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[发明专利]双级微纳陶瓷颗粒增强镁基复合材料、其制备方法及用途-CN202310906336.3在审
发明人：郭恩宇;陈宗宁;王冲;王同敏;康慧君;曹志强;接金川;张宇博;卢一平;李廷举;郝志刚 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C22C23/04 文献下载
摘要：本发明提供一种双级微纳陶瓷颗粒增强镁基复合材料、其制备方法及用途，所述双级微纳陶瓷颗粒增强镁基复合材料包括：Mg‑xZn‑yAl‑zCa和碳化硅颗粒，其中，2≤x≤8，1≤y≤5，0.3≤z≤1，x、y、z为质量百分分数；其中碳化硅颗粒包括微米碳化硅和纳米碳化硅。本发明采用化学分散法能有效打散纳米颗粒的团聚，使得纳米颗粒依附于微米颗粒之上，还能有效防止纳米粉尘吸入肺中，减少患尘肺的风险；另外，分级搅拌法的使用可有效减少熔体的氧化，制备出的复合材料内部缺陷相比于直接搅拌法更少，组织更加致密，力学性能更加优异；再者，本发明还具有设备简单和操作简易的优势，使得镁基复合材料的制备效率大大提高。
双级微纳陶瓷颗粒增强复合材料制备方法用途

[发明专利]一种P型ZrCoSb基半哈斯勒单晶合金及其制备方法-CN202310636461.7在审
发明人：康慧君;陈荣春;王同敏;郭恩宇;陈宗宁;李廷举;曹志强;卢一平;接金川;张宇博 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及技术领域，尤其涉及一种P型半哈斯勒单晶合金及其制备方法。本发明基于受主元素含量调控，通过Sb位掺杂Sn元素引入额外的空穴，有效提高载流子浓度。此外，本发明得到的P型ZrCoSb1‑xSnx单晶合金消除了晶界对载流子输运的负面影响，实现载流子迁移率的优化，从而进一步提高其电输运性能(电导率、塞贝克系数和功率因子)。
一种 zrcosb 基半哈斯勒单晶合金及其制备方法

[发明专利]一种抗辐照低中子吸收截面高熵合金、其制备方法及用途-CN202211276287.1有效
发明人： 卢一平;张欢枝;李廷举;王同敏;曹志强 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C22C30/02 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照低中子吸收截面高熵合金、其制备方法及用途，抗辐照低中子吸收截面高熵合金的通式为AlaCubFecModNbeNifTigVhYiZrj，其中0≤a≤40％，15％≤b30％，0≤c≤40％，16％≤d≤30％，0≤e10％，0≤f≤40％，35％g≤55％，1％≤h≤20％，1％≤i≤5％，0≤j5％，且a+b+c+d+e+f+g+h+i+j＝100％，a、b、c、d、e、f、g、h、i和j为摩尔百分比。本发明抗辐照低中子吸收截面高熵合金为单相体心立方无序固溶体；该高熵合金抗辐照性能优异，氦离子辐照后合金的硬化率及氦泡密度远低于传统合金。
一种辐照中子吸收截面合金制备方法用途

[发明专利]一种纳米级TiB2p-CN202310678103.2在审
发明人：陈宗宁;郝志刚;郭恩宇;康慧君;王同敏;赵凯;卢一平;接金川;张宇博;曹志强;李廷举 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级TiB2p/6201瓷刚铝合金、其超低温熔炼合成方法及用途，该瓷刚铝合金的制备方法包括以下步骤：前驱体的熔铸制备：Al‑10Ti和Al‑3B中间合金升温熔化，采用机械搅拌结合超声熔体处理加速反应，反应温度保持在660～670℃以低温合成纳米级颗粒；重熔稀释；均匀化处理；热轧；固溶处理；室温轧制；人工时效处理后制备得到纳米级TiB2p/6201瓷刚铝合金。本发明铝合金具有优异的力学性能和电导率，作为高强高导输电铝材相比于传统输电铝材引入了纳米级TiB2陶瓷颗粒，采用熔铸法低温合成，同传统的输电铝材的制备流程结合紧密，易于推广，且成本低廉，可以大规模批量生产。
一种纳米 tib base sub

