“力旺电子股份有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果280个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]开关装置-CN202010933847.0有效
发明人：陈志欣;王世辰;赖宗沐;景文澔;罗俊元;张纬宸 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：开关装置包含P型基底、第一栅极结构、第一N型井、浅沟槽隔离结构、第一P型井、第二栅极结构、第一N型掺杂区、第二P型井及第二N型掺杂区。第一N型井形成于P型基底上，且有部分设置在第一栅极结构的下方。浅沟槽隔离结构形成于第一N型井，且设置在第一栅极结构的第一侧下方。第一P型井形成于P型基底上，且设置在第一栅极结构下方。第一N型掺杂区形成于P型基底，且设置在第一栅极结构及第二栅极结构之间。第二P型井形成于P型基底，且设置在第二栅极结构下方。第二N型掺杂区形成于第二P型井，且设置在第二栅极结构下方。
开关装置

[发明专利]电压转换器及其运作方法-CN202310260816.7在审
发明人：郑育轩;钟承亨 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：一种电压转换器包含输入晶体管、控制电路、重置电路以及保持电路。输入晶体管用以接收输入电压以及第一参考电压。控制电路用以依据节点电压、输出电压以及反相输入电压中的一者以及输入电压产生脉冲电压。重置电路用以接收第一参考电压以及第二参考电压，并且由脉冲电压控制。重置电路于产生节点电压的第一节点耦接至输入晶体管。保持电路耦接至第一节点，并用以依据节点电压、第一参考电压、第二参考电压以及输出电压产生输出电压。如此，输出电压从高逻辑位准到低逻辑位准的转换速度以及输出电压从低逻辑位准到高逻辑位准的转换速度皆很快速。
电压转换器及其运作方法

[发明专利]玻璃基板上的一次编程非挥发性存储单元-CN202110067401.9有效
发明人：孙文堂;萧婉匀 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本发明公开一种玻璃基板上的一次编程非挥发性存储单元，其中该一次编程非挥发性存储单元具有一存储元件，该存储元件包括：一玻璃基板、一缓冲层、一多晶硅层与二金属层。缓冲层位于该玻璃基板上。多晶硅层位于该缓冲层上。该多晶硅层包括一P型掺杂区与一N型掺杂区。该二金属层分别接触于该N型掺杂区与该P型掺杂区。该二金属层、该第一N型掺杂区与该第一P型掺杂区形成一二极管。在一编程动作时，该二极管接收一编程电压，使得该二极管为逆向偏压，且该二极管由一第一存储状态变成一第二存储状态。在一读取动作时，该二极管接收一读取电压，使得该二极管为逆向偏压，且该二极管产生一读取电流。
玻璃基板上一次编程挥发性存储单元

[发明专利]随机位产生器及随机数值产生器-CN201910616609.4有效
发明人：徐清祥 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种随机位产生器，随机位产生器包括电压源、位数据单元及感测控制电路。电压源在注册操作时提供扫描电压。位数据单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管的第一端耦接于第一位线，而第一晶体管的第二端耦接于电压源。第二晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管的第一端耦接于第二位线，而第二晶体管的第二端耦接于电压源。感测控制电路耦接于第一位线及第二位线。感测控制电路根据第一晶体管及第二晶体管在位数据单元的注册操作期间所产生的电流输出随机位。
随机产生器数值

[发明专利]集成电路及用于集成电路的功能锁定与解锁方法-CN201910551159.5有效
发明人：柳星舟 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强安全性的集成电路包括核心电路及功能锁定电路。核心电路包括至少一个功能区块电路。功能锁定电路耦接于核心电路。功能锁定电路包括随机数源、纠结电路及内存。随机数源用以产生随机数码。纠结电路耦接于随机数源及核心电路，用以根据随机数码及指令信号产生解锁码。内存耦接于纠结电路，用以储存解锁码。解锁码的存在性用于决定将核心电路的至少一个功能区块电路锁定或是解锁。
集成电路用于功能锁定解锁方法

[发明专利]电荷捕捉式非易失性存储器装置的制造方法-CN202310226099.6在审
发明人：黎俊霄;赖宗沐;沈政彦;许家荣 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器装置的制造方法。在制造非易失性存储器装置的过程中，可有效地保护存储元件的阻挡层，防止阻挡层被污染或者变薄。另外，在半导体基板中，由于逻辑元件区与存储器元件区的阱区不是同时制作，所以在存储器元件区可以设计尺寸较小非易失性存储单元，并且精确控制电荷捕捉式晶体管的临限电压(threshold voltage)。
电荷捕捉非易失性存储器装置制造方法

[发明专利]非易失性存储器的记忆胞与阵列结构及其相关的控制方法-CN202310161449.5在审
发明人：古惟铭 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明为一种非易失性存储器的记忆胞与阵列结构及其相关的控制方法。该非易失性存储器的记忆胞包括：一选择晶体管、一浮动栅晶体管、一第一电容器、一开关晶体管与一第二电容器。选择晶体管的第一漏/源极连接至一源极线。选择晶体管的栅极连接至一字线。浮动栅晶体管的二个漏/源极分别连接至选择晶体管的一第二漏/源极以及一位线。第一电容器连接于浮动栅晶体管的一浮动栅极与一擦除节点之间。开关晶体管的二个漏/源极分别连接至擦除节点与一擦除线。开关晶体管的一栅极连接至一控制线。第二电容器连接在擦除节点与一升压线之间。
非易失性存储器记忆阵列结构及其相关控制方法

