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[发明专利]一种利用光学原理反射紫外线的白色瓷球及制备方法和用途-CN200810174730.8有效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2008-10-23 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C04B33/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用光学原理反射紫外线的白色瓷球及制备方法和用途。如何节约能源，降低能耗是人类所面对的重要问题，尤其是如何使房屋降温，更是迫切需要我们解决的问题。现有的房屋墙面只做简单的防水处理，起不到降温、防水及节能降排的作用。本发明利用高岭土45-65％、氧化铝10-20％、石英粉5-10％、滑石粉5-10％和长石粉5-15％制备成白色瓷球，白度达到85-99、莫氏硬度为6.5-7.5。结合喷涂聚氨酯泡沫、丙烯酸防水涂料而粘结在墙面及屋顶的表面，从而达到降温、防水的目的。
一种利用光学原理反射紫外线白色制备方法用途

[实用新型]一种齿形瓷柱-CN200720199922.5有效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： F28D20/00 文献下载
摘要：本实用新型公开的是一种齿形瓷柱。目前所使用的瓷柱普遍设计不合理，单一的空芯圆筒状结构，决定了其存在着抗压强度低，比表面积小，材料的体积密度低，热容量低等缺点。本实用新型外表面设置了齿状结构，内芯设置了一条横隔，从而提高了瓷柱的比表面积，使它的热容量增加，热量回收效果达到了85％以上，系统排气温度小于150℃，并且压降不受影响。
一种齿形

[发明专利]非挥发性记忆元件及其制造方法-CN200610111475.3有效
发明人：林正伟;刘光文;陈昕辉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非挥发性记忆元件及其制造方法。该非挥发性记忆元件的制造方法是先在基底中形成多个沟渠；并于沟渠中填入第一导体层，以做为埋入式位元线；接着，在基底上形成电荷储存层，覆盖基底表面以及第一导体层的表面；之后，在上述电荷储存层上形成第二导体层，以做为字元线。该非挥发性记忆元件包括多数个具有掺杂的第一导体层、基底、一电荷储存层及多数个第二导体层。本发明非挥发性记忆元件及其制造方法可以避免聚合物残留造成字元线直接与位元线的掺杂区接触所导致的短路问题。
挥发性记忆元件及其制造方法

[实用新型]一种用于内燃机尾气净化的催化体-CN200720141762.9无效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： F01N3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于内燃机尾气净化的催化体。目前，催化剂的作用机理就是利用贵金属和γ－三氧化二铝的作用，对废气中的有害物质进行催化转化，但现行的制备技术使得贵金属的用量占到催化剂重量的4％以上，并且贵金属应用的比例不合理，致使催化体的应用成本昂贵。本实用新型以泡沫状第一载体和稀土氧化物及贵金属相配合进行涂覆而成，将本实用新型应用于汽车尾气净化时，可大幅降低贵金属的用量，贵金属的用量可降低至每升催化剂用量0.01－0.35克，对废气的催化转换效率可达到97％以上，将本实用新型应用于汽车尾气净化时，可使汽车尾气排放标准达到欧洲IV排放标准，污染指数控制在HC－0.46％、CO－1.5％、Nox－3.5％、PM－0.02％以下。
一种用于内燃机尾气净化催化

[实用新型]一种内燃机尾气净化器-CN200720141750.6无效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： F01N3/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内燃机尾气净化器。尾气净化器的现有技术，就是在消音器中装置有净化催化体，而这些净化催化体几乎都是直通网状结构，并以γ－三氧化二铝作为第二载体。这样的直通网状结构使得孔隙密度较小，比表面积较小，一般比表面积达不到20－40平方米/毫升的要求，因而对催化转化效率影响较大，催化转化率达不到90％；其次，是在高温下γ－三氧化二铝载体会向α－三氧化二铝转化呈现中毒状态而降低使用寿命。本实用新型以泡沫状第一载体和稀土氧化物及贵金属相配合进行涂覆而成，将本实用新型应用于汽车尾气净化时，可大幅降低贵金属的用量，贵金属的用量可降低至每升催化剂用量0.01－0.35克，对废气的催化转换效率可达到97％以上。
一种内燃机尾气净化器

