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- [发明专利]电源集成电路、控制集成电路及其监测方法-CN202210396586.2在审
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谢秉錞;李允国
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力智电子股份有限公司
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2022-04-15
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2023-10-27
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H02M1/00
- 本发明提供一种电源集成电路、控制集成电路及其监测方法。电源集成电路通过第一多功能接脚耦接控制集成电路。电源集成电路包括监测电路、第一信息产生电路以及第一切换电路。监测电路监测电源集成电路且提供至少一个监测信号与第一切换信号。第一信息产生电路提供第一信息信号。在第一状态下,第一信息产生电路通过第一切换电路耦接第一多功能接脚,且提供第一信息信号至控制集成电路。在第二状态下,监测电路通过第一切换信号控制第一切换电路,使监测电路通过第一切换电路耦接第一多功能接脚,以提供至少一个监测信号至控制集成电路。本发明的集成电路、控制集成电路及其监测方法可增加监测信号回报的种类从而提升电路保护能力。
- 电源集成电路控制及其监测方法
- [发明专利]直流-直流转换电路及其时间信号产生器-CN201811415834.3有效
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张志廉;洪伟修
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力智电子股份有限公司
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2018-11-26
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2023-10-20
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H03K7/08
- 本发明公开了一种直流‑直流转换电路及其时间信号产生器。时间信号产生器产生时间信号以使直流‑直流转换电路将输入电压转换为输出电压。直流‑直流转换电路耦接负载并有负载电流流经负载。时间信号产生器包括模拟数字转换单元、补偿单元、计数单元、比较单元及逻辑单元。模拟数字转换单元分别接收输出电压、输入电压及负载电流并分别转换为相对应的数字信号。补偿单元分别接收该些数字信号并进行运算处理,以产生补偿信号。计数单元依据时钟信号与触发信号来提供计数信号。比较单元接收补偿信号与计数信号以提供比较信号。逻辑单元接收触发信号与比较信号以提供时间信号。本发明可有效提升直流‑直流转换电路运作于重载稳态时的电源转换效率。
- 直流转换电路及其时间信号产生器
- [发明专利]电池保护电路及电池保护方法-CN202210270637.7在审
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蔡育筑
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力智电子股份有限公司
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2022-03-18
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2023-09-22
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H02J7/00
- 一种电池保护电路及电池保护方法,电池保护电路的多个供电接脚分别耦接多个彼此串联的电池单元。电池保护电路包括比较电路、切换电路、电流源及多个开关。切换电路分别耦接这些供电接脚及比较电路,用以分别在多个不同的第一期间将这些供电接脚中相邻两接脚间的跨压输入至比较电路。电流源提供放电电流。该些开关耦接于这些供电接脚与电流源之间。该些开关分别在多个不同的第二期间导通,以使得这些供电接脚分别连接电流源。第一期间小于第二期间且第二期间包含多个第一期间。比较电路在每个第一期间中使用跨压作为工作电压,且对连接电流源的供电接脚进行断线侦测。本发明能大幅降低电路面积及功耗,还能同时兼顾低功耗与高精准度的需求。
- 电池保护电路方法
- [发明专利]低压降稳压器-CN202210214800.8在审
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吴佳龙
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力智电子股份有限公司
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2022-03-04
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2023-09-12
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G05F3/26
- 本发明提供一种低压降稳压器。低压降稳压器包括误差放大器、高侧开关、高侧驱动器、高侧电流传感器、高侧驱动电压调整电路、低侧开关以及低侧驱动器。误差放大器耦接输出端,且根据输出电压及参考电压产生第一及第二控制电流。高侧开关耦接输入电压源以及输出端之间。高侧驱动器耦接误差放大器与高侧开关的控制端之间,且根据第一及第二控制电流提供高侧驱动电流。高侧电流传感器耦接高侧开关,且产生高侧传感电流。高侧驱动电压调整电路耦接高侧开关的控制端,且接收高侧传感电流,以调整高侧开关的驱动电压。低侧开关耦接输出端与接地端之间。低侧驱动器耦接误差放大器与低侧开关的控制端之间,且根据第一及第二控制电流提供低侧驱动电流。
- 低压稳压器
- [发明专利]驱动装置的电位转换电路-CN202210133700.2在审
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冯绍霖
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力智电子股份有限公司
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2022-02-14
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2023-08-22
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H03K19/0175
- 本发明提供驱动装置的电位转换电路。电位转换电路包括第一脉冲产生器、第一电位转换器、第二脉冲产生器、第二电位转换器及判断电路。第一脉冲产生器根据高压信号提供第一输入信号。第一输入信号包括具有第一电流电平的脉冲波形及接续在脉冲波形后的具有第二电流电平的电流波形。第一电位转换器接收第一输入信号以产生第一指示信号。第二脉冲产生器根据高压信号提供第二输入信号。第二输入信号包括脉冲波形及接续在脉冲波形后的电流波形。第二电位转换器接收第二输入信号以产生第二指示信号。判断电路根据第一指示信号及第二指示信号产生低压信号。本发明的电位转换电路可有效避免后端的逻辑电路的输出误判,且提供使用此电位转换电路的驱动装置。
- 驱动装置电位转换电路
- [发明专利]多芯片封装结构-CN202111531351.1在审
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刘译淇
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力智电子股份有限公司
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2021-12-15
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2023-05-23
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H01L23/31
- 本发明提供一种多芯片封装结构,包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、导电件、绝缘接合层以及封装材料。第一半导体芯片为倒晶配置且具有第一表面与第二表面,第一表面具有第一电极,第二表面具有第二电极与第三电极,第一表面上具有背金属层电连接第一电极。第二半导体芯片包括第二金氧半导体组件,且具有第三表面,第三表面具有第四电极。导电件配置于背金属层上,电连接背金属层与第四电极。部分的背金属层不被导电件覆盖从而形成多个暴露部。绝缘接合层设置于至少部分的暴露部上。封装材料覆盖绝缘接合层及至少部分的导电件。本发明可减少分层现象,让多芯片封装结构具有更好的可靠性。
- 芯片封装结构
- [发明专利]封装结构-CN202111216658.2在审
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庄咏程
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力智电子股份有限公司
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2021-10-19
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2023-04-21
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H01L23/367
- 本发明提供一种封装结构具有第一表面及相对第一表面的第二表面,其包括第一重布线结构、第二重布线结构、第一芯片以及第二芯片。第一重布线结构位于第一表面上,第二重布线结构位于第二表面上。第一芯片包括第一MOS组件,并具有第一电极。第二芯片倒装设置于封装结构中,第二芯片包括第二MOS组件并具有第二电极及第三电极,第二电极与第三电极面向不同平面。第一电极与第三电极面向第一表面,并分别电连接第一重布线结构。第二电极面向第二表面,并电连接第二重布线结构。本发明的封装结构可减小封装结构的尺寸,并可改善电性及散热效能。
- 封装结构
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