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[发明专利]微柱-孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法-CN202310755086.8在审
发明人：吴亚明;周碧青;凌必赟;徐巧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H02N1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微柱‑孔阵列结构MEMS静电驱动器及其制备方法，采用了微柱‑孔阵列电极驱动结构，充分利用大面积可动功能部件的背面空间，大幅度提高占空比，微柱‑孔阵列驱动结构密度高、数量多，环绕微柱一周均能产生静电力，静电驱动力密度大，特别适合于驱动平板结构上下平动以及扭转角度适中的扭转运动，从而可提高静电驱动器的力密度、减小芯片面积、降低芯片成本，对推动MEMS静电驱动器的发展具有重要意义。
微柱阵列结构 mems 静电驱动器及其制备方法

[发明专利]隐藏式多维MEMS微反射镜、阵列、阵列式器件及其制备方法-CN202310634507.1在审
发明人：吴亚明;蔡敏力;凌必赟;王潇悦;夏彧虎 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明提供一种隐藏式多维MEMS微反射镜、阵列、阵列式器件及其制备方法，通过多层晶圆堆叠以及两次键合工艺，实现了MEMS微镜阵列具备具有高光学质量以及高镜面占空比，还能解决多维运动结构在运动时的一系列工艺问题；还提供一种基于平面驱动电极与垂直驱动电极复合的静电驱动结构，在一定程度上降低了驱动电压，扩展了驱动行程范围，提高了静电驱动效能，多维运动结构又能够为晶圆键合提供大面积可动柔性结构的支撑，从而实现高光学面型质量的镜面、大尺寸镜面和大转角扫描，显著提高了产品的生产良率，此外，MEMS微镜阵列还拥有毫米级像素尺寸，可以实现双轴扭转与离面垂直运动，从而满足光学相控阵以及高端光刻机等高端光学系统的应用需求。
隐藏多维 mems 反射阵列器件及其制备方法

[发明专利]动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用-CN202210073281.8在审
发明人：吴亚明;陈栋;徐巧;凌必赟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G02B26/10 文献下载
摘要：本发明提供一种动磁式电磁驱动双轴光学扫描镜、阵列及其应用。该光学扫描镜包括光学镜面、永磁体、双轴扭转机构、驱动电磁铁；光学镜面与永磁体的一端相连接，永磁体中间与双轴扭转机构连接，驱动电磁铁产生的驱动磁场与永磁体的磁矩相交，永磁体受到电磁扭矩的作用而发生扭转运动；光学镜面位于双轴扭转机构的上方，两者所在的平面相互平行，且两者的垂直距离满足光学镜面在最大扫描角度内转动时的空间要求；驱动电磁铁包括三个及三个以上气隙磁极，气隙磁极对称分布，气隙磁极中间构成电磁铁气隙，永磁体位于电磁铁气隙中间，电磁铁气隙的尺寸满足永磁体在最大扫描角度内转动所需的空间要求。本发明可以实现大镜面尺寸、大角度扫描。
动磁式电磁驱动光学扫描阵列及其应用

[发明专利]一种基于粉末填充的低阻硅式TSV结构及制造方法-CN202310340962.0在审
发明人： 凌必赟;吴亚明;周碧青;王潇悦;全刚 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于粉末填充的低阻硅式TSV制造方法，包括：步骤S10，提供低阻硅片；步骤S20，在低阻硅片的第一面蚀刻形成环形盲孔；步骤S30，在环形盲孔中填充待固化粉末；步骤S40，清除低阻硅片表面残留的待固化粉末；步骤S50，对待固化粉末进行固化，形成固定于环形盲孔侧壁的电绝缘的环形支撑层；步骤S60，在低阻硅片的第二面蚀刻形成环形盲孔，用于形成从低阻硅片分离出的导电硅柱，并重复步骤S30～步骤S50；或在低阻硅片的第二面减薄至环形支撑层完全露头，形成从低阻硅片分离出的导电硅柱；步骤S70，在导电硅柱上下表面的部分区域蚀刻形成开口，使硅暴露，制造完成。本发明还涉及相应的基于粉末填充的低阻硅式TSV结构。本发明提高了TSV技术与MEMS工艺的兼容性，并优化了填充质量。
一种基于粉末填充低阻硅式 tsv 结构制造方法

[发明专利]一种MEMS芯片的封装方法及封装结构-CN202310293572.2在审
发明人：吴亚明;夏彧虎;凌必赟;王潇悦;周碧青 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明一种MEMS芯片的封装方法及封装结构，该封装方法包括以下步骤：在MEMS晶圆上键合临时封装盖板，其中MEMS晶圆上包括多个间隔排列的MEMS芯片，临时封装盖板底面设有多个间隔排列的封环微结构使得每一MEMS芯片的上方形成一密封空腔；对MEMS晶圆进行划片以得到多个分别包括一封环微结构的MEMS芯片临时封装结构；将MEMS芯片临时封装结构进行芯片封装；移除MEMS芯片临时封装结构中的封环微结构。本发明的MEMS芯片的封装方法中能够避免传统MEMS芯片封装方法中因MEMS芯片密封光窗的设置造成的光束损耗对器件性能造成的不利影响，提高了MEMS芯片的工作性能及稳定性。
一种 mems 芯片封装方法结构

