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[发明专利]晶圆键合的欧姆接触电极退火方法-CN202111591899.5在审
发明人：王晓东;赵永强;刘雯;包怡迪;陈啸岭;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合的欧姆接触电极退火方法，包括：将III‑V族外延片的待键合面与Si晶圆的待键合面对齐贴合形成预键合晶片；在第一预设温度下，对预键合晶片施加第一预设压力并保持第一预设时间段形成键合晶片；在III‑V族外延片的外表面上形成第一金属电极，在Si晶圆的外表面上形成第二金属电极，以形成预退火键合晶片；在第二预设温度下，对预退火键合晶片施加第二预设压力并保持第二预设时间段以进行退火，形成具有欧姆接触电极的键合晶片。本发明提供的晶圆键合的欧姆接触电极退火方法实现了退火温度与晶圆键合的温度的适配，可以得到工艺稳定的键合晶片，以及接触电阻低的欧姆接触电极。
晶圆键合欧姆接触电极退火方法

[发明专利]一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构及其制备方法-CN202110427659.5在审
发明人：王晓东;包怡迪;刘雯;赵永强;魏磊;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度。本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
一种适用于 inas gaassb 量子太阳能电池结构及其制备方法