[发明专利]电阻式存储单元及其相关的阵列结构-CN202310090141.6在审
发明人：赖宗沐;张纬宸;林俊宏 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电阻式存储单元及其相关的阵列结构，其中该电阻式存储单元包括：一P型阱区、一隔离结构、一N型阱区、一第一栅极结构、一第二栅极结构、一第一N型掺杂区、一第二N型掺杂区、一第三N型掺杂区、一第四N型掺杂区、一字线、一位线、一导线与一编程线。第三N型掺杂区、第四N型掺杂区与N型阱区组成一N型合并区。位线连接至第一N型掺杂区。字线连接至第一栅极结构的一导电层。导线连接至第二N型掺杂区与第二栅极结构的一导电层。编程线连接至N型合并区。
电阻存储单元及其相关阵列结构

[发明专利]电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元-CN202310026575.X在审
发明人：黎俊霄;赖宗沐;沈政彦;许家荣 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B43/00 文献下载
摘要：本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元。此存储单元形成于半导体基板的阱区上。此存储单元具有一存储晶体管。存储晶体管的栅极结构包括：第一隧穿层、第二隧穿层、捕捉层、阻挡层与栅极层。第一隧穿层接触于阱区的表面。第二隧穿层覆盖于第一隧穿层。捕捉层覆盖于第二隧穿层。阻挡层覆盖于捕捉层。栅极层覆盖于阻挡层。第二隧穿层中有渐变的氮分布。第二隧穿层中靠近第一隧穿层的第一区域的第一氮浓度低于第二隧穿层中靠近捕捉层的第二区域的第二氮浓度。
电荷捕捉非易失性存储器存储单元

[发明专利]具有物理不可复制功能的真随机数生成系统-CN201910313504.1有效
发明人：王志明 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F7/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种真随机数生成系统，包括随机数池、伪随机数生成器及编码电路。伪随机数生成器用以根据至少一个控制数序产生多个第一数序。编码电路耦接于随机数池及伪随机数生成器，用以根据多个第一数序及由随机数池选出的多个第三数序，产生多个第二数序。
具有物理不可复制功能随机数生成系统

[发明专利]非易失性存储器及其电压检测电路-CN202310008550.7在审
发明人：林哲逸 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本发明为一种非易失性存储器及其电压检测电路。当一待机信号无效时，非易失性存储器的电源供应单元产生一阵列电压至一第一节点。电压检测电路包括一初始电压产生器、一电容器、一锁存器与一组合逻辑电路。初始电压产生器接收一反相待机信号与一致能信号。初始电压产生器的一输出端连接至一第二节点。电容器耦接于第一节点与第二节点之间。锁存器的一输入端连接至第二节点，锁存器的一输出端连接至一第三节点。组合逻辑电路的一输入端连接至第三节点，组合逻辑电路的一输出端产生致能信号。
非易失性存储器及其电压检测电路

[发明专利]存储器装置-CN202110375096.X有效
发明人：孙文堂;许家荣;陈学威 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置，包括第一阱、第二阱、第三阱、浮动栅极层、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、沟槽隔离层及字线接点。所述第二阱位于所述第一阱上，且包括第一部分及第二部分。所述第三阱包括第一部分及第二部分，分别位于所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分上。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区及所述第三掺杂区位于所述第三阱的所述第一部分。所述沟槽隔离层用以隔离所述第二阱的所述第一部分及所述第二部分，且隔离所述第三阱的所述第一部分及所述第二部分。所述字线接点设置于所述第三阱区的所述第二部分上，用以接收字线电压。
存储器装置

[发明专利]非易失性存储器胞及非易失性存储器胞阵列-CN202211445897.X在审
发明人：陈致均;林俊宏 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器胞及非易失性存储器胞阵列。该非易失性存储器胞包括：一第一选择晶体管、一第一浮动栅晶体管、一第二选择晶体管与一第二浮动栅晶体管。第一选择晶体管连接至编程源极线与编程字线。第一浮动栅晶体管具有一浮动栅极。第一浮动栅极连接至第一选择晶体管与编程位线。第二浮动栅晶体管具有一浮动栅极。第二浮动栅极连接至读取源极线。第二选择晶体管连接至第二浮动栅极、读取字线与读取位线。第一浮动栅晶体管的浮动栅极与第二浮动栅晶体管的浮动栅极相互连接。
非易失性存储器阵列

[发明专利]运用于非易失性存储器的感测元件-CN202211555519.7在审
发明人：张哲维 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种运用于非易失性存储器的感测元件，包括：一参考电路、二个开关、一感测电路与一判断电路。参考电路连接至第一节点。第一开关的第一端连接于第一节点，第一开关的控制端接收反相重置脉冲。第二开关的第一端连接至第一节点，第二开关的第二端接收接地电压，第二开关的控制端接收重置脉冲。感测电路连结于第一开关的第二端与第二节点之间。感测电路产生第一感测电流。判断电路连接至第二节点。判断电路接收第一感测电流，并根据第一感测电流产生输出数据。
运用于非易失性存储器元件

[发明专利]具隔离阱区的存储单元及其相关非挥发性存储器-CN202011203285.0有效
发明人：陈学威;陈纬仁;孙文堂 -专利权人： 力旺电子股份有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：本发明公开一种具隔离阱区的存储单元及其相关非挥发性存储器，其中非挥发性存储器的存储单元包括一基板区域、一障壁层、一N型阱区、一隔离结构、一第一栅极结构、一第一侧壁绝缘层、一第一P型掺杂区、一第二P型掺杂区与一N型掺杂区。隔离结构围绕于N型阱区且位于障壁层上方。隔离结构与障壁层包围N型阱区，使得该N型阱区为隔离阱区。第一栅极结构形成于N型阱区的一表面上方且第一侧壁绝缘层形成于第一栅极结构的周围。第一P型掺杂区、第二P型掺杂区与N型掺杂区位于N型阱区的表面下方。
隔离存储单元及其相关挥发性存储器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 280 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top