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[发明专利]薄膜体声谐振器和半导体器件-CN201910328542.4有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构，所述多个台阶结构具有不同的宽度且连续地堆叠在所述上电极层上；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述薄膜体声谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
薄膜谐振器半导体器件

[发明专利]薄膜体声波谐振器和滤波器-CN201910328576.3有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声波谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，所述压电层包括掺杂多种稀土元素的压电材料，用以改进压电层的压电特性，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
薄膜声波谐振器滤波器

[发明专利]谐振器及滤波器-CN201910328545.8有效
发明人：李亮;李宏军;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;钱丽勋;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器及滤波器。该谐振器包括衬底、下电极层、上电极层和环；其中，环设置在所述下电极层或所述上电极层的表面上。所述衬底和所述下电极层之间形成有具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上；通过设置环及腔体，使谐振器形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]谐振器和滤波器-CN201910329129.X有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种包括桥部的堆叠式声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括第一电极层、第一压电层、第二电极层、第二压电层和第三电极层；和桥部，设置在所述第一电极层和第三电极层之间；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]声学谐振器和滤波器-CN201910328566.X有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；以及桥部，其与所述多层结构的末端相邻，且与所述上电极层的一部分重叠，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
声学谐振器滤波器

[发明专利]具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法-CN201910328580.X有效
发明人：李亮;李丽;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;钱丽勋;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
具有晶种层谐振器滤波器制备方法

[发明专利]谐振器和滤波器-CN201910329118.1有效
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H03H3/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；空气翼及空气桥，形成于所述压电层和上电极层之间，所述空气翼具有界定所述谐振器的作用区域的外边界的内边缘；及温度补偿特征，具有正温度系数以用于抵消所述压电层的负温度系数的至少一部分；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述温度补偿特征在所述作用区域外侧延伸达预定长度。上述谐振器具有较好的性能。
谐振器滤波器

[实用新型]医疗设备-CN202222748911.5有效
发明人：钮冬至;冯利东 -专利权人：贝克曼库尔特实验系统（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本申请涉及一种医疗设备。该医疗设备包括壳体和设置在所述壳体上的透明视窗。所述透明视窗包括第一观察部。所述第一观察部包括第一非导电层、导电层和第二非导电层，其中，所述导电层夹置并紧固在所述第一非导电层与所述第二非导电层之间。根据本申请的医疗设备能够满足电磁兼容性(EMC)检测需求，同时能够简化制造工艺、缩短制造周期并且/或者降低成本。
医疗设备

[发明专利]体声波谐振器、其制作方法和半导体器件-CN201910329139.3有效
发明人：李亮;钱丽勋;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;李丽;卜爱民;王强;付兴昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
声波谐振器制作方法半导体器件

[发明专利]一种道路施工用隔离板及其安装机构-CN202110086810.3有效
发明人： 冯利东;李伟华;王艳林;李海滨;王佳伟;张治国;刘桂霞;南永锋;卜伟成;岳玉云 -专利权人： 冯利东
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： E04H17/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种道路施工用隔离板及其安装机构，包括板体，板体上设有凹槽，凹槽内固定安装有导向套，凹槽内还设有穿过导向套的下压杆，下压杆的上端设有内六角沉孔，下压杆上铰接有连杆，板体的下端铰接有摆动杆，摆动杆和连杆的自由端铰接在一起，下压杆的下端面设有沿着下压杆的轴线方向延伸的压杆导向孔，压杆导向孔内活动安装有定位杆，定位杆的下端设有第一定位头，摆动杆上也设有固定机构；下压杆下压过程中连杆带动摆动杆打开，下压杆的第一定位头插入地面上定位孔，而后通过摆动杆上的固定机构对摆动杆也进行固定，从而能够高效的完成隔离板的安装。
一种道路施工隔离及其安装机构

