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[发明专利]模数转换器及其数字校准电路-CN201010583839.4无效
发明人：赵磊;刘帘曦;杨银堂;丁瑞雪;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种模数转换器及其校准电路，其校准电路包括：流水线转换模块、数据排列模块、校准数据存储模块、数据加法模块和随机数产生模块。通过引入随机数产生模块，配合校准数据的设置，产生的随机数与校准数据进行加法运算，随机数的加入引起输出数据的调整，提高了模数转换器的校准精度，克服模数转换器的校准精度难提高的问题。
转换器及其数字校准电路

[发明专利]模数转换器及其采样保持电路-CN201010533781.2有效
发明人：朱樟明;修利平;李娅妮;刘帘曦;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-03-16 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种模数转换器及其采样保持电路，其采样保持电路包括自举开关电路、输入缓冲级(Q0)、采样电路(20)、子模数转换器Sub_ADC、电流源电路(30)以及动态范围调整电路(10)，用于调整输入缓冲级(Q0)的三极管基极电压，使采样保持电路处于保持阶段时，所述输入缓冲级(Q0)中三极管的发射极电压和基极电压差即发射结反偏电压小于反向击穿电压，避免由于过高的输入动态电压范围导致缓冲级发射结反偏电压过高而击穿晶体管发射结，从而实现高的输入动态范围。
转换器及其采样保持电路

[发明专利]自举采样开关电路和自举电路-CN201010291312.4有效
发明人：朱樟明;孙园杰;丁瑞雪;刘帘曦;李娅妮 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-09-25 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供自举采样开关电路和自举电路，自举电路包括：二极管D1、充电电容C1、反相器、第三PMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7及第八NMOS管M8；反相器的输入端连接CLK，输出端连接M3栅极和M4栅极；M3源极连接VDD，M4源极连接Vin，M3漏极和M4的漏极相连；M5源极接Vin，M5栅极接Vboot，M5漏极接M6漏极和电容的一板；M6栅极连接CLK，M6源极连接GND；D1正端连接VDD，D1负端连接C1第二板和M7源极；M7栅极与M3漏极相连，M7漏极和M8源极连接Vboot；M8栅极连接VDD，M8漏极与反相器输出端相连。
采样开关电路电路

[发明专利]基于MOS电流模逻辑的10位超高速CMOS数模转换器-CN200910254416.5无效
发明人：朱樟明;杨银堂;程武;刘帘曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS数模转换器，主要解决传统的CMOS数模转换器在低功耗下，开关噪声大，电路精度差和速度低的问题。它包括：输入同步锁存器，温度计译码器，延时均衡器，锁存器，电流开关驱动器，NMOS电流源阵列和带隙基准电压源，其中温度计译码器采用平行温度计译码器结构，由MOS电流模逻辑结构的与门/与非门逻辑单元和或门/或非门逻辑单元组成；延时均衡器，由MOS电流模逻辑结构的反方向器组成；锁存器和电流开关驱动器，均采用MOS电流模逻辑结构；NMOS电流源阵列的输入端与锁存器和电流开关驱动器的互补输出端连接，产生互补的输出电流。本发明具有输出摆幅和开关噪声小，电路精度高，工作速度快的优点，可用于通信，信号处理和视频处理系统。
基于 mos 电流逻辑 10 超高速 cmos 数模转换器

[发明专利]基于标准单元的GALS异步封装电路-CN200910254417.X无效
发明人： 刘帘曦;杨银堂;田喜贺;周端;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G06F1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于标准单元的GALS异步封装电路，它包括写端口模块、读端口模块和时钟模块，其中写端口模块，采用标准逻辑门实现的四端口电路，分别与外部第一本地模块(G1)、读端口模块的应答信号端口和读端口的请求信号端口连接；读端口模块，采用标准逻辑门实现的四端口电路，分别与外部第二本地模块(G2)、写端口模块的请求信号端口和写端口模块的应答信号端口连接，同时与外部锁存器的触发端口连接；时钟模块，分别为第一本地模块(G1)和第二本地时钟模块(C2)第二本地模块(G2)提供工作时钟。具有采用标准单元设计，兼容于主流设计工具和单元库的优点，用于GALS通信模型当中实现数据的异步传送。
基于标准单元 gals 异步封装电路