[发明专利]一种基于TiB2-CN202310678094.7在审
发明人：郝志刚;陈宗宁;郭恩宇;康慧君;王同敏;赵凯;卢一平;接金川;张宇博;曹志强;李廷举 -专利权人：大连理工大学宁波研究院;大连理工大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TiB2颗粒增强的高延伸率6201瓷刚铝合金、其制备方法及用途，基于TiB2颗粒增强的高延伸率6201瓷刚铝合金的制备方法包括以下步骤：熔炼：将TiB2/Al前驱体和Al‑3％B中间合金按照B/Ti化学计量比为2.0～2.1配比，同时放入熔炼炉内保温反应，随后进行合金化、除气和超声熔体处理，之后将熔体浇注至钢模；均匀化处理；挤压；固溶处理，室温水淬；轧制；人工时效处理后制备得到基于TiB2颗粒增强的高延伸率6201瓷刚铝合金。本发明的制备工艺简单，成本低廉。制备得到的导电铝材具有优异的力学性能，其中抗拉强度接近370MPa，断后延伸率超过10％，能用于制备高延伸率输电导线。
一种基于 tib base sub

[发明专利]一种峰时效区域宽化的TiB2p-CN202310678101.3在审
发明人：陈宗宁;郝志刚;郭恩宇;康慧君;王同敏;赵凯;卢一平;接金川;张宇博;曹志强;李廷举 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种峰时效区域宽化的TiB2p/Al‑Mg‑Si瓷刚铝合金、其制备方法及用途，该方法包括以下步骤：成分设计；熔炼：将Al‑5％TiB2前驱体和Al‑3％B中间合金同时升温熔化，超声振动处理，保温，合金化，精炼，浇注；固溶处理；人工时效处理后制备得到峰时效区域宽化的TiB2p/Al‑Mg‑Si瓷刚铝合金。本发明峰时效区域宽化的TiB2p/Al‑Mg‑Si瓷刚铝合金相比于纯合金，无论是高Si低Mg体系还是高Mg低Si体系，加入TiB2陶瓷颗粒后峰时效不仅发生提前，同时在峰时效状态维持较长时间，即获得峰时效区域宽化效应，扩宽人工时效的工艺窗口，获得最佳的力学性能和电导率。
一种时效区域 tib base sub

[发明专利]一种抗辐照低活化高熵合金、其制备方法及用途-CN202211276279.7有效
发明人： 卢一平;张欢枝;李廷举;王同敏;曹志强;康慧君 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照低活化高熵合金、其制备方法及用途，所述抗辐照低活化高熵合金通式为CraFebHfcScdTaeTifVgWhYiZrj，其中0≤a≤20％，0≤b≤20％，0≤c5％，0≤d≤5％，1％≤e5％，30％≤f≤50％，0≤g≤19％，15％h≤30％，1％≤i5％，0≤j5％，且a+b+c+d+e+f+g+h+i+j＝100％，a、b、c、d、e、f、g、h、i和j为摩尔百分比。该合金制备工艺简单且可控性强，无需热处理或轧制等复杂加工工艺，铸态合金即具备优异的综合力学性能及抗辐照性能。高温氦离子辐照后，合金晶格结构及晶格常数保持不变，表现出异于传统合金的辐照行为。
一种辐照活化合金制备方法用途

[发明专利]一种B位掺杂CuInTe2-CN202310636590.6在审
发明人：康慧君;王同敏;杨二阔;郭恩宇;陈宗宁;曹志强;卢一平;接金川;张宇博;李廷举 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种B位掺杂CuInTe2基热电材料及其制备方法。本发明提供的B位掺杂CuInTe2基热电材料化学式为CuIn1‑xAgxTe2，0x0.1。本发明的热电材料具备较高的晶体对称性，晶格畸变参数近似于1。由于增大的态密度有效质量和降低的载流子浓度，热电材料的Seebeck系数明显提高。同时，由于掺杂元素的存在，材料中产生剧烈的Ag偏心效应，从而有效降低热电材料的晶格热导率，进一步降低材料的本征热导率。综合以上因素，热电材料的ZT明显提高，因此B位掺杂CuInTe2基热电材料是具有巨大应用潜力的p型热电材料。
一种掺杂 cuinte base sub

