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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN201380067846.0在审
发明人：山崎舜平;三宅博之;宍户英明;片山雅博;冈崎健一 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2013-12-13 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极；电容器，该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜；在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及在氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜。介电膜是氮化绝缘膜，氧化绝缘膜在一对电极之一上包括第一开口，氮化绝缘膜在一对电极之一上包括第二开口，且第二开口与第一开口相比是在内侧。
半导体装置

[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法-CN201310150088.0有效
发明人：山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
溅射制造方法薄膜形成

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201080040387.3有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。
发光装置及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201080030336.2有效
发明人：及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开制造具有作为通道形成区域的氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。所述方法包括：在栅绝缘层上形成氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的源电极层和漏电极层以便暴露所述氧化物半导体层的至少一部分；和在所述氧化物半导体层上形成与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘膜。在形成所述氧化物绝缘膜之前可在等离子体存在下使所述氧化物半导体的暴露部分暴露于含有氧气的气体中。所述方法允许氧扩散到所述氧化物半导体层中，这促进所述薄膜晶体管的优异特性。
制造半导体装置方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010248811.5有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201010246753.2有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。
半导体装置

[发明专利]漫游服务使能系统和方法-CN200410046434.1无效
发明人： 冈崎健一 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2004-05-31 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H04Q7/38 文献下载
摘要：提出了一种漫游服务使能系统，使用户能够实现对所需内容的访问，和/或从任意种类的因特网连接设备，向用户提供所需的服务。SRF(服务漫游框架)服务器具有网络控制单元、订户个性化设置存储单元和订户验证单元。订户个性化设置存储单元存储与用户能够使用的接入终端的类型有关的信息，以及用于标识与接入终端相一致的接入单元的订户个性化设置信息。网络控制单元通过使数据与数据与接入终端的类型相匹配，以及根据由订户个性化设置存储单元存储的订户个性化设置信息，使数据与接入单元相匹配，传送由服务提供服务器所提供的数据。
漫游服务系统方法

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