[实用新型]一种方便建筑施工用的喷淋设备-CN202020342978.7有效
发明人：冯璐;郭丹丹;冯利东 -专利权人：冯璐
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： B05B9/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种方便建筑施工用的喷淋设备，包括水车本体和水泵，所述水泵安装在水车本体一侧，且水泵一端连通有喷淋管道，所述喷淋管道的输出端底部连接有擦拭水的擦拭件，所述擦拭件一端连接有用以推动擦拭件的推动件，且推动件与水车本体一侧连接，所述水车本体顶部连接有收纳喷淋管道的滚筒件，此方便建筑施工用的喷淋设备，通过将所设的推动件推动擦拭件与喷淋管道的输出端，至板块状的建筑材料表面，便于板块状的建筑材料表面的喷淋，同时推动件便于将擦拭件在喷淋过后的建筑材料表面进行涂抹，便于将喷淋的水均匀涂抹在建筑材料表面，有利于建筑材料表面对喷淋水的吸收，避免喷淋水过多积累，不理板块状建筑材料对喷淋水的吸收。
一种方便建筑施工喷淋设备

[实用新型]一种基于建筑施工的隔离装置-CN202020344866.5有效
发明人：郭丹丹;冯利东;冯璐 -专利权人：郭丹丹
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： E04H17/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于建筑施工的隔离装置，包括放置座，所述放置座设有两个，且两个放置座一侧连接有折叠栏杆，两个所述折叠栏杆之间设有安装板，且安装板内部设有安装槽，所述安装槽内部连接有螺纹杆，且螺纹杆两端连接用以调整折叠栏杆角度的调整件，所述折叠栏杆一端与调整件一端连接，此基于建筑施工的隔离装置，在建筑施工的需要对拐角处进行隔离保护时，通过将折叠栏杆与调整连接连接处，调整折叠栏杆的角度，便于将折叠栏杆调整至施工场地的拐角角度后，将调整件与折叠栏杆进行固定，便于在施工场地对拐角处的隔离保护，同时避免了使用多个防护栏杆相互拼接的麻烦，同时在本方案中设计的滚轮便于在使用时的拖拉移动。
一种基于建筑施工隔离装置

[实用新型]一种消尘式建筑用石料破碎装置-CN202020342966.4有效
发明人： 冯利东;冯璐;郭丹丹 -专利权人： 冯利东
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B02C23/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种消尘式建筑用石料破碎装置，包括工作台和破碎机，所述破碎机安装在工作台上，所述工作台底部安装有收集槽，所述收集槽外侧安装有用于石料破碎后粉尘消除的粉尘吸附装置，本实用新型在使用时，通过粉尘吸附装置能够有效地将收集槽内粉尘的吸附，避免石料破碎时，产生粉尘四散，对人员身体健康造成影响，同时通过吸附臂内过滤件的设置，从而实现对粉尘吸附过程中，颗粒较大的碎石子进行过滤，避免吸附碎石子对管道内部造成损坏，同时还能防止滤网堵塞等问题，使得抽风量满足对粉尘的吸出。
一种消尘式建筑石料破碎装置

[发明专利]谐振器和滤波器-CN201910328530.1在审
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。多层结构形成于衬底上，包括压电层、第一电极和第二电极；其中，第一电极和第二电极分别设置在压电层的两侧，所述第一电极包括第一导电层和第二导电层，所述第二电极包括第三导电层和第四导电层，第一电极和第二电极的声阻抗随距离压电层的距离增大而增大；同时，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，形成一种新型的谐振器结构，使谐振器具有较好的性能。
谐振器滤波器

[发明专利]一种声谐振器-CN201910328539.2在审
发明人：李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;高渊;丁现朋;冯利东;商庆杰;钱丽勋;李丽 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声谐振器，所述声谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述下电极层的边缘邻接平坦化层；所述多层结构中设置有桥部。本发明的声谐振器通过特殊结构的腔体与桥部的结合，具有良好的性能，且结构坚固，不易损坏。
一种谐振器

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