、发热体-CN202010935130.X在审
发明人：曾小锋;卫义成;曾庆党;陈巨喜;李勇全 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅复合材料及其制备方法、发热体，其中，氮化硅复合材料的原料按照质量份数计，包括氮化硅粉体80份～93份、烧结助剂5份～15份、增强剂1份～5份及粘结剂1份～5份；其中，增强剂选自长径比为1:(20～30)的氮化物晶须和长径比为1:(20～30)的碳化物晶须中的至少一种。采用特定的组分及配比，通过特定质量的烧结助剂、粘结剂和具有特定长径比的氮化物晶须和/或碳化物晶须对氮化硅粉体的共同作用，不仅可以增强材料的抗弯强度，还能够提高氮化硅陶瓷材料的热导率。该氮化硅复合材料应用于发热领域时，能提高发热体的电能转换效率1～3倍，进而提高了器件的使用寿命，达到节能降耗的目的。
氮化复合材料及其制备方法发热

[发明专利]高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷及其制备方法和应用-CN202010322659.4在审
发明人： 卫义成;曾小锋;陈巨喜;曾庆党 -专利权人：衡阳凯新特种材料科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本发明涉及复合材料领域，尤其是高强度氮化硅复合碳化硅陶瓷，经过原料成分合理配比，结合氮化烧结工艺，采用先预热至600‑800℃时，通入氮气方式，使原料混合物在非氮气氛围下受热，使得硅粉预热，再结合氮气通入，以及原料中氮化硅存在的环境下，实现对硅粉催化氮化，促使氮化硅形成，提高硅粉氮化率，促进硅粉形成的氮化硅与原料中的氮化硅在液相下结合，实现在碳化硅粉末间穿插，增强氮化硅与碳化硅结合的强度，提高陶瓷材料的致密性；且经氮气合理时间通入，避免了氮化硅在1600℃以上发生分解，增强了陶瓷材料强度和致密性，使得烧结制品的的密度＞2.65g/cm3，断面细腻，气孔不可见，提高了陶瓷材料的抗热震性能和延长了陶瓷制品的使用寿命。
强度氮化复合碳化硅陶瓷及其制备方法应用

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