“全秀昶”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果11个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非易失性存储器件及其编程方法-CN201711120376.6有效
发明人：沈烔教;朴相元;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了对包括N条串选择线、字线、第一位线组和第二位线组的非易失性存储器件进行编程的方法。该方法可以包括：响应于顺序施加的第一地址至第N地址，通过顺序地选择所述N条串选择线来顺序地对连接到字线和包括在第一位线组中的至少一条位线的第一存储器单元进行编程；然后响应于顺序施加的第N+1地址至第2N地址，通过顺序地选择所述N条串选择线之一来顺序地对连接到字线和包括在第二位线组中的至少一条位线的第二存储器单元进行编程。
非易失性存储器及其编程方法

[发明专利]包括存储器平面的非易失性存储器设备及其操作方法-CN201811189134.7有效
发明人： 全秀昶;朴相元;沈烔敎;郭东勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：提供了一种具有存储器芯片的非易失性存储器设备。所述存储器芯片具有包括共享焊盘的多个存储器平面的存储器单元阵列，所述焊盘被配置为传送输入和输出信号。所述存储器芯片还具有控制电路，其被配置为：监视所述多个存储器平面的操作，以及基于监视的结果控制所述多个存储器平面中的至少一个的操作，使得所述多个存储器平面的峰值功率间隔是至少部分地分散的。
包括存储器平面非易失性存储器设备及其操作方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的半导体封装件-CN202211407915.5在审
发明人：金相录;朴商秀;朴廷埈;全秀昶;曹诚敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：公开了半导体装置和半导体封装件。所述半导体装置包括：半导体基底，包括堆叠区域和垫区域；外围电路结构，包括在半导体基底上的多个外围电路；单元阵列结构，在外围电路结构上；以及再分布层，在单元阵列结构上并且包括再分布介电层和在再分布介电层上的再分布图案。再分布介电层覆盖单元阵列结构的最上面的导电图案。再分布图案连接到最上面的导电图案。再分布层在垫区域上的在竖直方向上的厚度大于再分布层在堆叠区域上的在竖直方向上的厚度。
半导体装置包括封装

[发明专利]非易失性存储器和包括该非易失性存储器的存储装置-CN202211073405.9在审
发明人：朴相元;郑原宅;李汉埈;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器和一种包括该非易失性存储器的存储装置。该非易失性存储器可以包括：第一存储器单元阵列，其包括连接到第一串选择线的第一选择晶体管；第二存储器单元阵列，其包括连接到通过第一切割线与第一串选择线间隔开的第二串选择线的第二选择晶体管；以及外围电路。外围电路可以将第一编程电压提供到第一选择晶体管，将与第一编程电压不同的第二编程电压提供到第二选择晶体管，响应于第一编程电压用第一阈值电压对第一选择晶体管进行编程，并且响应于第二编程电压用具有大于第一阈值电压的电平的电平的第二阈值电压对第二选择晶体管进行编程。
非易失性存储器包括存储装置

[发明专利]非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法-CN202210713815.9在审
发明人：朴周龙;朴相元;申东珍;全秀昶;崔胜涌 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。
非易失性存储器包括存储设备操作方法

[发明专利]输出存储装置的内部状态的装置和使用其的存储系统-CN201710695642.1有效
发明人：禹成勋;金学善;李光振;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C16/16 文献下载
摘要：提供了一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。该装置包括：状态信号生成电路，生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号；以及状态信号输出控制电路，接收第一信号，并且基于芯片使能信号或初始设置的功能命令或这两者将第二信号输出到输出焊盘。第一信号指示两个状态中的一个状态，并且第二信号指示三个状态中的一个状态。
输出存储装置内部状态使用存储系统

[发明专利]非易失性存储装置-CN201711282951.2有效
发明人：朴俊泓;宋基焕;任琫淳;全秀昶;金真怜;俞昌渊;沈烔教;金成镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列，具有多个面；多个页缓冲器，布置为与多个面中的每个面对应；以及控制逻辑电路，被配置为向多个页缓冲器中的每个页缓冲器传输位线设定信号。多个页缓冲器中的每个包括被配置为响应于位线设定信号对感测节点和位线进行预充电的预充电电路以及被配置为响应于位线截止信号执行位线截止操作的截止电路。控制逻辑电路被配置为当位线设定信号的电平根据位线截止信号的梯度而改变时来控制转换时间，其中，位线截止信号从第一电平改变为第二电平。
非易失性存储装置

[发明专利]非易失性存储装置-CN201710547418.8有效
发明人：朴相元;全秀昶;沈烔教 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储装置，所述非易失性存储装置包括单元串，单元串具有连接到一条位线的多个存储单元。页缓冲器经由感测节点连接到位线并经由位线连接到单元串。页缓冲器包括用于存储位线设定信息的第一锁存器和用于存储强制信息的第二锁存器。第一锁存器被构造为将位线设定信息输出到感测节点，第二锁存器被构造为独立于第一锁存器将强制信息输出到感测节点。
非易失性存储装置

[发明专利]非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法-CN201910594574.9在审
发明人：金承范;朴一汉;李知英;全秀昶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态，每个页缓冲器包括锁存器，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定。
非易失性存储器装置操作方法

[发明专利]存储器装置和读取数据的方法-CN201910827364.X在审
发明人： 全秀昶;金承范;李知英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括：存储器单元区域，包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域；第一位线和第二位线；外部存储器单元串，包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存储器单元；内部存储器单元串，包括连接到延伸通过内部区域的内部柱的存储器单元；以及数据输入/输出电路。数据输入/输出电路包括：页面缓冲器电路，在第一读取操作期间，页面缓冲器电路连接第一位线，并且在第二读取操作期间，页面缓冲器电路连接第二位线；以及读取电压确定单元，选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。
存储器装置读取数据方法

[发明专利]非易失性存储器器件及操作其的方法-CN201810325034.6在审
发明人： 全秀昶;高贵汉;郭东勋;金真怜 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-12 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种由非易失性存储器器件进行的方法，该方法可以包含：发起对应于多个编程循环当中的第一编程循环的第一编程操作；在第一编程操作期间接收紧急读取操作的暂停命令；基于暂停命令，从与接收暂停命令同时的第一时刻和在完成第一编程操作之后的第二时刻两者之一确定复原时刻；以及通过将复原电压施加到所选择的字线，在所确定的复原时刻发起复原。
暂停命令复原非易失性存储器器件编程操作编程循环编程操作期间读取操作复原电压字线施加

1
共 11 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top