[发明专利]高精度电流舵数模转换器及其误差校准方法-CN201010013572.5无效
发明人：朱樟明;刘昌;高翔;杨银堂;刘帘曦;章娜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H03M1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度电流舵数模转换器及其匹配误差的校准方法，主要解决现有电流舵数模转换器精度受限，校准电路设计难度大、上电时间长的缺点。本发明的数模转换器设置了校准电路，它包括MSB校准模块，用于MSB电流源校准；ISB校准模块，用于ISB电流源校准；LSB校准模块，用于MSB电流源校准；偏置电流校准模块，用于偏置电流校准。本发明的校准方法包含电流误差测量、校准电流确定和校准状态写入三步，结合本发明的数模转换器，可以完成高精度电流舵数模转换器匹配误差的校准。本发明提高了电流舵数模转换器精度，降低了校准电路的设计难度，缩短了上电时间，可用于电流舵结构数模转换器匹配误差校准。
高精度电流数模转换器及其误差校准方法

[发明专利]高速模拟开关-CN200910254420.1无效
发明人：朱樟明;李光辉;刘帘曦;杨银堂 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速模拟开关，主要解决现有高速模拟开关器电路复杂问题。它由三个NMOS晶体管连接组成，第一晶体管的漏端(D1)接输入端，源端(S1)接输出端；第二晶体管的源端(S2)和体端(B2)接第一晶体管的体端(B1)，第二晶体管的漏端(D2)接第一晶体管的漏端(D1)并作为模拟开关的输入端，第三晶体管的漏端(D3)接第二晶体管的源端(S2)，第三晶体管的体端(B3)与源端(S3)相连并接地；第一晶体管的栅端(G1)与第二晶体管的栅端(G2)接同相控制时钟，第三晶体管的栅端(G3)接反相控制时钟，实现所述三个NMOS晶体管的有序导通与关断。本发明具有电路元件少，电路结构简单的优点，可用于中低速模数转换器的采样保持电路。
高速模拟开关

[发明专利]基于电流熔断的多晶熔丝电路-CN200910254421.6无效
发明人： 刘帘曦;朱樟明;杨银堂;刘昌;章娜 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种适用于半导体集成电路的电流熔断多晶熔丝电路，主要解决现有多晶熔丝电路面积过大的问题。它包括：多晶熔丝、熔断控制电路和输出变换器，该多晶熔丝串联在外部半导体集成电路电源与熔断控制结构之间；熔断控制电路由NMOS晶体管缓冲器和NMOS晶体管电平稳定器组成，串联在多晶熔丝与地之间，以产生熔断熔丝所需的大电流；输出变换器由反相器构成，输入端与熔断控制电路及多晶熔丝连接，输出端作为多晶熔丝电路的输出，以保证多晶熔丝电路输出标准数字逻辑电平。本发明减小了多晶熔丝电路面积，节省了芯片面积，降低了芯片成本，可用于半导体集成电路的修调。
基于电流熔断多晶电路

[发明专利]一种分段电流舵数模转换器-CN200910254415.0无效
发明人：朱樟明;高翔;杨银堂;刘帘曦;刘昌 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种高速高精度数模转换电路，包括基准电压产生电路、基准电压到基准电流转换电路、编码电路、电流源矩阵和开关阵列，其中编码电路采用两级流水式编码结构，该两级流水编码电路与开关阵列之间连接有开关驱动电路阵列，在时钟输入信号与两级编码电路之间连接两级时钟延时电路，为两级流水式编码电路提供时钟信号；电流源矩阵、电流开关和编码电路采用“5+4+5”的分段结构，即高5位和中4位采用温度码结构，低5位采用二进制码结构。本发明有效减小芯片面积和功耗，降低编码电路的复杂度，提高转换速率，减小毛刺，提高数字模拟转换器的动态特性。用于数字处理系统，音视频转换系统及通信系统。
一种分段电流数模转换器

