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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器件、具有它的存储系统及其操作方法-CN201710056274.6有效
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：一种存储系统包括传送搜索命令的存储器控制器和搜索多个页的存储器件，存储器件操作性地耦接到存储器控制器，存储器件适用于检测包括在存储器件的存储块中的多个页之中的最后擦除的页，以及适用于将最后擦除的页的地址提供到存储器控制器，且存储器控制器被配置成根据最后擦除的页的地址来控制存储器件。
存储器件具有存储系统及其操作方法

[发明专利]存储装置以及操作该存储装置的方法-CN202010348182.7在审
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：存储装置以及操作该存储装置的方法。本文可提供一种存储装置及其操作方法。该存储装置可包括：存储器装置，其包括存储器单元阵列和页缓冲器；以及存储控制器，其包括写缓冲器。存储器装置还可包括页缓冲器状态确定器，页缓冲器状态确定器被配置为基于页缓冲器的状态来生成页缓冲器状态信号并将该页缓冲器状态信号提供给存储控制器。存储控制器还可包括写操作控制器，写操作控制器被配置为响应于页缓冲器状态信号将从主机提供的数据提供给页缓冲器或写缓冲器，并且基于写缓冲器的状态来控制存储器装置将存储在页缓冲器中的数据编程到存储器单元阵列。
存储装置以及操作方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202010189984.8在审
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：存储器系统及其操作方法。本文可以提供存储器系统及其操作方法。存储器系统可以包括：存储器装置，其被配置为包括多个存储器块并且在垃圾收集操作期间将来自多个存储器块当中的牺牲块的数据复制到目标存储器块中；以及存储器控制器，其被配置为控制存储器装置执行垃圾收集操作，并且被配置为控制存储器装置在垃圾收集操作期间使用多擦除方法擦除牺牲块中存储的数据。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]非易失性存储系统及其操作方法-CN201610089956.2有效
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储系统包括：非易失性存储器件，包括同时储存M位数据的多电平单元和用于分别基于单个位储存M位数据的M个锁存器，M为等于或大于3的整数；以及控制器，适用于在第一半读取时段期间分别将多电平单元的M位数据顺序地锁存在M个锁存器中，以及在第二半读取时段期间将M个锁存器中锁存的M位数据顺序地输出。
非易失性存储系统及其操作方法

[发明专利]存储器装置及其操作方法-CN201610672039.7有效
发明人： 刘炳晟;高在亨 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器装置，其包括：成功/失败检查电路，其被配置成比较存储器单元的数量与第一参考位数量并且检查第一组存储器单元是成功还是失败，其中基于多个存储器单元的第一组存储器单元的验证编程操作的结果，存储器单元被验证为编程失败；以及控制电路，其被配置成当基于成功/失败检查电路的成功/失败检查操作的结果，发现第一组存储器单元成功时，基于小于第一参考位数的第二参考位数，控制成功/失败检查电路以重新检查第一组存储器单元是成功还是失败。
存储器装置及其操作方法

[发明专利]存储系统及其操作方法-CN201510674214.1有效
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储系统可以包括：第一存储器件，包括第一输入/输出缓冲器；第二存储器件，包括第二输入/输出缓冲器；以及高速缓冲存储器，适合于选择性地并暂时地储存要分别编程在第一存储器件和第二存储器件中的第一数据和第二数据。第一数据在第一编程区段中通过仅在第一编程区段的第一独占区段中储存在高速缓冲存储器中来编程至第一存储器件。第二数据在第二编程区段中通过仅在第二编程区段的第二独占区段中储存在高速缓冲存储器中来编程至第二存储器件。第一独占区段和第二独占区段被设置为彼此不重叠。
存储系统及其操作方法

