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[发明专利]一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN-PHT材料的制备方法-CN202210844665.5有效
发明人：魏永星;闫俊龙;靳长清;张华伟;扈琳;南瑞华;高玲 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN‑PHT材料的制备方法，依次经过配料、预合成、造粒并压坯、排粘、埋烧烧结等步骤制备而成，本发明摒弃了传统的前驱体NiNb2O6和Hf0.3Ti0.7O2合成步骤，不仅使得制备过程简单，易于控制，且对于现有的前驱体制备方法来说，杂相形成更易于控制，过程重复性更高，适用于产业化推广应用，本发明制备的陶瓷材料具有纯相的钙钛矿相结构，材料性能优异，压电常数超过850pC/N，远高于多数的压电材料，平板机电耦合系数高，介电损耗低，去极化温度高。本发明适用于制备弛豫铁电体PNN‑PHT材料。
一种具备超高压电常数铁电体 pnn pht 材料制备方法

[发明专利]一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法-CN202210418717.2有效
发明人： 南瑞华;武春燕;王恒;张曦;靳长清;坚增运 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法，其化学式为CH3NH3PbCl3，在晶体制备过程中引入高质量籽晶，通过籽晶并在制备中采用逆温差结晶法制备CH3NH3PbCl3单晶，该方法工艺简单，晶体生长温度较低，过程可控，晶体质量高，单晶尺寸可达厘米级，且单晶具有高度的择优取向，具有良好的光电性能、大的禁带宽度、好的耐辐照特性，可以更好满足辐射探测器的应用要求，在强辐射场环境使用更具有优势。
一种具有择优取向尺寸质量辐射探测器用胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法

[发明专利]一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法-CN202010498252.7有效
发明人：魏永星;张宁;靳长清;扈琳;南瑞华;高玲;许岗 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有温度稳定性的BKT基储能电介质材料及其合成方法，该材料的化学通式为(1‑x)(0.5Bi0.5K0.5TiO3‑0.5SrTiO3)‑xBi(Zn0.5Ti0.5)O3；根据所述化学通式中各元素的摩尔比称量原料；将称量好的各原料混合，并球磨至各原料充分混合，烘干球磨后的浆液，得到混合粉；将所述混合粉进行预合成并自然冷却，得到烧结料；依次对所述烧结料进行粉碎、造粒和压制，得到素坯；将所述素坯升温至500℃并保温5h进行排粘，并自然冷却；加热排粘后的素坯至1150～1180℃并保温2～3h，自然冷却后，得到所述储能电介质材料；本发明的电介质材料兼具高储能密度、高储能效率及良好温度稳定性。
一种具有温度稳定性 bkt 基储能电介质材料及其合成方法

[发明专利]一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法-CN202110243322.9有效
发明人： 南瑞华;王恒;申红霞;王吉;扈琳;靳长清;坚增运;魏永星 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料，其化学式为CH3NH3(PbxTm1‑x)(BryI1‑y)3，其中，x＝0.91，y＝0.451‑1，该材料性能稳定，具有较好的电阻率和较低的漏电流，电阻率可达4.79×108Ω·cm，漏电流可达56nA；本发明还提供了该晶体材料的制备方法，配置含有溴元素和碘元素的前驱液并将其混合形成混合液，将稀土氧化物Tm2O3混合至该混合液中，过滤后将其置于加热水箱中加热使晶体生长，干燥后即得到晶体材料，制备工艺简单，过程易于控制，在晶体生长过程中通过三段升温控制方法使得晶体生长过程稳定，生长的晶体质量较高，性能好，成本低。
一种稀土掺杂辐射探测器用卤素杂化钙钛矿晶体材料及其制备方法

[实用新型]一种浮球液位开关及采用该开关的路面积水报警系统-CN201420636623.3有效
发明人： 南瑞华;陈辉;徐秀南;南杰骞 -专利权人： 南瑞华;陈辉
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01H35/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种体积小、灵敏度高的浮球液位开关以及采用该开关的路面积水报警系统。浮球液位开关包括有密封箱、绝缘座、上下触点以及浮球，上下触点分别通过上下连接条安装于绝缘座上，绝缘座安装于密封箱内，其特征在于：绝缘座上安装有与上下连接条处于同一侧的翘板，翘板一端固定连接在绝缘座上，另一端为触动端，翘板的触动端与连杆传动连接；路面积水报警系统，除了包括有上面所述的浮球液位开关外，还包括有显示器与蜂鸣器，显示器、蜂鸣器以及浮球液位开关与电源串联。该浮球液位开关体积小、灵敏度高；而采用这种开关的积水报警系统警示效果显著。
一种浮球液位开关采用路面积水报警系统

[发明专利]一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法-CN201410082226.0有效
发明人：许岗;谷智;南瑞华;李高宏;陈卫星;王素敏;王奇观;冯启蒙;郭炎飞 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B28/04 文献下载
摘要：本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明克服现有技术存在的溶液析出时溶剂的污染和反应副产物难以去除的问题。本发明提供了一种多晶碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物黄色氧化汞（HgO）和氢碘酸（HI）为基本原料，通过调整加入到体系HI的浓度，控制HgO和HI的反应速率，从而生成细小的碘化汞颗粒。生成的碘化汞颗粒在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。
一种多晶碘化薄膜籽晶制备方法