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[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202180005331.2在审
发明人：江藤宗一郎;冈本翔;中元茂;臼井建人 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置以及方法对配置于真空容器内部的处理室内的处理对象的晶片使用在该处理室内形成的等离子进行处理，在该等离子处理装置以及方法中，在所述处理对象的晶片的处理中的给定的多个时刻从所述晶片表面接受多个波长的光，在使用将表示该接受到多个波长的光的强度的信息和表示预先取得的所述多个波长的光的强度的数据进行比较的结果来检测所述处理对象的晶片的处理中的处理的量的情况下，基于表示预先在多个晶片各自的所述处理中取得的来自各个该晶片的表面的光的所述多个波长的光的强度的数据，将各晶片彼此之间的相似度数值化，将对应于被数值化的所述相似度而选择的至少1个数据和表示在所述处理对象的晶片的处理中得到的所述多个波长的光的强度的数据进行比较，来检测所述处理的量。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202111084850.0在审
发明人：福地功祐;朝仓凉次;江藤宗一郎;冈本翔;臼井建人;中元茂 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子处理装置以及等离子处理方法。即使是在半导体晶片表面的微细形状中发生偏差的情况，也能精度良好地检测被处理膜的厚度。在具备检测在真空处理室的内部中被处理的被处理件的被处理膜的状态的处理状态检测组件的等离子处理装置中，具备如下要素而构成处理状态检测组件：检测等离子的发光的发光检测部；求取等离子的发光的微分波形数据的运算部；存储多个微分波形图案数据的数据库部；赋予基于运算部中求得的微分波形数据与存储于数据库部的多个微分波形图案数据的差的权重来算出在被处理件被处理的被处理膜的膜厚的估计值的膜厚算出部；和基于由膜厚算出部算出的被处理膜的膜厚的估计值来判定等离子处理的终点的终点判定部。
等离子处理装置以及方法

[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法-CN202080016429.3在审
发明人： 冈本翔;臼井建人;松井都;中元茂;川本尚裕;关口笃史 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：等离子处理装置(1)对在基板上形成有交替层叠绝缘膜和含金属的被处理膜的多层膜的晶片(16)进行被处理膜的等离子蚀刻，该等离子处理装置(1)具有：配置于真空容器内的处理室(10)；配置于处理室内且载置晶片的样品台(14)；检测对晶片照射的光在晶片反射的反射光的检测部(28)；控制对晶片的等离子处理的控制部(40)；和基于反射光的光谱的波长方向的振动的振幅的变化来判定对被处理膜的蚀刻的终点的终点判定部(30)，控制部接受终点判定部所进行的终点的判定来停止对晶片的等离子处理。
等离子处理装置以及方法