[发明专利]一种基于TiB2p-CN202310678095.1在审
发明人：郝志刚;陈宗宁;郭恩宇;康慧君;王同敏;赵凯;卢一平;接金川;张宇博;曹志强;李廷举 -专利权人：大连理工大学宁波研究院;大连理工大学
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22C21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TiB2p/6201瓷刚铝合金的高电导率铝材、其制备方法及用途，其制备方法包括成分设计：优化B/Ti化学计量比；熔炼：将Al‑5％TiB2前驱体和Al‑3％B中间合金同时放入熔炼炉内保温反应，通过超声振动处理熔体，加速其反应进行，随后进行保温、合金化、精炼和超声振动处理，之后将熔体浇注至钢模；均匀化处理；热轧；固溶处理，室温水淬；室温轧制；人工时效处理后制备得到高导电铝材。本发明高导电铝材的制备工艺简单，成本低廉，制备出的瓷刚铝合金在B/Ti化学计量比为2.0时获得最佳的电导率和力学性能，其电导率为53.5％IACS，抗拉强度为360.9MPa，断后延伸率为8.3％。
一种基于 tib base sub

[发明专利]一种双相镁锂合金强塑性协同提高的复合变形工艺-CN202310445990.9在审
发明人：郭恩宇;陈宗宁;苏科强;康慧君;王同敏;卢一平;张宇博;曹志强;接金川;李廷举 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C22F1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双相镁锂合金强塑性协同提高的复合变形工艺，包括以下步骤：将镁锂合金铸锭依次进行均匀化处理和固溶水淬处理，接着将镁锂合金圆棒进行预加热，然后放入挤压机进行挤压变形，将挤压出的棒材进行切割并进行变温混合热轧制+室温轧制的复合变形，总变形量为70％，得到厚度为2mm的双相镁锂合金板材，而后将轧制板材进行时效处理。本发明可以有效细化晶粒，在不失塑性的情况下增强镁锂合金的强度，提高镁锂合金的强塑性协同作用，制备方法简单，成本低，便于镁锂合金的推广使用。
一种双相镁锂合金塑性协同提高复合变形工艺

[发明专利]一种轻质难熔多主元合金、其制备方法及用途-CN202211316014.5有效
发明人： 卢一平;刘永苗;李廷举;王同敏;曹志强;闫宏伟;张永安 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C22C30/00 文献下载
摘要：本发明提供一种轻质难熔多主元合金、其制备方法及用途。本发明轻质难熔多主元合金通式为(TiZrNb)100‑x‑yAlxOy，其中0.3％≤x≤6.0％，0.2％≤y≤2.0％，x与y为对应元素的摩尔百分比。本发明还公开了轻质难熔多主元合金的制备方法。本发明轻质难熔多主元合金密度ρ≤6.5g/cm3，其在室温下的屈服强度高达1050MPa，断后伸长率超过15％；通过调控Al与O元素的原子配比，得到一系列难熔多主元合金，合金均保持单一的BCC无序固溶体结构。本发明提供的轻质难熔多主元合金具有低密度与优异的室温力学性能，有望实现难熔高熵合金的工程化应用。
一种轻质难熔多主元合金制备方法用途

