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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]感测装置及其数据感测方法-CN201410139666.5在审
发明人：王博平;黄正达;林俊宏 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种感测装置及其数据感测方法，感测装置包括初始化电路、参考电流产生器及感测电路。初始化电路耦接至感测端，在放电时期将初始化电路从感测端放电至参考接地端，并且根据输出信号在预充电时期将该感测端预先充电至预设电压。参考电流产生器耦接至感测端，从感测端汲取参考电流。感测电路耦接至感测端，用以感测在感测端的电压以产生输出信号，其中感测端从记忆胞(memory cell)接收胞电流，此外预充电时期在放电时期之后。
装置及其数据方法

[发明专利]具有低涟波输出信号的电荷泵电压调整器与相关控制方法-CN201410848817.4在审
发明人：邵启意 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H02M1/14 文献下载
摘要：一种电荷泵电压调整器，包括：电荷泵电路、分压电路、模式决定电路、除频电路与选择电路。电荷泵电路接收一振荡信号并产生一输出信号。分压电路接收输出信号并产生第一分压与第二分压。模式决定电路决定电荷泵电压调整器操作于泵模式或检测模式，并产生一第一控制信号。其中，于泵模式时，泵致能信号激活并且选择电路将时钟脉冲信号转换为振荡信号；以及于检测模式时，检测置能信号激活且除频电路根据第一控制信号产生检测信号，使得选择电路将检测信号转换为振荡信号。
具有涟波输出信号电荷电压调整器相关控制方法

[发明专利]非易失性存储器装置及其抹除方法-CN201410507629.5在审
发明人：蔡裕雄;罗俊元 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器装置及其抹除方法。非易失性存储器装置包括多个存储器区块以及控制电压提供器。存储器区块配置在相同的井区，其中，各存储器区块包括多个存储器胞以分别接收多个控制线信号。控制电压提供器提供控制线信号至各第一存储器区块的存储器胞。当执行抹除操作，存储器区块的其中一个被选择以进行抹除动作，且控制电压提供器提供具有抹除控制电压的控制线信号至被选择的存储器区块，以及提供具有非抹除控制电压的控制线信号至未被选择的存储器区块，抹除控制电压及非抹除控制电压的电压电平相异。
非易失性存储器装置及其方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201410776215.2在审
发明人：郭瑞旻;罗俊元;许家荣;孙文堂 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括衬底、存储元件以及选择晶体管。存储元件位于衬底上。选择晶体管位于衬底上且与存储元件电连接。选择晶体管包括选择栅极、第一介电层以及第二介电层。选择栅极位于衬底上。第一介电层与第二介电层相邻，且位于选择栅极与衬底之间。第一介电层比第二介电层邻近存储元件，且第一介电层的厚度大于第二介电层厚度。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]单一多晶硅层非易失性存储器的阵列结构-CN201410606080.5在审
发明人：陈纬仁;李文豪 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种单一多晶硅层非易失性记忆的阵列结构，包括：一第一多次编程区块、一第二多次编程区块与一第一一次编程区块。第一多次编程区块连接至一第一字线、一第一源极线、一第一抹除线与多条位线；一第二多次编程区块连接至一第二字线、一第二源极线，其中该第二多次编程区块与该第一多次编程区块分享该第一抹除线与这些位线；以及一第一一次编程区块连接至一第三字线，其中该第一一次编程区块与该第一多次编程区块分享该第一源极线与这些位线。
单一多晶非易失性存储器阵列结构

[发明专利]快闪存储器装置-CN201410168060.4在审
发明人：景文澔;王世辰 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：提供一种快闪存储器装置。所述快闪存储器装置包含多个存储器单元区域。所述存储器单元区域中的每一个包含多个存储器单元、编程电压控制产生器和擦除电压控制产生器。所述存储器单元通过控制端点而接收编程控制电压以用于编程操作，且所述存储器单元通过擦除端点而接收擦除控制电压以用于擦除操作。所述编程电压控制产生器将所述编程控制电压提供到所述存储器单元，且所述擦除电压控制产生器将所述擦除控制电压提供到所述存储器单元。
闪存装置

[发明专利]非易失性内存单元-CN201410526645.9在审
发明人：徐德训;陈纬仁;陈学威;曹沐潆;陈英哲 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性内存单元，包含一P型基底；一N型井，设于所述P型基底中；以及一PMOS储存晶体管，设于所述N型井上。所述PMOS储存晶体管包含一浮栅以及一辅助栅紧邻着所述浮栅的一侧设置，其中所述浮栅以及所述辅助栅共同位于所述PMOS储存晶体管的一浮栅沟道上。所述辅助栅与所述浮栅之间有一空隙，使得所述辅助栅与所述浮栅至少在所述浮栅沟道正上方是彼此不相连、互相分隔开来。
非易失性内存单元

[发明专利]高电压电源控制系统-CN201410381195.9在审
发明人：杨青松;郭东政 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： G06F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电压电源控制系统包含微处理器单元、嵌入式非挥发性存储器及高电压驱动器。微处理器单元用以控制高电压电源控制系统的复数个高电压输出。嵌入式非挥发性存储器电性耦接于微处理器单元。高电压驱动器电性耦接于微处理器单元，并用以输出高电压电源控制系统的复数个高电压输出。高电压电源控制系统与逻辑制程兼容，且其非挥发性存储器及高电压驱动器仍可支持高电压的指令操作。
电压电源控制系统