[实用新型]泡沫海棉状分子筛型材-CN200720003962.8无效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C01B39/00 文献下载
摘要：泡沫海棉状分子筛型材，包括型材体，其特征为：型材体呈泡沫海棉状，表面和内部具有密集的孔洞。本实用新型比表面积大大增高，系统压降小，系统使用量相对减少，系统脱水、干燥效果好，故能耗低。
泡沫海棉分子筛

[发明专利]一种泡沫蓄热体及制备方法-CN200710138570.7有效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2007-08-02 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡沫蓄热体及制备方法。现有的蓄热体都是直通网状结构或蜂窝状结构，比表面积小，蓄热效果不理想，受产品成形的局限性，产品外形不能太大，对使用环境的要求较高，使用效率一般为70－75％，普遍存在着加工难度大、成本高、成品率低、使用范围小的不足之处。本发明用高岭土、氧化铝、锂辉石、有机材料为原料，通过高分子海绵状适模涂附后烧制而成，具有比表面积大于2000m²/m³特点，蓄热效果好，使用效率大于90％以上，产品吸水率小于1％，抗压强度高，热容量大，适用范围广，不受系统废气种类的约束，使用寿命长，加工难度小，成本低，可充分利用资料，符合环保要求。
一种泡沫蓄热制备方法

[实用新型]一种蜂窝状陶瓷蓄热体-CN200620158854.3无效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2006-11-03 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： F28D17/02 文献下载
摘要：一种陶瓷蓄热体，包括包裹着多条热能交换通道的陶瓷蓄热器壳体，本实用新型的特征在于：每个热能交换通道的通道壁上设置有一片或一片以上的换热肋片。本实用新型与直通网状蓄热体相比，由于在每个热能交换通道内设置了换热肋片，换热表面积明显增大，因此蓄热效果更好。
一种蜂窝状陶瓷蓄热

[发明专利]一种用于内燃机尾气及工业废气净化的催化剂及制备方法-CN200610163467.3无效
发明人： 刘光文 -专利权人： 刘光文
申请日： 2006-12-02 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： B01J23/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于内燃机尾气及工业废气净化的催化剂及制备方法。目前，催化剂的应用是以贵金属钯、铂、铑为活性物质，这些贵金属的用量占催化剂重量的4％以上，并且钯、铂、铑的比例不合理，从而使得催化剂的应用成本昂贵，本发明由过渡金属氧化物与稀土金属氧化物经过特殊的加工复合而成，省去三氧化二铝的使用。将本发明应用于废气净化时，可将贵金属的用量降低至每升催化剂0.01－0.35克，贵金属钯、铂、铑的重量比为10－12∶2－3∶0.5－1，因此，废气净化成本大幅降低。本发明对废气的催化转换效率可达到97％以上，可使汽车尾气排放标准达到欧洲IV排放标准，污染指数控制在HC－0.46％、CO－1.5％、Nox－3.5％、PM－0.02％以下。
一种用于内燃机尾气工业废气净化催化剂制备方法

[发明专利]制造限制性电荷存储器的方法-CN200610007766.8有效
发明人：邱骏仁;刘光文;陈昕辉;黄俊仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-02-20 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：一种制造局部限制性电荷存储器的方法，此法可排除鸟喙效应的障碍。布植一倾斜角度的囊袋进入基板以减少短渠道效应所导致的问题。该方法包括提供一在表面形成氧化物－氮化物－氧化物层(oxide－nitride－oxide，ONO)的半导体基板。一第一层多晶硅沉积在ONO层之上，第一层多晶硅沿一参考方向被移除，因此，至少有一个栅极结构在曝露出来的ONO层上被形成。一个氧化物间隔沉积到该至少有一处曝露而形成栅极的ONO层的一部分上，没有被氧化物间隔覆盖的一部分被移除，因此曝露出部分基板。至少一条位线形成在该曝露出来的基板上。本发明另一种制造局部限制性电荷存储器的方法，是在移除部分第一层多晶硅后，以一倾斜角度植入一布植囊袋穿过ONO层进入基板。
制造限制性电荷存储器方法