[发明专利]一种基于MOS电流模逻辑的高速电流开关驱动器-CN200810149829.2有效
发明人：朱樟明;李光辉;杨银堂;王振宇;刘帘曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-10-08 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H03K19/096 文献下载
摘要：本发明提供一种基于MOS电流模逻辑的高速电流开关驱动器，包括：MOS电流模逻辑锁存电路，用于接收电流开关驱动信号，并对所述电流开关驱动信号进行锁存和限幅，使所述电流开关驱动信号同步；MOS电流模逻辑电流开关，用于接收经所述MOS电流模逻辑锁存电路处理的信号，产生限幅的电流源驱动信号，并调整电流开关驱动信号交叉点；以及具有NMOS开关的共源共栅电流源，用于接收经所述MOS电流模逻辑电流开关处理的所述电流开关驱动信号，并输出低失真的电流信号，使得电流开关驱动信号同步，减小溃通效应。
一种基于 mos 电流逻辑高速开关驱动器

[发明专利]一种低失调的超高速比较器-CN200810213439.7有效
发明人：杨银堂;朱樟明;韩宝妮;刘帘曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-10-08 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本发明提供一种低失调的超高速比较器，属于混合信号集成电路技术领域，包括：顺序连接的前置放大电路、动态锁存电路和输出锁存电路，其中前置放大电路，包括正负电阻并联为负载的全差分输入结构，用于放大输入信号与参考信号的差值；动态锁存电路，设置有以反相器首尾连接成的双稳态结构，用于放大前置放大电路的输出信号，并将前级输出建立到数字逻辑输出电平；输出锁存电路，由两个交叉耦合NMOS晶体管和PMOS共源放大输入组成，用于在锁存时间内输出前级输出，在复位阶段呈高阻态保持动态锁存电路的输出结果，从而减少了比较器总的输入失调电压，可提高比较器的速度，能够更好的满足高速模数转换器设计的需要。
一种失调超高速比较

[发明专利]一种低压CMOS电流源-CN200810238918.4有效
发明人：杨银堂;朱樟明;何芸;李光辉;刘帘曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开一种低压CMOS电流源，属于模拟集成电路领域，该低压CMOS电流源包括：PTAT电压源和与所述PTAT电压源连接的电流转换与镜像电路，其中所述PTAT电压源，用于产生一个具有正温度系数的基准电压V_REF；所述电流转换与镜像电路，用于将所述基准电压V_REF转换为基准电流，并通过电流镜像关系进行基准电流的输出。使该低压CMOS电流源具有良好的电源特性和温度特性，并且CMOS电流源的工艺偏差对该CMOS电流源的输出电流值的影响很小。
一种低压 cmos 电流

[发明专利]PWM/PDM双模调制选择电路及双模调制方法-CN200810236458.1有效
发明人： 刘帘曦;杨银堂;朱樟明;丁瑞雪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种PWM/PDM双模调制选择电路及双模调制方法，主要解决现有DC/DC转换器在大负载范围内平均转换效率不高的问题。整个电路包括偏置电路、带隙基准电压源、误差放大器、隔离共源跟随器、振荡器、积分器、模式判决比较器、控制比较器、锁存器和驱动缓冲器，其中模式判决比较器和一个锁存器连接在误差放大器的输出端与振荡器的控制端之间，将负载电流大小的比较通过占空比与三角波的关系转换成电压的比较，负载电流较大时，电路选择PWM调制模式，反之，负载电流较小时电路选择PDM调制模式。本发明在保证DC/DC转换器性能的条件下提高了负载变化区间内的平均转换效率，适用于负载电流变化较大，电路体积要求较小和对转换效率要求较高的DC/DC开关转换器中。
pwm pdm 双模调制选择电路方法

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