[发明专利]具可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器-CN201410012754.9在审
发明人：陈纬仁;徐徳训;李文豪 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2014-01-10 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器，其包括：一基板结构；一浮动栅极晶体管，包括一浮动栅极、一栅极氧化层位于该浮动栅极下方、以及一沟道区域位于一N型阱区内；以及一抹除栅区域，包括一P型阱区与一n型源/漏区域，该n型源/漏区域连接至一抹除线电压，其中该浮动栅极向外延伸并相邻于该抹除栅区域；其中，该P型阱区与该N型阱区形成于该基板结构中，该栅极氧化层包括一第一部分位于该沟道区域上方，以及一第二部分位于该抹除栅区域上方，并且该栅极氧化层的该第一部分的厚度相异于该栅极氧化层的该第二部分的厚度。
可编程单一多晶硅层非挥发性存储器

[发明专利]闪存及其相关程划方法-CN201310535723.7有效
发明人：张哲维;张家福;蔡裕雄;许家荣 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存，包含：一程划电压产生器、多个存储单元、一限流单元与一多位程划控制单元。程划电压产生器于检测周期时提供固定值的程划电压，于程划周期时提供动态调整的该程划电压；多个存储单元接收该程划电压并于多条数据线上产生多个漏极电流与多个数据线电压；一限流单元连接至该些数据线，该限流单元接收一参考电流与一参考电压以控制该些漏极电流；以及，多位程划控制单元连接至该些数据线；其中，该多位程划控制单元于该检测周期时，检测出该些数据线电压中具最低电压值的数据线；并且，于该程划周期时，将该数据线电压作为一反馈电压传递至该程划电压产生器以产生动态调整的该程划电压。
闪存及其相关方法

[发明专利]非易失性存储器结构及其制造工艺-CN201310603377.1有效
发明人：陈纬仁;徐德训;陈志欣 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储器及其制造工艺，包括：一半导体基底，其上具有的一第一有源区、一第二有源区及一第三有源区是成列排列，该第一、第二及第三有源区由一隔离区相互隔开，该隔离区包括位于该第一有源区及该第二有源区之间的第一中介隔离区，以及位于该第二有源区及该第三有源区之间的第二中介隔离区；一选择栅晶体管形成于该第一有源区上；一浮栅晶体管形成于该第二有源区上，该浮栅晶体管是与该选择栅晶体管串接，该浮栅晶体管包括一浮栅，该浮栅是完全重叠覆盖住下方的第二有源区并部分重叠该第一及第二中介隔离区。
非易失性存储器结构及其制造工艺

[发明专利]集成电路设计保护装置及其方法-CN201310227528.8有效
发明人：郭东政;陈圣凯 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G06F21/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路设计保护装置，包括切换装置以及非易失性内存。切换装置包括M个输入端口、N个输出端口、N个多路复用器以及S个选择端。上述N个多路复用器的每个多路复用器包括I个输入端、一输出端以及至少一选择端。上述I个输入端耦接于上述M个输入端口中的I个输入端口。上述输出端耦接于上述N个输出端口中的一个输入端口。非易失性内存耦接于切换装置的S个选择端，用以提供多个选择码到切换装置。由此，只有集成电路设计者才知道正确的选择码，故可确实地提升集成电路于设计及制造的安全性，并防止集成电路设计被非法地复制或盗取。
集成电路设计保护装置及其方法

[发明专利]应用于非易失性存储器的一位存储单元及其相关控制方法-CN201210571629.2有效
发明人：吴孟益;温岳嘉;陈信铭;杨青松 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L27/112 文献下载
摘要：发明为一种应用于非易失性存储器的一位存储单元。一位存储单元具有一位线连接至串接的多个储存单元。每一个储存单元包括：一第一掺杂区、一第二掺杂区以及一第三掺杂区依序形成于一基板的一表面上，该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的一第一通道区上方具有一第一栅极结构并连接至一控制信号线。该第二掺杂区与该第三掺杂区之间的一第二通道区上方具有一第二栅极结构并连接至一反熔丝信号线。
应用于非易失性存储器一位存储单元及其相关控制方法

[发明专利]存储器架构与相关的串行直接存取电路-CN201210530663.5有效
发明人：蔡裕雄;黄柏豪;沈俊吉;黄志豪 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2012-12-10 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器架构与相关的串行直接存取电路。存储器架构包括一并行接口的存储器与一串行直接存取电路。串行直接存取电路包括一致能接点、一串行接点与一自动测试模块。致能接点接收一致能位，串行直接存取电路响应此致能位而选择性地致能与失能。当串行直接存取电路被致能时，串行接点串行地接续多个串行位，每一串行位关联于并行接口的多个并行接点之一；再者，自动测试模块可对存储器进行一内建测试，其是关联于串行位。
存储器架构相关串行直接存取电路

[发明专利]可编程可抹除的单一多晶硅层非挥发性存储器的制造方法-CN201310006216.4有效
发明人：徐德训;陈信铭;景文澔;陈纬仁 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开一种具可编程可抹除的单一多晶硅非挥发性存储器的制作方法，包括下列步骤：在一第一型基板中定义一第一区域与一第二区域；在该第一区域中形成一第二型阱区；在该第一区域的表面上形成一第一栅极氧化层与一第二栅极氧化层，其中该第二栅极氧化层延伸并相邻于该第二区域；蚀刻位于该第二区域上的该第二栅极氧化层；在该第一栅极氧化层与该第二栅极氧化层上形成二个多晶硅栅极；以及在该第二区域中形成一第二型掺杂区以及在该第二型阱区中形成多个第一型掺杂区。
可编程单一多晶硅层非挥发性存储器制造方法

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