[发明专利]储存元件的形成方法、半导体元件及其形成方法-CN200510088877.1有效
发明人：陈礼仁;苏金达;刘光文;吕前宏;罗兴安 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2006-11-01 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明是有关于一种储存元件的形成方法、半导体元件及其形成方法，该形成储存元件的方法包括以下步骤：提供一基板、在基板上提供多个功能部件、并在功能部件上形成富含硅的介电层。可以采用旋涂式玻璃(spin－on－glass，SOG)技术在富含硅的介电层上形成层间介电(inter－layerdielectric，ILD)或金属间介电(inter－metal dielectric，IMD)层，该富含硅的介电层可阻止在旋涂式玻璃技术中所使用的溶剂的扩散。
储存元件形成方法半导体及其

[发明专利]天然气发动机尾气净化催化剂及其制备方法-CN200510018899.0无效
发明人：陈昭萍;刘光文 -专利权人：陈昭萍;刘光文
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：一种天然气发动机尾气净化催化剂，其特征在于每升载体中含以下组分重量数为：γ－Al₂O₃ 50～120g，稀土金属氧化物8～20g，过渡金属氧化物1～10g，碱土金属氧化物0.5～5g，贵金属0.5～1.5g。本发明价格低廉，具有良好的低起燃温度，和高温稳定性，特别适合于作天然气发动机尾气净化的催化剂，具有广泛的市场前景。
天然气发动机尾气净化催化剂及其制备方法

[发明专利]ONO结构中的氧化层的形成方法-CN200410042687.1有效
发明人：王致皓;陈昕辉;黄仲仁;陈仲慕;刘光文;邱家荣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-12-07 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种具有氧化硅/氮化硅/氧化硅(“ONO”)结构的半导体的形成方法，是先提供第一氧化硅层与氮化硅层覆盖于一具有存储器元件区与逻辑元件区的基底上，再图案化第一氧化硅层与氮化硅层，以定义出部分完成的ONO堆栈结构的底氧化物与氮化硅部位，并暴露出逻辑元件区域内的基底。在具有自由基氧化剂的环境下进行快速热回火工艺，以同时在氮化硅层所暴露出的表面上形成第二氧化硅层，并在基底上形成栅极氧化硅层。然后在完成的ONO堆栈结构以与栅极氧化层上沉积导电层。本发明可用以制造具有逻辑元件与含有ONO结构存储单元的存储器元件。其缩短工艺耗费时间，降低热预算，可避免氮化硅在后续清洗工艺中被暴露出来，增进了栅极的耦合比。
ono 结构中的氧化形成方法

[实用新型]舷外机变档操纵装置-CN200420066739.4无效
发明人：刘波;刘光文;万智德 -专利权人：重庆宗申技术开发研究有限公司
申请日： 2004-06-09 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： B63H20/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种舷外机变档操纵装置包括箱体、档位凸轮、与档位凸轮同步转动的变档轴，其中，变档轴连接操作手柄，档位凸轮上设曲线槽，连接并控制拨叉的轴销限制在曲线槽中，变档轴上固定锁紧凸轮，锁紧凸轮的凸轮曲线与档位凸轮相适配；压紧杠杆一端用铰链固定在箱体上，压紧杠杆的杆体设有与锁紧凸轮的凸轮曲线配套的触头，压紧杠杆上安装拉伸弹簧，使触头与锁紧凸轮接触。优点是：用锁紧凸轮的方式确定档位，完全能达到现有技术的档位定位水平，同时采用压紧杠杆和拉伸弹簧来锁定，装置外置，结构上基本没有限制，锁紧力可调，容易满足要求，从而克服跳档现象；另外，特定设计的操作手柄，使操作位置随需要确定，有利于机器结构布置。
机变操纵装置

[发明专利]多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法-CN03104826.9有效
发明人：黄仲仁;陈昕辉;刘光文;王致皓;邱家荣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-02-20 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种多层半导体集成电路及其所使用的光罩与其制造方法，该集成电路具有多层图案结构，其中的一图案结构层具有一正式图案布局以及一虚设图案布局；本方法是先提供一正式图案布局，再配合一规则的虚设图案布局，并利用逻辑操作将此虚设图案布局与该正式图案布局连结在一起，以便将虚设图案布局增设至正式图案布局的非正式图案空间中，进而利用此融合性图案布局去制作光罩，使其可适用于不同逻辑制程的多层半导体集成电路图案结构层的图案密度变化，进而降低多层图案结构层间的密度差异；本发明利用增设虚设图案布局的方式可简化黄光制程控制并使制程较为稳定。
多层半导体集成电路及其使用与其制造方法