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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210975812.2在审
发明人： 刘信成;张廖贵术 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供半导体结构及其形成方法。该半导体结构包括一基板、在该基板之上的一第一超晶格结构及一第二超晶格结构、围绕该第一超晶格结构及该第二超晶格结构中的每一者的一通道区的一栅极堆叠，及在该栅极堆叠的相对侧上的源极/漏极结构，所述源极/漏极结构接触该第一超晶格结构及该第二超晶格结构的侧壁。该第二超晶格结构安置在该第一超晶格结构之上。该第一超晶格结构及该第二超晶格结构中的每一者包括垂直堆叠的交替的一第一半导体材料的第一纳米片及不同于该第一半导体材料的一第二半导体材料的第二纳米片。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一种治安行政许可管理信息系统-CN200920147868.9无效
发明人：吴逊伟;刘锦德;刘信成;曾光 -专利权人：湖南省公安厅治安管理总队;长沙高新开发区洪安软件有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G06Q10/00 文献下载
摘要：本实用新型属于一种治安行政许可管理信息系统，该系统主要由省级网络系统，地级网络系统所构成，地级中心处理器通过无线或有线网络和网关设备与省级中心处理器连接，省级中心处理器通过无线或有线网络和网关设备与全国公安系统中心处理器连接。本实用新型能提高各级公安机关对治安行政许可管理的快速反应能力和工作效率，提高服务社会的水平和质量。
一种治安行政许可管理信息系统

[发明专利]一种治安行政许可管理信息系统及其建设方法-CN200910130819.9无效
发明人： 刘信成;曾光 -专利权人：长沙高新开发区洪安软件有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2009-09-09 - 主分类号： G06Q50/00 文献下载
摘要：本发明属于一种治安行政许可管理信息系统及其建设方法，该系统主要由省级网络系统，地级网络系统所构成，地级中心处理器通过无线或有线网络和网关设备与省级中心处理器连接，省级中心处理器通过无线或有线网络和网关设备与全国公安系统中心处理器连接。本发明建设方法是建立省级网络系统，建立地级网络系统，分别建立省地级服务代理处理器，利用现有的无线或有线网络进行数据传输和提供服务。本发明能提高各级公安机关对治安行政许可管理的快速反应能力和工作效率，提高服务社会的水平和质量，该建设方法简便，实用可行。
一种治安行政许可管理信息系统及其建设方法

[发明专利]图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法-CN200310102322.9无效
发明人：黄政阳;李士敬;林佩筠;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-10-24 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种图案化金属层的方法与金属内连线的制造方法，该图案化金属层的方法，是首先提供基底，且基底上已形成有数个元件结构，以及与这些元件结构所对应的数个内连线结构；之后，在基底上方形成介电层；接着，在介电层上形成金属材料层；然后对金属材料层进行电浆蚀刻制程，形成图案化的金属层，其中电浆蚀刻制程是以较低功率变压偶合式电浆进行，所以可解决现有技术中晶圆中心与晶圆边缘处的介电层其过度蚀刻程度不一致的问题。本发明可降低晶圆中心处与边缘处的介电层其过度蚀刻程度的差异性，另可使得晶圆中心处与边缘处的介电层被移除的厚度一致，还可使反应室的温度保持一致，而可提高晶圆中心处与晶圆边缘处的过度蚀刻速率的一致性。
图案金属方法连线制造

[发明专利]半导体用的扫瞄工具的校正方法及其标准校正片-CN03153591.7有效
发明人：马嘉淇;苏炎辉;吴敬斌;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2003-08-18 - 公布日： 2005-02-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种半导体用的扫瞄工具的校正方法及其用于校正扫瞄工具的标准校正片，该半导体用的扫瞄工具的校正方法，是首先提供具有一标准图案的一晶圆，其中该标准图案的侧壁是呈斜坡状。之后利用一扫瞄工具扫瞄晶圆上的标准图案，以取得一讯号，该讯号是表现出标准图案的侧壁处的位置，利用讯号即能对扫瞄工具作X方向、Y方向以及Z方向的校正。由于本发明的方法不但能对扫瞄工具作X方向与Y方向的校正，而且还能对Z方向作校正，因此，可以改善现有技术中因无法校正Z方向而使扫瞄工具仍有偏差的问题。
半导体工具校正方法及其标准

