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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]顺序等离子体及热处理-CN202280014811.X在审
发明人：李宁;张帅迪;米哈伊拉·A·巴尔塞努;高琦;拉杰什·普拉萨德;北岛知彦;姜昌锡;德文·马修·拉吉·米塔尔;沈揆夏 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了制造存储器器件的多种方法。这些方法改善选择性沉积的含硅介电层的品质。该方法包括在膜堆叠的凹陷区域中选择性地沉积含硅介电层。然后，将该选择性沉积的含硅介电层暴露于在高于800℃的温度下退火的高密度等离子体，以提供湿蚀刻速率小于4埃/分的含硅介电膜。
顺序等离子体热处理

[发明专利]用于3D NAND的选择栅极分离-CN202280019364.7在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦;李吉镛;傅倩;康宋坤;越泽武仁;弗雷德里克·费什伯恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：描述一种存储器串，其包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中的至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的字线及介电材料。存在至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管，其在延伸穿过存储器堆叠的第一垂直孔中，漏极选择栅极(SGD)晶体管包括第一栅极材料。至少一个存储器晶体管在延伸穿过存储器堆叠的第二垂直孔中，至少一个存储器晶体管包括与第一栅极材料不同的第二栅极材料。
用于 nand 选择栅极分离

[发明专利]用于3D NAND的选择栅极隔离-CN202180050890.5在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：描述一种存储器串，在延伸穿过基板上的存储器堆叠的垂直孔中包括至少一个漏极选择栅极(SGD)晶体管及至少一个存储器晶体管。存储器堆叠包括交替的非替换字线及替换绝缘体。经填充狭缝延伸穿过存储器堆叠，且在存储器堆叠中存在与该经填充狭缝相邻的至少两个漏极选择栅极(SGD)隔离区域。漏极选择栅极(SGD)切口被图案化至存储器堆叠中的顶部数对交替层中。经由切口开口，去除存储器堆叠的牺牲层，且使用绝缘层填充该开口。
用于 nand 选择栅极隔离

[发明专利]3D DRAM结构和制造方法-CN202180013738.X在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦;妮琴·K·英吉;姜声官 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：描述了并入桥接的字线的存储器装置。所述存储器装置包括：多个有源区域，所述多个有源区域沿着第一方向、第二方向、和第三方向隔开。多个导电层被布置为使得至少一个导电层沿着所述第三方向与所述有源区域的每一者的至少一侧相邻。导电桥接器沿着所述第二方向延伸以将所述导电层的每一者连接到一个或更多个相邻的导电层。一些实施方式包括集成的蚀刻终止层。也描述了形成堆叠的存储器装置的方法。
dram 结构制造方法

[发明专利]三维NAND结构制造的方法与设备-CN202080030750.7在审
发明人：小泽武仁;穆昆德·斯里尼瓦桑;北岛知彦;姜昌锡;姜声官;吉尔·Y·李;苏米特·辛格·罗伊 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本文提供了用于形成多个非易失性储存单元的方法和设备。在某些实施方式中，方法例如包括形成多个非易失性储存单元，包括在基板上形成金属层交替的堆叠，金属层包括第一金属层和不同于第一金属层的第二金属层；去除第一金属层以在第二金属层的交替层之间形成空间；以及沉积第一材料层以部分地填充空间以在其中留有气隙或沉积第二材料层以填充空间这两步骤之一。
三维 nand 结构制造方法设备

[发明专利]3-D NAND模具-CN202080024449.5在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦;穆昆德·斯里尼瓦桑;桑杰·纳塔拉扬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：提供了制造存储器装置的方法。所述方法减小第一层的厚度并且增大第二层的厚度。半导体装置被描述为具有：膜堆叠，所述膜堆叠在所述装置的第一部分中，包括交替的氮化物层和第二层，所述膜堆叠的所述交替的氮化物层和第二层具有氮化物∶氧化物厚度比(Nf∶Of)；和存储器堆叠，所述存储器堆叠在所述装置的第二部分中，包括交替的字线层和第二层，所述存储器堆叠的所述交替的字线层和第二层具有字线∶氧化物厚度比(Wm∶Om)，其中0.1(Wm∶Om)＜Nf∶Of＜0.95(Wm∶Om)。
nand 模具

[发明专利]具有高迁移率沟道的3D DRAM结构-CN202080011760.6在审
发明人：姜昌锡;北岛知彦;李吉镛;桑杰·纳塔拉扬;姜声官;刘乐群 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：描述了一种存储器装置。所述存储器装置包括延伸穿过交替的存储器层和介电层的堆叠的多个位线。存储器层的每一者包括单晶状硅层，且包括第一字线、第二字线、第一电容器和第二电容器。还描述了形成堆叠存储器装置的方法。
具有迁移率沟道 dram 结构

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