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN201610581722.X有效
发明人： 刘炳晟;金珍雄;李宗珉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器系统，其可以包括多个第一和第二存储器装置，多个第一和第二存储器装置的每个包括M位多层单元(MLC)，M位多级缓冲区和发送缓冲区，高速缓冲存储器，其适于缓存输入至多个第一和第二存储器装置或从多个第一和第二存储器装置输出的数据，以及控制器，其适于无论何时编程数据以M位被缓存到高速缓冲存储器中，都通过将编程数据传递至选择的存储器装置的M位多级缓冲区来将高速缓冲存储器缓存的编程数据编程至从第一和第二存储器装置中选择的存储器装置中，并控制选择的存储器装置以执行编程准备操作的除次要准备操作以外的必要准备操作，直到编程数据的输入结束或者选择的存储器装置的M位多级缓冲区已满。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]操作电路控制器件、半导体存储器件及其操作方法-CN201310178464.7有效
发明人： 刘炳晟;朴镇寿;李相炖 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，当由于外部电压小于参考电压而输出检测信号时，通过控制预备/忙碌焊盘而将半导体存储器件保持在忙碌状态；通过防止泵浦时钟的产生来防止通过泵浦电路产生操作电压；以及通过防止微时钟的产生而将微控制器复位。因此，当外部电压小于参考电压时，可以经由一系列的操作防止半导体存储器件发生故障。
操作电路控制器件半导体存储及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置、其操作方法及包括其的系统-CN201410101452.9有效
发明人： 刘炳晟;金仪珍;鲁俊礼 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开一种能够并行地执行存储操作的非易失性存储装置和操作所述非易失性存储装置的方法以及包括所述非易失性存储装置的系统。所述非易失性存储系统可包括：存储器控制器，适于控制存储器；以及存储器，适于响应于来自存储器控制器的命令而执行读取和编程操作，其中，存储器控制器和存储器在高接口模式下操作，以及当在存储器中编程第N数据的操作期间执行读取内部数据的操作或接收第N+1数据的操作时，在低接口模式下操作。
非易失性存储装置操作方法包括系统

[发明专利]非易失性半导体器件-CN201210115758.0有效
发明人：崔大一;朴进寿;李在浩;刘炳晟 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：一种非易失性存储器器件包括多个全局字线；电压泵，配置为生成具有不同电压电平的多个电压；控制单元，配置为响应于输入行地址而将多个全局字线划分成第一组和第二组，并生成控制信号；第一选择单元，配置为输出要施加到第一组的全局字线的至少两个不同电压；第二选择单元，配置为输出要施加到第二组的全局字线的电压；以及第三选择单元，配置为向第一组的全局字线施加第一选择单元的输出电压并向第二组的全局字线施加第二选择单元的输出电压。
非易失性半导体器件

[发明专利]包括具有多个电压状态的存储单元的存储系统及操作方法-CN201510599151.8在审
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：在一种操作包括具有多个电压状态的存储单元的存储系统的方法中，在将最小电压电平与最大电压电平之间的多个测试电压顺序地施加至选中字线的同时，从选中页获取多个页数据。基于所述多个页数据来检测与多个电压状态之中的至少一些电压状态对应的中心电压。基于检测到的中心电压来设置读取电压。通过将设置的读取电压施加至选中字线来读取储存在选中页中的数据。
包括具有电压状态存储单元存储系统操作方法

[发明专利]半导体器件及其操作方法-CN201210252402.1在审
发明人： 刘炳晟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：包括多个存储器单元的单元串；包括锁存器和开关元件的页缓冲器，其中，开关元件耦接在锁存器与耦接到单元串的位线之间；以及页缓冲器控制器，所述页缓冲器控制器被配置成在编程操作的位线设定操作期间施加逐渐上升的导通电压到所述开关元件。
半导体器件及其操作方法

[发明专利]半导体存储器件及其操作方法-CN201110183357.4有效
发明人： 刘炳晟;朴镇寿 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-07-01 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括单元串，所述单元串的每个包括多个存储器单元；位线，所述位线与各个单元串耦接；以及页缓冲器，所述页缓冲器被配置为在感测操作中将参考电流与各个位线的电流进行比较，并基于比较的结果输出与选中的存储器单元的阈值电压电平相对应的感测数据。
半导体存储器件及其操作方法

[发明专利]具有降低存取时间的闪存装置-CN200510137521.2无效
发明人： 刘炳晟 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有降低存取时间的闪存装置。该闪存装置执行误差检测及校正操作，同时用主机设备编码或解码传输及接收信号。该闪存装置利用简化的设计算法并降低存取时间。
具有降低存取时间闪存装置

[发明专利]多面型闪存以及控制其程序和读取操作的方法-CN200510091635.8无效
发明人： 刘炳晟 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2005-08-11 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存装置，其包含：多个面，每个面包括多个内存单元块；多个页面缓冲器，每个页面缓冲器锁存一个将输出至其对应面的输入数据位，或锁存一个将从对应面接收的输出数据位；多个高速缓冲存储器，每个高速缓冲存储器响应多个高速缓存输入控制信号之一而存储输入或输出数据位，且每个高速缓冲存储器响应多个高速缓存输出控制信号之一而将存储的数据位传输至对应的页面缓冲器或外部装置；以及控制逻辑电路，其响应含有多个位的芯片启用信号及指令信号而产生高速缓存输入和输出控制信号。响应含有多个位的芯片启用信号而同时进行对多个面的程序及读取操作，其增加了操作速度及其中所处理的数据吞吐量。
多面闪存以及控制程序读取操作方法

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