[发明专利]高密度电浆氧化沉积物的去除方法-CN02130423.8无效
发明人：李宏文;吴敬斌;张汉茂;马嘉淇;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种高密度电浆氧化沉积物的去除方法，其中，提供一基板并形成氮化硅层于其上，且以高密度电浆法(HDP)沉积氧化硅层于氮化硅层上，此去除方法包括步骤：(1)以内至外模式(in－side－out model)对氧化硅层进行蚀刻，基板中心的蚀刻速率比周边的蚀刻速率快；(2)以外至内模式(out－side－inmodel)对氧化硅层进行蚀刻，基板周边的蚀刻速率比中心的蚀刻速率快；及(3)以化学机械研磨法(CMP)移除残余的氧化硅层。本发明的两步骤回蚀可使残余的高密度电浆氧化物具有较佳的均匀度，且可完全地被平坦化。
高密度氧化沉积物去除方法

[发明专利]护垫蚀刻程序后去除氟化铝缺陷的方法-CN02130417.3无效
发明人：苏炎辉;吴敬斌;李宏文;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-08-19 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明涉及一种护垫蚀刻程序后去除元件上氟化铝缺陷的方法，包括以下步骤：(a)应用EKC溶液，主要包括羟胺(hydroxylamine，HDA)，且应用的时间约为30分钟；(b)应用一中间清洗化学品(intermediate rinse chemical)，如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)或N－甲基－四氢咯酮(N－methylpyrrolidone，NMP)，且应用的时间范围约为0.5－3分钟，及(c)应用水于元件上。本发明的方法可有效地去除氟化铝缺陷而不会对铝层造成腐蚀和损坏，使原先有缺陷的芯片可被救回，而不需被报废，进而降低芯片的生产成本。
护垫蚀刻程序去除氟化缺陷方法

[发明专利]真空隔绝室的进气结构-CN02122500.1无效
发明人：施世濠;陈委辰;罗际诚;刘信成;林育安 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-06-04 - 公布日： 2003-12-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体设备真空隔绝室(LoadLockChamber)进气结构，包含一安装于真空隔绝室顶端的过滤装置；一与氮气源连接的限压装置；以及一通过管路与限压装置及过滤装置连接的通气装置，其中该通气装置为一通气阀，可在真空隔绝室为真空状态时就控制通气阀，以最大通气量将气体源的气体导入真空隔绝室中，以缩短晶片承载室破真空的时间，增加机台的产量。
真空隔绝结构

[发明专利]半导体工艺记录设备-CN02120376.8有效
发明人：王宏翔;游顺全;刘邦开;林育安;陈委辰;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-05-23 - 公布日： 2003-12-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种半导体工艺记录设备，包括一缓冲电路及一端点记录装置。该缓冲电路的输入端连接于一外界的端点设备，用以接收从该端点设备输出的第一信号。该缓冲电路的输出端则连接于该端点记录装置，用以输出代表该第一信号的第二信号，响应于该第一信号。当该端点记录装置接收到该第二信号时，其基于该第二信号而输出一反馈信号至该缓冲电路。由于该反馈信号被阻绝于该缓冲电路中，故可保护该端点设备免受该反馈信号的损害，藉以大大地减低半导体制造的生产成本与速率。
半导体工艺记录设备

[发明专利]去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法-CN01144814.8无效
发明人：吴敬斌;李宏文;黄司丞;连楠梓;刘信成 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2003-07-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法，用来消除残留聚合物在晶片表面的回沾，造成品管检验时不良率过高及焊接工艺不良率过高的情况得以改善。该去除焊垫窗口形成后的残留聚合物的方法，焊垫窗口是蚀刻晶片的保护层而得，包含：以湿式去除工艺，去除该保护层上形成的蚀刻后聚合物；以干式去除工艺，去除该保护层上的残留聚合物并降低焊垫表面的氟浓度；及清洗该晶片。经过多次实际测试，使用本发明的方法，可将此种残留聚合物的回沾情况完全消除。本发明是利用交换湿式及干式去除工艺的方法，使得干式去除工艺O2－ashing，不仅对焊垫金属进行保护，还去除了湿式蚀刻形成的残留聚合物，故可在不增加成本的情况下，提高产品的品质。
去除窗口蚀刻残留聚合物方法

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