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[发明专利]导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜-CN202310762788.9在审
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，所述导电性粘接膜包含金属粒子、树脂以及通式(1)所示的硫醚化合物，硫醚化合物的含量为4.5～10.0质量％，树脂包含热固性树脂，金属粒子的平均粒径(d50)为20μm以下，金属粒子包含10质量％以上的第一金属粒子，第一金属粒子在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上，金属粒子还包含由球状金属粉构成的第二金属粒子，第一金属粒子与第二金属粒子或者第二金属粒子与第二金属粒子相互形成金属间化合物，在利用DSC进行分析的情况下，在进行烧结前的状态下至少观测到1个在100～250℃的温度范围内的吸热峰，且在烧结后的状态下该吸热峰消失。
导电性粘接膜使用切割芯片接合

[发明专利]导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜-CN201680077028.2有效
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将在实现无铅化的同时具有特别优良的导电性、且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(P)以及树脂(M)，所述树脂(M)包含热固性树脂(M1)，所述金属粒子(P)的平均粒径(d50)为20μm以下，且所述金属粒子(P)包含10质量％以上的第一金属粒子(P1)，所述第一金属粒子(P1)在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上。
导电性粘接膜使用切割芯片接合

[发明专利]导电性组合物-CN202110668371.7在审
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： C09J9/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种在将半导体功率元件接合于金属引线框时，耐热性和安装可靠性优异、且无铅、对环境的负荷小的机构。即提供一种至少含有用R‑S‑R’表示的硫化物、以及至少含有Cu、Sn、Ni中的任一种的金属粒子作为必要成分的导电性组合物。其中，R是至少含碳的有机基团，R’是与R相同或不同的有机基团，另外，R也可以与R’键合，即也可以为所谓的环状硫化物，而且提供使用所述导电性组合物制造而成的导电性浆料、导电性粘接膜、以及使所述导电性粘接膜与粘合带贴合而成的切割芯片接合膜。
导电性组合

[发明专利]导电性接合剂组合物-CN202110423369.3在审
发明人：青山真沙美;切替德之 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C09J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种不含焊料(铅)等有害物质、而且接合性优异的导电性接合剂。具体而言，一种导电性接合剂组合物，其特征在于：包含(A)热固化性树脂、(C)含金属元素的填料、以及(D)至少一种催化剂或固化剂，其中，上述(A)与(D)的反应起始温度为180℃以上。优选反应起始温度为200℃以上。优选该导电性接合剂还含有(B)助熔剂和(E)高分子成分。
导电性接合组合

[发明专利]粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法-CN201880002875.1有效
发明人： 切替德之;佐野透;森田稔 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：一种粘接膜、半导体晶片加工用带、半导体封装及其制造方法，该粘接膜是由含有热固性树脂、热塑性树脂和导热填料的粘接剂层构成的粘接膜，其中，上述导热填料的导热系数为12W/m·K以上且在上述粘接剂层中的含量为30～50体积％，上述热塑性树脂包含至少一种苯氧基树脂，并且对于固化后的粘接剂层而言，由下述数学式(1)计算出的可靠性系数S1为50～220(×10‑6GPa)，由下述数学式(2)计算出的可靠性系数S2为10～120(×10‑8GPa)，导热系数为0.5W/m·K以上。S1＝(Tg－25[℃])×(CTEα1[ppm/K])×(储能模量E’[GPa]260℃下)···(1)S2＝S1×(饱和吸水率WA[质量％])···(2)数学式(1)、(2)中，S1、S2、Tg、CTEα1、储能模量E’和饱和吸水率WA是针对固化后的粘接剂层的值。Tg为玻璃化转变温度，CTEα1为该玻璃化转变温度以下的线膨胀系数，储能模量E’是在260℃测定的值。另外，[]内表示单位。
粘接膜半导体晶片工用封装及其制造方法

[发明专利]导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜-CN201680077029.7有效
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将实现无铅化且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(Q)、树脂(M)以及选自规定的有机膦类(A)和规定的硫醚系化合物(B)中的至少一者，在烧结后的状态下测定的1Hz时的储能弹性模量为20GPa以下，并且在氮气氛围下于250℃加热2小时时的加热重量减少率低于1％。
导电性粘接膜使用切割芯片接合

[发明专利]膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法-CN201880003308.8有效
发明人：森田稔;切替德之 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本申请的目的在于提供能够防止半导体芯片背面、基板表面、散热器表面被填料局部性破坏的情形的膜状粘接剂、使用了膜状粘接剂的半导体封装体的制造方法。特征在于：含有环氧树脂(A)、环氧树脂固化剂(B)、苯氧基树脂(C)、导热性填充材料(D)，上述导热性填充材料(D)的平均粒径为0.1～10.0μm，在微小压缩试验中的破坏时压缩率为试样的平均粒径的5～50％，在微小压缩试验中的破坏强度为0.01～2.0GPa，导热率为30W/m·K以上，(D)的含量相对于上述(A)～(D)的总量为10～70体积％，热固化后导热率为1.0W/m·K以上。
膜状粘接剂使用半导体封装制造方法

[发明专利]膜状接合剂用组合物、膜状接合剂及制造方法、使用膜状接合剂的半导体封装及制造方法-CN201680017697.0有效
发明人：森田稔;切替德之;佐野透 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：一种膜状接合剂用组合物、膜状接合剂、膜状接合剂的制造方法、半导体封装及其制造方法，所述膜状接合剂用组合物为分别含有环氧树脂、环氧树脂固化剂、苯氧基树脂和氮化铝填充剂的组合物，氮化铝填充剂的含量相对于环氧树脂、环氧树脂固化剂、苯氧基树脂和氮化铝填充剂的总量为30～60体积％，将由该膜状接合剂用组合物得到的膜状接合剂从25℃以5℃/分钟的升温速度升温时，在80℃以上达到200～10000Pa·s的范围的最低熔融粘度，在热固化后提供导热系数为1.0W/m·K以上的固化体，并且热固化后于121℃在纯水中萃取20小时后的萃取水的电导率为50μS/cm以下。
接合组合制造方法使用半导体封装

