专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果33个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种复合抑制剂在CMP中的应用-CN202110909765.7在审
  • 王辰伟;田源;张雪;周建伟;王胜利;刘启旭 - 河北工业大学
  • 2021-08-09 - 2023-02-17 - C09G1/02
  • 本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用,旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率,增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力,有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KOH按照质量比为1‑3:1的比例配置而成。所用抛光液按质量百分比的组成为:硅溶胶5‑20%,氧化剂1‑15%,络合剂0.1‑5%,复合抑制剂0.25‑0.5%,表面活性剂为0.001‑5%,pH值调节剂适量,余量为去离子水。本发明的抛光液通过各种组分的合理配比,在保障抛光效果的情况下,能有效抑制铜的去除速率,对碟形坑和蚀坑修正能力强,增强了抛光的稳定性,提升了芯片的良率。同时,降低了抛光液的配置难度。
  • 一种复合抑制剂cmp中的应用
  • [发明专利]一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法-CN202210278471.3在审
  • 李强;康劲;刘玉岭;贾会静;杨云点;刘启旭;罗翀 - 康劲
  • 2022-03-21 - 2022-09-23 - H01L21/768
  • 本发明提出一种用于多层铜互连CMP的工艺控制方法,涉及化学机械抛光技术领域。该方法主要通过调整抛光液流量后,在压力1.68psi‑5.00psi、抛头转速104rpm‑110rpm、抛盘转速110rpm‑116rpm以及研磨时间30s‑90s的条件下进行抛光,优化获得最适抛光液流量后,进行抛光,制得产品。以抛光液流量控制多层铜互连阻挡层CMP中铜、介质的去除速率,进而达到控制制作工艺的精度,可有效简化制作流程的繁琐程度,并且,该方法适合多数集成电路多层金属CMP制作工艺,适用性较强,由此可见,该方法的使用价值和实用价值较高,适合产品的规模化生产制作。
  • 一种用于多层互连cmp工艺控制方法
  • [发明专利]一种CMP中防止划伤的抛光工艺-CN202210277713.7在审
  • 罗翀;康劲;贾会静;姚宇;刘玉岭;刘启旭;郭峰;张月 - 康劲
  • 2022-03-21 - 2022-09-16 - B24B29/02
  • 本发明提出了一种CMP中防止划伤的抛光工艺,涉及化学机械抛光技术领域。一种CMP中防止划伤的抛光工艺,包括如下步骤:将抛光液稀释到20‑100ml/L后,将稀释的抛光液加入抛光机中,对晶圆进行抛光。本发明通过在抛光过程中添加抛光液,本发明的抛光液具有强渗透力,能够渗入晶圆表面的缝隙中,通过抛光液将抛光垫碎屑和晶圆表面抛光产生的碎屑吸附,对碎屑进行包裹,将其带离晶圆表面,加快了晶圆表面凸处的质量传递,同时抛光液的表面柔软,将碎屑包裹住后形成的组合物的表面硬度远低于碎屑表面硬度,从而减小了碎屑与晶圆表面的机械作用,使得晶圆表面的划伤缺陷也随之减小。
  • 一种cmp防止划伤抛光工艺
  • [发明专利]多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法-CN202210278631.4在审
  • 刘玉岭;康劲;贾会静;赵健;王辰伟;刘启旭;王强;郭峰 - 康劲
  • 2022-03-21 - 2022-09-16 - B24B37/00
  • 本发明提出了多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法,涉及化学机械抛光领域。多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法,包括以下步骤:制备含有FA/O型螯合剂的抛光液;再将抛光液加入抛光机中对图形片进行抛光,得到成品;其中抛光条件为:工作压力为1‑5Psi,抛头转速为88‑108r/min,抛盘转速为100‑110r/min,抛光液流量为200‑300ml/min。本发明利用自钝化理论来实现铜较高的高低速率差,从而达到较高的修正能力,有效抑制了D坑和蚀坑等缺陷的出现,达到平坦化的效果,且FA/O型螯合剂与Cu2+螯合生成的铜胺络合物易溶于水,对环境无污染。
