专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种晶体生长用溴化铋的提纯方法及应用-CN202310559208.6在审
  • 胡章贵;南娓娜;周伯儒;李超;付情;叶宁;吴以成 - 天津理工大学
  • 2023-05-18 - 2023-08-29 - C01G29/00
  • 本申请涉及卤化物原料提纯技术领域,具体涉及一种晶体生长用溴化铋的提纯方法及应用。具体为:将装有溴化铋原料的容器放置于真空加热设备中,启动真空加热设备,并依次进行升温、保温、降温过程,所述真空加热设备至少设有一组高温区和低温区,所述容器同时穿过至少一组高温区和低温区。通过在密闭环境中的升温,使溴化铋在高温区气化,而杂质无法气化,在真空状态下,气相的溴化铋可以快速的移动到达低温区后由于温度的降低,从而形成固相的溴化铋,沉积在石英管的管口,完成分离提纯的操作。该方法提纯得到的溴化铋原料的杂质浓度显著下降,并且用纯化后的溴化铋原料生长的晶体质量更优。
  • 一种晶体生长用溴化铋提纯方法应用
  • [发明专利]一种高质量Cs3-CN202310340625.1在审
  • 周伯儒;张梁;南娓娜 - 天津理工大学
  • 2023-04-03 - 2023-06-23 - C30B11/00
  • 本申请涉及晶体生长技术领域,具体公开了一种高质量Cs3Cu2I5单晶的生长方法。针对现有技术生长Cs3Cu2I5晶体时因熔体成分偏差及不均匀、原料易潮解等导致晶体质量差的问题,本发明提出采用摇摆炉合成和真空加热干燥技术控制晶体的化学计量比和消除杂质,制备出原料化合充分、成分均匀的高纯Cs3Cu2I5多晶料,进而生长出高质量Cs3Cu2I5单晶。本发明步骤如下:首先将经过真空加热干燥技术处理后的CsI和CuI原料密封在石英坩埚中,然后装入摇摆炉升至原料熔点之上,按设定的摇摆参数进行摇摆混匀和化合反应,获得成分均匀的Cs3Cu2I5多晶锭,将多晶锭放入单晶生长炉内,设定生长控制参数进行单晶生长,最终生长出了高质量的Cs3Cu2I5单晶。
  • 一种质量csbasesub
  • [发明专利]一种均匀掺杂Fe2+离子的硒化锌单晶制备工艺-CN202211205313.1在审
  • 周伯儒;杨达;南娓娜;李玉贤;张梁;胡章贵;吴以成 - 天津理工大学
  • 2022-09-28 - 2022-12-06 - C30B11/00
  • 本申请涉及晶体生长技术领域,具体公开了一种均匀掺杂Fe2+离子的硒化锌单晶制备,包括步骤:首先对石英合料坩埚和生长坩埚进行清洗并镀碳膜,然后进行干燥处理;将称量的溶剂、Fe2+化合物和硒化锌多晶颗粒装入合料坩埚中,抽真空并密封,然后装入合料炉内,通过缓慢摇摆使过Fe2+离子在溶剂中分布均匀,达到预混匀目的,获得熔区料;将预混合的熔区料、ZnSe多晶颗粒依次装入生长坩埚,抽真空并密封,然后装入生长炉内开始晶体生长。在ZnSe生长过程中引入溶剂,不仅显著降低生长温度,减少晶体结构缺陷的形成,更有利于Fe2+离子的均匀分布。采用本申请的制备方法生长获得的Fe2+离子掺杂的ZnSe单晶,具有掺杂离子均匀、晶体光学质量优异等优点。
  • 一种均匀掺杂fe2离子硒化锌单晶制备工艺

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