[发明专利]一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法-CN202211305026.8在审
发明人：王潇悦;吴亚明;凌必赟;陈栋;徐巧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B81C99/00 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻测量图形结构及钻蚀量的测量方法，所述蚀刻测量图形结构用于测量晶圆蚀刻量，所述蚀刻测量图形结构包括以线性阵列排布的测量图形；各所述测量图形之间的间距依次构成等差数列。本发明的钻蚀量的测量方法中，通过设置蚀刻测量图形结构，测量图形成等差数列排布；在不影响晶圆整体工艺的情况下，基于测量图形的边缘连接情况获得钻蚀的数值，测量精度高。
一种蚀刻测量图形结构钻蚀测量方法

[发明专利]多级驱动的MEMS静电驱动器-CN202211248816.7在审
发明人： 凌必赟;吴亚明;王潇悦;陈栋;徐巧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种多级驱动的MEMS静电驱动器，结构包括：衬底、载荷、逐级串联的若干个一维静电驱动结构、锚点、导线及绝缘介质；每一级的一维静电驱动结构均包括外框架、至少一个静电驱动单元、及至少一个弹性梁；载荷与第一级的外框架连接；除最后一级的外框架通过最后一级的弹性梁悬挂固定到衬底以外，其余每一级的外框架均通过位于同一级的弹性梁连接下一级的外框架；静电驱动单元包括两个位置相对的梳齿集，分别布置于位于同一级的外框架，及衬底或下一级的所述外框架；每一级的外框架在位于同一级的静电驱动单元的作用下独立地实现一维运动；在各级的一维静电驱动结构的共同作用下，载荷实现无耦合干扰的多维运动或/和大位移运动。
多级驱动 mems 静电驱动器

[发明专利]一种无轴间耦合的双轴静电驱动微反射镜及阵列式器件-CN202211248795.9在审
发明人： 凌必赟;吴亚明;王潇悦;陈栋;徐巧 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G02B26/08 文献下载
摘要：本发明提供一种无轴间耦合的双轴静电驱动微反射镜及阵列式器件，无轴间耦合的双轴静电驱动微反射镜包括：衬底；绕着外轴扭转的外框架，及将其固定在衬底上的外轴扭转梁和锚点；布置在外轴两侧的外轴驱动单元，每个外轴驱动单元包括两个高低插指分布的梳齿集；绕着内轴扭转的反射镜体、及将其与外框架连接的内轴扭转梁；布置在反射镜体上表面的反射膜；布置在内轴两侧的内轴驱动单元，每个内轴驱动单元包括两个高低插指交错分布的梳齿集；导线及绝缘介质。本发明将反射镜体、内轴扭转梁和内轴驱动单元均作为外框架的随动结构，实现了内轴驱动和外轴驱动的物理隔离，消除了轴间耦合干扰。
一种无轴间耦合静电驱动反射阵列器件

[发明专利]一种电场传感器的封装组件、封装方法及电场传感器-CN201910095416.9有效
发明人：任仁;彭春荣;凌必赟;夏善红;郑凤杰;吕曜 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种电场传感器的封装组件、封装方法及电场传感器。所述组件包括：基底；封帽组件，其与所述基底连接形成内腔，所述封帽组件包括绝缘层与金属层，其中，所述绝缘层用于将所述内腔与外界隔离，所述金属层覆盖于所述绝缘层外表面，所述金属层包括对称分布的两块金属电极，所述两块金属电极之间具有缝隙；电场传感器，固定于所述内腔中的基底上。通过封帽组件的绝缘层实现对电场传感器的保护，避免了外界环境对芯片工作状态的干扰。通过在封帽组件的金属层设置对称分布的两块金属电极，以及设计两块金属电极之间存在缝隙，该缝隙的存在保证了外界电场在电场传感器上的分布在后续检测中不被消除。
一种电场传感器封装组件方法

[发明专利]一种低轴间耦合的三维电场传感器-CN201711202281.9有效
发明人：夏善红;凌必赟;彭春荣 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2017-11-24 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：一种低轴间耦合的三维电场传感器，其三组电场敏感单元均采用轴对称差分设计，用于测量垂直于对称轴方向的面内电场分量，并且抵消垂直于电场敏感单元的电场分量和平行于对称轴的电场分量的耦合。每一个电场敏感单元的结构包括：轴对称的基底板；至少一对感应电极和至少一对驱动电极，均对称布置在基底对称轴的两侧；振动板，沿着基底板对称轴对称布置，用于在驱动电极的驱动下做水平或竖直方向的平动，从而调制感应电极的电场分布。本发明实现了对三维电场的测量，并从结构设计上降低了轴间耦合。
一种低轴间耦合三维电场传感器