[发明专利]导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜-CN201680076981.5有效
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将在实现无铅化的同时具有特别优良的导电性、且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(Q)、树脂(M)以及规定的有机磷化合物(A)，所述树脂(M)包含热固性树脂(M1)，所述金属粒子(Q)的平均粒径(d50)为20μm以下，且所述金属粒子(Q)包含10质量％以上的第一金属粒子(Q1)，所述第一金属粒子(Q1)在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上。
导电性粘接膜使用切割芯片接合

[发明专利]导电性粘接膜和切割芯片接合膜-CN201680003698.X有效
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-04-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：本发明的目的在于：提供一种在将半导体功率器件与金属引线框架接合时耐热性和安装可靠性优异、并且无铅且环境负担小的方案。具体而言是一种导电性粘接膜，包含金属颗粒、热固性树脂、和具有路易斯酸性的化合物或热产酸剂，其特征在于：上述具有路易斯酸性的化合物或热产酸剂选自氟化硼或其络合物、pKa＝－0.4以下的质子酸、或者将与该质子酸的盐相同的阴离子和氢离子或其他阳离子组合而获得的盐或酸。以及一种将上述导电性粘接膜与粘合带贴合而形成的切割芯片接合膜。
导电性粘接膜切割芯片接合

[发明专利]马来酰亚胺膜-CN201580045116.X有效
发明人：青山真沙美;切替德之 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供使用了对热历史耐受性高、可靠性高的马来酰亚胺树脂的马来酰亚胺膜、和将其层叠于切割胶带而形成的带切割胶带的粘接膜。具体而言，是一种马来酰亚胺粘接膜，其特征在于，含有马来酰亚胺树脂、和1小时的半衰期温度为140℃以上的自由基引发剂。优选一种马来酰亚胺粘接膜，其特征在于，马来酰亚胺树脂具有特定的结构。以及一种带切割胶带的粘接膜，其将这样的马来酰亚胺粘接膜层叠于切割胶带而成。
马来亚胺

[发明专利]导电性粘接膜-CN201580045111.7有效
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二郎;青山真沙美 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种粘接膜和使用了该粘接膜的半导体加工方法，所述粘接膜耐热性优异且应力缓和性也优异，并且无需使用银等昂贵的贵金属即可获得还可适用于功率半导体背面电极的这样的高导电性，不会从元件中溢出，可获得足够的粘接强度。具体而言，提供一种导电性粘接膜，所述导电性粘接膜包含至少含Cu的两种以上的金属颗粒和具有聚二甲基硅氧烷骨架的高分子。另外，还提供一种在该导电性接合膜上层叠切割胶带而形成的切割芯片粘接膜、以及使用了该粘接膜、切割芯片粘接膜的半导体晶片的加工方法。
导电性粘接膜

[发明专利]粘接膜和使用了粘接膜的半导体封装体-CN201580033114.9有效
发明人： 切替德之;青山真沙美 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明提供一种可解决拾取不良的问题、并可提高半导体封装体的产率的粘接膜。具体而言，提供一种粘接膜，其特征在于：包含(A)双马来酰亚胺树脂、(B)自由基引发剂、以及(C)具有(甲基)丙烯酰基的偶联剂。另外，提供一种带切割胶带的粘接膜，其特征在于：是在切割胶带上层压上述的粘接膜而形成的。还提供一种使用这样的带切割胶带的粘接膜而形成的半导体封装体。
粘接膜使用半导体封装

[发明专利]粘接膜-CN201580033222.6有效
发明人：青山真沙美;切替德之 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明目的在于，提供能够不对被粘体给予大的应力而缓和由被粘体间的线性膨胀系数之差引起的翘曲且可靠性更高的粘接膜。具体而言，一种粘接膜，其特征在于，包含：(A)固化性树脂，具有碳原子数为5～8的脂环烃被至少4个碳原子数为4～12的烷基取代的结构，进一步具有至少一个固化性部分；以及(B)聚合引发剂，1小时的半衰期温度为140℃以上。另外，一种带有切割胶带的粘接膜，将这样的粘接膜层压于切割胶带而成。
粘接膜

[发明专利]导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜-CN201680076970.7在审
发明人：三原尚明;切替德之;杉山二朗 -专利权人：古河电气工业株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C09J7/10 文献下载
摘要：本发明提供导电性粘接膜及使用其的切割芯片接合膜，该导电性粘接膜例如适合用作将半导体芯片(尤其是功率器件)接合于引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部上时的导电接合材料，并能将在实现无铅化的同时具有特别优良的导电性、且在接合以及烧结后的耐热性与安装可靠性两方面优良的接合层形成于半导体芯片与引线框的元件承载部上或者绝缘基板的回路电极部之间。本发明的导电性粘接膜包含金属粒子(P)、树脂(M)以及规定的硫醚化合物(A)，所述树脂(M)包含热固性树脂(M1)，所述金属粒子(P)的平均粒径(d50)为20μm以下，且所述金属粒子(P)包含10质量％以上的第一金属粒子(P1)，所述第一金属粒子(P1)在一次粒子的状态下利用投影图观察时的分形维数为1.1以上。
金属粒子导电性粘接膜半导体芯片芯片接合膜回路电极绝缘基板元件承载接合引线框树脂切割耐热性导电接合材料导电性硫醚化合物热固性树脂分形维数功率器件平均粒径一次粒子烧结接合层投影图无铅化观察

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