专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于通信领域的基站装置-CN201921669520.6有效
  • 黄继文;邓志龙;卢盛辉;其他发明人请求不公开姓名 - 南宁职业技术学院
  • 2019-10-08 - 2020-06-05 - H04Q1/02
  • 本实用新型公开了一种基于通信领域的基站装置,属于基站装置领域,一种基于通信领域的基站装置,包括基站机箱主体,基站机箱主体的开口处铰接有箱门,箱门的内壁上固定连接有一对散热扇,箱门上开凿有与散热扇相匹配的散热孔,散热孔上固定连接有第一滤网层,基站机箱主体的底端为网孔板,基站机箱主体的下端固定连接有支架,支架上固定连接有托板,托板上滑动连接有与基站机箱主体相匹配的下箱体,下箱体的两端均开凿有换气孔,换气孔上固定连接有第二滤网层,下箱体内固定连接有与第二滤网层相匹配的干燥盒,干燥盒内储存有干燥剂,可以实现易于对基站机箱进行干燥和散热,易于使机箱中的装置保持稳定工作。
  • 一种基于通信领域基站装置
  • [实用新型]嵌件注塑自动检测装置-CN201720110835.1有效
  • 卢盛辉 - 上海天檀电子科技有限公司
  • 2017-02-07 - 2017-09-12 - B29C45/14
  • 本实用新型公开了一种嵌件注塑自动检测装置,其包括机架、CCD显示器、检测器等,CCD显示器固定在机架上,检测器安装在机架上且固定在CCD显示器的下方,所述检测器包括送料机械手、线性马达、产品嵌入型腔、良品夹取机械手、圆形转台、产品夹紧工装、送料机械手气缸、不良品盒等,送料机械手的另一端与线性马达的一端连接,送料机械手气缸固定在线性马达的另一端,线性马达通过产品嵌入型腔的一端与圆形转台连接,产品嵌入型腔的另一端与产品夹紧工装连接,产品夹紧工装均匀固定在圆形转台的边缘,良品夹取机械手的另一端固定在圆形转台上。本实用新型能够提高检测效率,降低检测成本,操作简单,故障率低,维护成本低,可以用于多种注塑产品。
  • 注塑自动检测装置
  • [实用新型]车载多功能扶手箱-CN201420286032.8有效
  • 李昀书;孙洪哲;卢盛辉;王琳琳;孙成栋;李岳彬 - 辽宁工业大学
  • 2014-05-31 - 2014-12-31 - B60R7/04
  • 一种车载多功能扶手箱,包括扶手箱体,其特殊之处是:所述扶手箱体后板的内表面上设有可定位的升降板,所述升降板顶端设有一个与之铰接的扶手箱体上盖,所述扶手箱体上盖下表面外边缘处铰接有二个对开的活动板,所述两个活动板外边缘处分别通过定位合页连接有折板,所述扶手箱体内上部设有与扶手箱体铰接的夹层板,扶手箱体上盖、活动板和折板展开后为一个平面。该车载多功能扶手箱具有结构简单、使用方便,安全性高、加工成本低、实用性强、内部结构设计合理、展开后可以作为餐桌的优点。
  • 车载多功能扶手
  • [发明专利]车载多功能扶手箱-CN201410237667.3有效
  • 李昀书;孙洪哲;卢盛辉;王琳琳;孙成栋;李岳彬 - 辽宁工业大学
  • 2014-05-31 - 2014-09-17 - B60R7/04
  • 一种车载多功能扶手箱,包括扶手箱体,其特殊之处是:所述扶手箱体后板的内表面上设有可定位的升降板,所述升降板顶端设有一个与之铰接的扶手箱体上盖,所述扶手箱体上盖下表面外边缘处分别铰接有对开的活动板,所述两个活动板外边缘处分别通过定位合页连接有折板,所述扶手箱体内上部设有与扶手箱体铰接的夹层板,扶手箱体上盖、活动板和折板展开后为一个平面。该车载多功能扶手箱具有结构简单、使用方便,安全性高、加工成本低、实用性强、内部结构设计合理、展开后可以作为餐桌的优点。
  • 车载多功能扶手
  • [发明专利]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管-CN200510021536.2无效
  • 杜江峰;卢盛辉;靳翀;罗谦;夏建新;杨谟华 - 电子科技大学
  • 2005-08-26 - 2006-02-22 - H01L29/78
  • 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管,属于半导体器件领域,包括衬底上依次形成的成核层、GaN层和势垒层,以及势垒层上的源极、栅极和漏极,其中源极、漏极与势垒层形成欧姆接触,栅极与势垒层形成肖特基接触,其特征是,它还包括一层位于势垒层上、栅极和漏极之间的,并与栅极和漏极相连的半绝缘材料层。所述势垒层和半绝缘材料层之间还可有一层绝缘材料层。其中的半绝缘材料层,相当于一个电阻型场板,利用这一场板对其下面的势垒层中的电场分布产生的调制作用,降低栅漏之间电场的峰值,从而提高了栅漏之间击穿所需的电压,也即提高晶体管的击穿电压。
  • 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管

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