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[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用-CN202310913098.9有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。
一种碳化硅复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法-CN202311181675.6在审
发明人：范博珺;高文琳;母凤文;郭超 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法。该化学机械抛光装置包括抛光台、抛光垫、抛光头、氧化组件和抛光液组件，抛光垫设置于抛光台上；抛光头用于吸附晶圆的背面，抛光头能够旋转，并使晶圆压向抛光垫；氧化组件包括混气腔体、臭氧气源件和氢气气源件，臭氧气源件通过第一管路与混气腔体连通，氢气气源件通过第二管路与混气腔体连通，混气腔体的顶部安装有射频电源件，混气腔体的内部安装有紫光灯；抛光液组件用于向抛光垫上喷淋抛光液。本发明提供的化学机械抛光的方法采用上述化学机械抛光装置进行。该化学机械抛光装置，通过设置氧化组件，有效提高了对晶圆表面的氧化效率。
化学机械抛光装置方法

[实用新型]间隙可调的送料牵引辊组-CN202322464360.4有效
发明人：鲁金鑫;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65H20/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及送料设备技术领域，具体公开了间隙可调的送料牵引辊组。该送料牵引辊组用于传送待传送产品，包括固定组件、调节块和活动组件；固定组件包括第一固定架和驱动辊，驱动辊能绕工作方向转动；调节块能沿调节方向移动，调节块上转动连接有能绕工作方向转动的第一传动件，驱动辊与第一传动件带传动连接；活动组件能沿调节方向移动，活动组件包括活动架和能绕工作方向转动的从动辊，活动架上转动连接有能绕工作方向转动的第二传动件，从动辊与第二传动件带传动连接，第一传动件能与第二传动件啮合连接，驱动辊和从动辊分别从待传送产品的两侧夹紧待传送产品。该送料牵引辊组用于实现驱动辊与从动辊的间隙调节，以扩展适用的场景。
间隙可调牵引

[发明专利]一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法-CN202310967532.1有效
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法，所述方法包括以下步骤：（1）依次连接籽晶、石墨托和籽晶杆；（2）在石墨坩埚内制备Si合金溶液；（3）下降籽晶杆，利用Si合金溶液浸润籽晶和石墨托；（4）提拉籽晶杆，在籽晶的上表面和石墨托的侧壁形成SiC粘接体；（5）旋转籽晶杆，在籽晶的下表面生长SiC晶体。本发明通过改变传统的工艺步骤，在生长SiC晶体之前形成SiC粘接体，有效避免了溶液法生长6英寸及以上碳化硅晶体过程中发生籽晶和晶体掉落的现象，提升了长晶过程的成功率和安全性，有利于大规模推广应用。
一种溶液生长碳化硅过程防止籽晶掉落方法

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用-CN202310913101.7有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述制备方法包括以下步骤：在中间牺牲层的表面两侧制备单晶碳化硅薄层，分别记为第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层，所述第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层分别与所述中间牺牲层键合连接，得到键合组件；在所述键合组件的表面两侧生长多晶碳化硅层，所述多晶碳化硅层中含有游离C相；去除所述键合组件中的中间牺牲层，得到两个所述复合碳化硅衬底。该制备方法可避免多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间的接合界面，成功率高，成本低。基于该方法制备的复合碳化硅衬底具有较低的电阻率，多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间结合紧密、牢固，可实现工业化生产。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置-CN202210551153.X有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置，所述制造方法包括如下步骤：在保护性气氛中，使用含硅溶液交替生长单晶层与多晶层；切片，得到包括单晶层与多晶层的复合基板，复合基板中单晶层的数量与多晶层的数量相等；所述制造装置适用于所述制造方法，通过本发明提供的制造方法制备碳化硅复合基板，由于采用单晶层与多晶层交替生长的方式，生长至一定厚度的时间远小于生长单一的单晶碳化硅，且通过切片即可得到复合基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
一种碳化硅复合制造方法装置

[实用新型]晶体称重装置及系统-CN202322365140.6有效
发明人：梁爽;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本实用新型属于长晶炉技术领域，公开了一种晶体称重装置及系统。该晶体称重装置包括支撑座、衬套、磁流体密封件、真空室、旋转提拉机构和称重传感器，两个衬套分别设于支撑座的两端，衬套内密封滑动连接有导向轴；磁流体密封件与支撑座间隔设置，且磁流体密封件与导向轴连接；真空室设于磁流体密封件远离支撑座的一侧；旋转提拉机构包括旋转轴组件和第一驱动件，旋转轴组件的第一端穿过支撑座并密封穿过所述磁流体密封件的中心处后伸入真空室内，旋转轴组件的第一端设置有晶体；称重传感器设于支撑座和磁流体密封件之间，且称重传感器位于衬套的内侧。本实用新型提供的晶体称重系统包括上述晶体称重装置，提高了称重精度。
晶体称重装置系统