[发明专利]基于微组装的三棱结构微型三维电场传感器及制备技术-CN201811592143.0有效
发明人：夏善红;凌必赟;彭春荣;任仁;郑凤杰 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于微组装的三棱结构微型三维电场传感器，包括至少三个电场敏感单元，布置于三个基底(5)上，分别用于测量电场X方向、Y方向和Z方向的分量；三个基底(5)构成三棱结构；每个基底(5)设有对应的引线底座(6)，引线底座(6)上设有焊盘(8)，通过导线(9)与电场敏感单元连接；柔性连接件(7)，将三个基底(5)与引线底座(6)连接构成整体结构；互锁机构(4)，设于其中两个基底(5)的连接处，用于固定三个基底(5)的相对位置，使得任意一基底(5)上电场敏感单元的测量轴与其它基底(5)上电场敏感单元的测量轴正交。该电场传感器具有集成度高、体积小、组装流程简单和三维电场测量准确度高等优点。
基于组装三棱结构微型三维电场传感器制备技术

[发明专利]电场传感器标定系统-CN201810143967.3有效
发明人：任仁;彭春荣;凌必赟;储昭志;夏善红;郑凤杰;吕曜 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种电场传感器标定系统，包括电场产生组件和电场标定组件，其中电场产生组件包括上极板、下极板、零电势极板、支撑住和箱体。上极板、下极板的弧形设计，有效利用边缘效应对内部电场分布的影响，使产生电场在中心测试区域更为均匀分布；零电势极板上可以同时放置多个传感器进行测试。本公开的有益效果为弧形极板的设计有效利用边缘效应对内部电场分布的影响，使得产生电场在中心测试区域更为均匀分布，扩大了均匀分布范围，为多传感器同时测试提供基础，有效提高了标定传感器的工作效率；同时可以省去等位线和高压电阻的使用，避免了误碰触多条等位线导致的安全隐患，还增强了标定系统的温度和湿度稳定性。
电场传感器标定系统

[发明专利]基于多通道开关的电场传感器系统-CN201810267990.3有效
发明人：任仁;彭春荣;储昭志;凌必赟;夏善红;郑凤杰;吕曜 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01R29/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于多通道开关的电场传感器系统，主要通过多通道控制单元实现对多通道开关阵列的控制，进而控制分立电容阵列与信号检测单元连通和/或断开，把待测量值从检测不稳定的直流信号转化为检测交流信号。本公开针对在外界低频电场的作用下，由于电场的变化非常缓慢，多数情况下几近为直流静电场，频率范围最高不超过数百赫兹，电容两端电压U为极小直流值，而且不稳定，难以检测的问题，本公开通过多通道控制单元控制多通道开关阵列按序通断，实现分立电容阵列的总电容值的交流变化，使得相应的电压从直流量变化为交流信号，从而易于检出，实现低频和直流电场的检测。
多通道开关检测电场传感器电容阵列交流信号多通道分立电容两端电压信号检测单元直流静电场低频电场直流电场直流信号电场小直流总电容检出通断断开连通测量转化交流

[发明专利]一种无源型电流电压集成传感器-CN201610329901.4有效
发明人：夏善红;李斌;彭春荣;杨鹏飞;凌必赟;郑凤杰 -专利权人：中国科学院电子学研究所
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种无源型电流电压集成传感器，其由位于传输导线周围的两个传感部件组成，每个传感部件由衬底、磁芯线圈、金属层、连接导线、焊盘和固定装置组成。磁芯线圈位于衬底的上表面，与连接导线和焊盘构成电流传感器；金属层位于衬底的下表面，与连接导线和焊盘构成电压传感器，固定装置位于金属层的下方，两个传感部件与传输导线间的距离不同，通过固定装置安装在传输导线表面。传感器离传输导线的距离取决于固定装置的高低，调整方便；其基于微细加工技术，传感部件均采用无源测量，可以同时检测电流信号和电压信号，不需要外部供电，功耗低，结构简单，微型化，线性度好，动态范围大，成本低廉，有利于批量化生产。
一种无源电流电压集成传感器

[发明专利]一种基于扭转振动的互屏蔽式电场传感器-CN201810255986.5在审
发明人：夏善红;储昭志;雷虎成;彭春荣;凌必赟;张洲威 -专利权人：中国科学院电子学研究所;北京中科飞龙传感技术有限责任公司
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01R29/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于扭转振动的互屏蔽式电场传感器，包括：基底；电场感应结构，该电场感应结构包含：至少一组固定电极和可动扭转电极，该固定电极与可动扭转电极均为感应电极，并且两者互为屏蔽电极，即在可动扭转电极扭转振动时，固定电极和可动扭转电极之间产生相对运动，两者相互屏蔽，同时在固定电极和可动扭转电极上产生感应电荷的变化；扭转弹性梁，与可动扭转电极相连；以及驱动结构，驱动可动扭转电极绕着扭转弹性梁发生扭转振动，使得固定电极与可动扭转电极产生相对位置变化。该电场传感器的结构简单且体积小，感应效率高，使用范围广泛，适用于普通机械加工和微加工技术制备，易于组装、集成、批量化和规模化生产。
可动电极扭转固定电极扭转振动电场传感器电场感应弹性梁屏蔽式相对位置变化规模化生产微加工技术电极产生感应电荷感应电极感应效率机械加工屏蔽电极驱动结构批量化体积小屏蔽基底制备组装驱动

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