[发明专利]一种相同化学成分BiSbSe3-x-CN202310259495.9在审
发明人：康慧君;王同敏;田震;郭恩宇;陈宗宁;曹志强;卢一平;接金川;张宇博;李廷举 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10N10/852 文献下载
摘要：本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种相同化学成分BiSbSe3‑xTex的n型与p型热电材料及其制备方法和应用。本发明提供了一种热电材料，包括n型热电材料或p型热电材料，所述n型热电材料或p型热电材料的分子式独立为BiSbSe3‑xTex，1≤x≤1.75。本发明提供的热电材料可以制成n型和p型热电材料，因n型和p型热电材料的成分相同，合金结构相似，故可极大地减少载流子在传递时所遇到的阻碍，进而显著地提高热电转换的效率。因其具有相近的热膨胀系数，可有效降低由热膨胀系数差异造成的应力集中，提高热电组件的机械性能，为开发设计性能优良的热电器件提供助力。
一种相同化学成分 bisbse base sub

[发明专利]一种单晶ZrCoSb半哈斯勒合金及其制备方法和应用-CN202310282440.X在审
发明人：康慧君;陈荣春;王同敏;郭恩宇;陈宗宁;李廷举;曹志强;卢一平;接金川;张宇博 -专利权人：大连理工大学;大连理工大学宁波研究院
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶ZrCoSb半哈斯勒合金及其制备方法和应用，属于合金技术领域。制备方法包括以下步骤：(1)将合金原料进行熔炼，得到多晶ZrCoSb铸锭；(2)将所述步骤(1)得到的多晶ZrCoSb铸锭通过布里奇曼法进行晶体生长，得到单晶ZrCoSb半哈斯勒合金；所述晶体生长时的提拉速率为0.5～2mm/h。本发明首先通过熔炼得到多晶铸锭，然后通过布里奇曼法进行晶体生长，通过控制生长过程中的提拉速率，利用温度梯度缓慢生长出大尺寸的单晶ZrCoSb半哈斯勒合金。
一种 zrcosb 半哈斯勒合金及其制备方法应用

[实用新型]一种用于铝合金窗扇的滑道机构-CN202223557632.7有效
发明人： 卢一平;于志清;陈礼庚;卢明耀;卢祯河 -专利权人：安徽省雄日幕墙门窗有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： E05D15/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于铝合金窗扇的滑道机构，涉及窗扇滑道技术领域,包括外框架、窗架，所述外框架内部下方两侧的两边均开设有卡接槽。本实用新型中，通过在外框架的内部设置滑道板，当滑道板上端的卡接条在长期使用后出现磨损时，可通过掰动外框架上的推块，将相邻的两个滑动杆分离开，且其两个相邻的滑动杆上的磁块相对面均为异磁极，可在两个滑动杆相聚时吸附在一起，随后再通过拉动提拉杆，便可将滑道板从外框架上拆除下来，在重新更换上新的滑道板并反向重新上述操作即可完成滑道板的更换工作，让滑道板在长期使用出现磨损后可得到及时的更换处理，避免出现铝合金窗开关困难甚至从滑道上脱落的状况。
一种用于铝合金窗扇滑道机构

[实用新型]一种铝板幕墙定位安装结构-CN202320012164.0有效
发明人： 卢一平;于志清;陈礼庚;卢明耀;卢祯河 -专利权人：安徽省雄日幕墙门窗有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： E04G21/16 文献下载
摘要：本实用新型提供一种铝板幕墙定位安装结构，涉及建筑工程技术领域，包括立板，所述立板一侧的中部开设有滑槽。本实用新型中，当操作者进行铝板幕墙的安装作业时，操作者可以将该结构安装在指定地点，将滑板沿着滑槽调节至与待安装的铝板幕墙一样的高度，在将卡接件插入到一号通孔以及二号通孔中，对滑板的位置进行限位，操作者可以将待安装的铝板幕墙放置到固定板上，在通过上方的夹具对铝板幕墙进行夹持，设置的防滑管能够增加活动夹、夹具与所夹持的铝板幕墙之间的接触面积，从而起到防滑的作用，方便操作者对铝板幕墙进行定位以及安装，解决了现有的铝板幕墙定位装置不能满足对尺寸不同的铝板幕墙的固定作业的问题。
一种幕墙定位安装结构

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