[发明专利]一种碳化硅单晶生长装置及生长方法-CN202310761937.X有效
发明人：吴江;乔建东;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及生长方法，包括坩埚主体，用于盛放及加热碳化硅原料，坩埚主体内设置有阻流元件，将坩埚主体的内腔分为由上至下的生长腔与原料腔，阻流元件开设有连通生长腔与原料腔的开口，生长腔用于生长碳化硅晶体，原料腔内填充碳化硅原料；原料腔内设置有Si源补充容器，Si源补充容器与阻流元件之间形成气体通道，Si源补充容器埋覆于所述碳化硅原料内，Si源补充容器内填充有含硅粉料，含硅粉料的Si组分与碳化硅原料在坩埚主体的加热下升华，经过气体通道并由开口上升至生长腔内。本发明解决了因碳化硅粉料碳化导致的晶体内碳包裹物数量超标的问题，极大提高了碳化硅晶体质量。
一种碳化硅生长装置方法

[发明专利]一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法-CN202310797410.2有效
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。
一种碳化硅晶体生长抑制表面台阶方法

[发明专利]溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置-CN202311041163.X在审
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01P13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置，观察方法包括：对硅合金溶液进行保温，使硅合金溶液表面析出碳化硅晶体；通过调整硅合金溶液内温度梯度、施加电磁搅拌、旋转籽晶杆或旋转坩埚来改变硅合金溶液的流动参数，同时采用照相设备进行拍摄，得到含有流场参数的照片，实现对溶液流动的观测；其中，硅合金溶液的温度为1700‑2100℃；保温的时间为1‑3h；析出碳化硅晶体的溶液面积为硅合金溶液表面面积的30‑60%。本发明提供的观察方法，通过观察碳化硅晶体在硅合金溶液表面的流动过程，获得了溶液法生长碳化硅晶体过程中不同工艺条件下硅合金溶液的流动特点，具有流程简单，实现成本低的优点。
溶液生长碳化硅晶体流动观察方法装置

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用-CN202310943228.3在审
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后，完成碳化硅籽晶的粘接；所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点，大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度，有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体，且在使用加减速旋转条件时，SiC籽晶和晶体掉落的情况。
一种碳化硅籽晶方法应用

[发明专利]一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用-CN202310935008.6在审
发明人：乔建东;吴江;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅长晶用原料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：将粒径为8‑40目的碳化硅粉料装填至模具中，然后进行预压，得到预压块体；将所述预压块体进行热压，得到所述碳化硅长晶用原料。本发明所述制备方法能够得到颗粒间结合力大且孔隙率可调的碳化硅长晶用粉料块体，该块体作为原料长晶时，经碳化后很难被温度梯度驱动带入到晶体生长的界面，有效解决了来自碳化硅粉料碳化的碳颗粒包裹物缺陷，因其多孔性，保证了气相组分的升华量和物质输运通道的畅通，提高了晶体的良率和晶片的产率。
一种碳化硅长晶用原料及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用-CN202310619498.9在审
发明人：母凤文;刘洋;郭超 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓薄膜及其生长方法和应用，属于半导体技术领域，所述生长方法包括以下步骤：（1）在第一衬底表面一次外延生长第一氧化镓薄膜；（2）通过表面活化，将所述第一氧化镓薄膜和所述第二衬底键合；其中，所述第一衬底的热导率小于所述第二衬底的热导率；（3）将部分第一氧化镓薄膜剥离，于所述第二衬底的表面得到第二氧化镓薄膜；（4）在所述第二氧化镓薄膜的表面进行二次外延生长，得到第三氧化镓薄膜。本发明通过键合、剥离的层转移法在热导率高的第二衬底上得到了高质量氧化镓薄膜，解决了第一衬底自身热导率差的问题，以及薄膜质量差的问题，有效提高了氧化镓薄膜的散热效率和使用寿命。
一种氧化薄膜及其生长方法应用

[发明专利]一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法-CN202310601968.9在审
发明人：刘洋;郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统及方法，所述的多源雾化气相沉积氧化镓薄膜的制备系统包括依次连接的雾化单元与反应单元；雾化单元包括至少一个雾化容器，雾化容器内设置有至少两个雾化模块，至少两个雾化模块分别独立地包括溶液罐与超声波发生机构，溶液罐具有敞口结构，溶液罐内容纳有原料溶液，切换不同雾化模块的超声波发生机构雾化溶液罐内的原料溶液形成雾气，雾气流入反应单元内，以生长依次层叠的至少两层氧化物膜层，或生长具有至少两种掺杂金属的合金氧化物薄膜。本发明提供多种雾化源，可以控制不同浓度配比、不同掺杂金属的原料溶液进行雾化，能够得到具有多层膜层的氧化物膜或合金氧化物薄膜。
一种雾化沉积氧化薄膜制备系统方法

[发明专利]一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置-CN202210124257.2有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人： 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G06F30/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种模拟晶体的生长方法、晶体的生长方法及装置。该模拟晶体的生长方法包括：建立晶体生长计算流体力学模型，其中，所述晶体生长计算流体力学模型的虚拟晶体生长环境模拟实际晶体生长环境；虚拟晶体每生长第一预设时间，根据虚拟晶体中至少一个生长界面的当前形状，对当前时刻之前的长晶工艺参数进行调整；虚拟晶体每生长第一预设时间，将调整之后的长晶工艺参数作为所述虚拟晶体继续生长的长晶工艺参数。本发明实施例提供的技术方案实现了一种可以准确模拟晶体生长全程的情况，并且对于实际晶体生长的全过程的长晶工艺参数具有指导价值的模拟晶体的生长方法。
一种模拟晶体生长方法装置

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