  • 多层布线cmp通过螯合剂修复方法
  • [发明专利]一种新型抛光液及其制备方法和应用-CN202210277917.0在审
  • 康劲;刘玉岭;贾会静;罗翀;刘启旭;张月;王强 - 康劲
  • 2022-03-21 - 2022-09-16 - C09G1/02
  • 本发明提供一种新型抛光液及其制备方法和应用,涉及抛光液技术领域。一种新型抛光液,按质量份数计,包括:硅溶胶3‑10%,络合剂0.02‑2%,杀菌剂0.03‑2%,表面活性剂0.0001‑3%和去离子水余量。本发明的抛光液不含缓蚀剂,对人体无伤害,通过自钝化作用即可在铜表面形成致密的钝化膜,同时也不会对晶圆表面造成损伤,更加安全环保。本发明的制备方法简单快捷,便于操作,适合快速生产。本发明在大规模集成电路的应用中,通过该抛光液在铜表面形成致密的自钝化保护膜,从而有效控制密线条处铜去除速率,进而有效控制ETHK厚度,使电路的电性能增强。
  • 一种新型抛光及其制备方法应用
  • [发明专利]一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺-CN202210278624.4在审
  • 李强;康劲;罗翀;贾会静;王辰伟;杨云点;刘启旭 - 康劲
  • 2022-03-21 - 2022-08-30 - B24B37/00
  • 本发明提出了一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺,涉及化学机械抛光技术领域。一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺,包括:将待抛光材料固定在抛头上,进流抛光液,调整抛头和抛盘的转速;对抛头施加压力,使待抛光材料的抛光面与抛盘接触,调整抛头和抛盘的转速,进行一段抛光;降低压力,停流抛光液,采用高压水冲洗抛盘,进行一次水抛;停止水抛,进流抛光液,增加对抛头的压力,进行二段抛光;降低压力,停流抛光液,调整抛头和抛盘的转速,采用高压水冲洗抛盘,进行二次水抛;降低压力,采用高压水冲洗抛光材料,抛光结束。本发明工艺简单,其抛光后图形片表面的粗糙度缺陷数量明显降低,且稳定性高,具有较强的经济效益。
  • 一种利用分段抛光降低图形表面缺陷工艺
  • [实用新型]一种路桥过渡搭接板装置-CN201921834290.4有效
  • 刘启旭 - 刘启旭
  • 2019-10-29 - 2020-08-04 - E01D19/00
  • 本实用新型涉及路桥相关技术领域,具体是一种路桥过渡搭接板装置,包括安装于设置在混凝土路桥板上的放置槽内的装置本体;所述装置本体包括相对设置的第一搭接件和第二搭接件、以及设置在第一搭接件和第二搭接件之间的活动件,所述活动件的下端通过第一弹性组件与底板连接,底板上与活动件垂直位置两侧通过第二弹性组件与第一搭接件和第二搭接件连接,所述活动件的两侧端倾斜设置,且与第一搭接件或第二搭接件上与活动件相对的一倾斜面平行。本实用新型设计新颖,在第一搭接件和第二搭接件相对活动件移动时,活动件始终与第一搭接件和第二搭接件抵接,防止杂物或水的进入的落入,提高了使用寿命。
  • 一种过渡搭接板装置
  • [实用新型]一种路桥主体裂缝检测装置-CN201921645967.X有效
  • 刘启旭 - 刘启旭
  • 2019-09-29 - 2020-05-22 - G01N29/04
  • 本实用新型公开了一种路桥主体裂缝检测装置,要解决的是现有裂缝检测装置容易出错的问题。本产品包括底座和顶座,所述底座的下端设置有便于移动的滚轮,顶座的下端与液压杆的顶端相连并且液压杆的下端固定在底座上端面,液压杆与液压泵相连,底座的侧面设置有超声波探伤仪,顶座的侧面安装有摄像头并且顶座的上端安装有控制面板,控制面板分别与摄像头、超声波探伤仪和液压泵电连接。本产品通过超声波探伤仪和摄像头可以对裂缝处进行双重确认,减少错误率;本产品通过液压泵和液压杆可以调节摄像头与地面的高度,适用于不同的工作环境,使用范围更广;本产品还设置有标记装置,可以对有裂缝处进行标记,便于后期修复。
  • 一种主体裂缝检测装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top