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[实用新型]一种VDMOS器件-CN202021577536.7有效
发明人：姜岩峰;李茹;姜淋馨 -专利权人： 南京明尼晶磁电子科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种VDMOS器件，具有场板结构，该结构能够起到屏蔽与补偿可动离子的作用，仿真结果显示该结构能有效降低器件的表面电场强度。技术方案包括：N型芯片衬底，所述N型芯片衬底上设有至少两道P型沟槽，每道P型沟槽内设有N型栅区；栅极氧化层，覆盖于N型芯片衬底上，遮覆P型沟槽；栅极接触电极，覆盖于栅极氧化层上；场氧化层，覆盖于栅极接触电极上；源极接触电极，覆盖于场氧化层上，源极接触电极上设有凹陷，用于与有源区部分导电连通。
一种 vdmos 器件

[实用新型]一种基于MTJ器件的神经信号放大器及脑机接口系统-CN202021329648.0有效
发明人：姜岩峰;李茹;姜淋馨 -专利权人： 南京明尼晶磁电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于MTJ器件的神经信号放大器及脑机接口系统，属于生物信号处理技术领域。该放大器设置了两条反馈回路，其中的伪电阻RH采用MTJ和MOS管组成，针对低于300Hz的频段内的信号，根据其幅值进行选择性的放大，即只对高脉冲的神经动作信号进行有效识别并放大。伪电阻RH采用MTJ和MOS管串联构成，缓解了MOS电流正负向不匹配的问题，噪声更低，减小了放大器的失真，还降低了对神经信号的干扰。由于伪电阻具有极高的电阻，电容C2不需要很大的面积就能实现一个很低的低频截止点，一定程度上减少了芯片面积，另外，本申请MTJ采用MEMS工艺直接制作在第四、五层金属中，也减少了芯片面积的占用。
一种基于 mtj 器件神经信号放大器接口系统

[实用新型]一种新型高速光电耦合集成电路-CN202021329094.4有效
发明人：姜岩峰;李茹;姜淋馨 -专利权人： 南京明尼晶磁电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H03K19/013 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型高速光电耦合集成电路，由电流偏置电路、跨阻电路、比较器电路、整形缓冲电路依次级联；所述跨阻电路采用电流复用可控共源共栅跨阻，包括上下对称的两部分，每一部分包括：跨阻偏置电路、跨阻负反馈、电容，跨阻电路的输入级与电流偏置电路、跨阻负反馈连接，所述镜像电流电路与输入级之间连接有一交流耦合电容器；比较器电路包括：偏置电路，放大电路，比较器电路的输入级串联一个有源负载，输入端与放大电路连接；所述整形电路由两级反相器构成。本实用新型将电流复用的方法应用于RGC跨阻放大器，改善互阻性能并获得更高的响应度和整体系统转换增益，同时实现相同的系统带宽。
一种新型高速光电耦合集成电路

[发明专利]一种基于MTJ器件的神经信号放大器-CN202010654203.8在审
发明人：姜岩峰;李茹;姜淋馨 -专利权人： 南京明尼晶磁电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MTJ器件的神经信号放大器，属于生物信号处理技术领域。该放大器设置了两条放大器反馈回路，其中的伪电阻RH采用MTJ和MOS管组成，针对低于300Hz的频段内的信号，根据其幅值进行选择性的放大，即只对高脉冲的神经动作信号进行有效识别并放大。因为伪电阻RH采用MTJ和MOS管串联构成，所以缓解了MOS电流正负向不匹配的问题，噪声更低，减小了放大器的失真，还降低了对神经信号的干扰。由于伪电阻具有极高的电阻，电容C2不需要很大的面积就能实现一个很低的低频截止点，一定程度上减少了芯片面积，另外，本申请MTJ采用MEMS工艺直接制作在第四、五层金属中，也减少了芯片面积的占用。
一种基于 mtj 器件神经信号放大器

[发明专利]一种VDMOS器件-CN202010763057.2在审
发明人：姜岩峰;李茹;姜淋馨 -专利权人： 南京明尼晶磁电子科技有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS器件及制备方法，具有场板结构，该结构能够起到屏蔽与补偿可动离子的作用，仿真结果显示该结构能有效降低器件的表面电场强度。技术方案包括：N型芯片衬底，所述N型芯片衬底上设有至少两道P型沟槽，每道P型沟槽内设有N型栅区；栅极氧化层，覆盖于N型芯片衬底上，遮覆P型沟槽；栅极接触电极，覆盖于栅极氧化层上；场氧化层，覆盖于栅极接触电极上；源极接触电极，覆盖于场氧化层上，源极接触电极上设有凹陷，用于与有源区部分导电连通。
一种 vdmos 器件

[发明专利]一种新型高速光电耦合集成电路-CN202010649106.X在审
发明人：姜岩峰;李茹;姜淋馨 -专利权人： 南京明尼晶磁电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H03K19/013 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高速光电耦合集成电路，由电流偏置电路、跨阻电路、比较器电路、整形缓冲电路依次级联；所述跨阻电路采用电流复用可控共源共栅跨阻，包括上下对称的两部分，每一部分包括：跨阻偏置电路、跨阻负反馈、电容，跨阻电路的输入级与电流偏置电路、跨阻负反馈连接，所述镜像电流电路与输入级之间连接有一交流耦合电容器；比较器电路包括：偏置电路，放大电路，比较器电路的输入级串联一个有源负载，输入端与放大电路连接；所述整形电路由两级反相器构成。本发明将电流复用的方法应用于RGC跨阻放大器，改善互阻性能并获得更高的响应度和整体系统转换增益，同时实现相同的系统带宽。
一种新型高速光电耦合集成电路