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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]处理装置和处理方法-CN202111049655.4在审
发明人： 入宇田启树;千叶洋一郎;远藤笃史 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够扩大膜厚的面内分布的调整范围的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其具有大致圆筒形状，在侧壁形成有排气狭缝；以及多个气体喷嘴，其沿着所述处理容器的所述侧壁的内侧在铅垂方向上延伸设置，该多个气体喷嘴相对于将所述处理容器的中心和所述排气狭缝的中心连结的直线对称配置，该多个气体喷嘴分别向所述处理容器内喷出相同的处理气体。
处理装置方法

[发明专利]气体导入构造和处理装置-CN202111051005.3在审
发明人： 入宇田启树;五十岚玲太;坂下训康 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及气体导入构造和处理装置。提供一种能够向配置为多层的基板均匀地供给气体的技术。本公开的一技术方案的气体导入构造是沿大致圆筒形状的处理容器的长度方向延伸并向该处理容器内供给气体的气体导入构造，其中，该气体导入构造具有：导入部，其划分出导入室；喷出部，其划分出多个喷出室，所述多个喷出室分别包含向所述处理容器内喷出气体的多个气体孔；以及分支部，其与所述导入室连接，并且呈分支状与所述多个喷出室的数量对应地分支而划分出与所述多个喷出室连接的分支室。
气体导入构造处理装置

[发明专利]处理装置-CN202111051215.2在审
发明人： 入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种处理装置。提供一种能够提高膜厚的面内均匀性和面间均匀性的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：处理容器，其为大致圆筒形状，在该处理容器的长度方向上空开间隔地将多个基板收容为多层；以及气体喷嘴，其沿所述处理容器的长度方向延伸，在该气体喷嘴的长度方向上空开间隔地设有多个向所述处理容器内喷出气体的气体孔，所述气体孔相对于收容为多层的所述多个基板每隔一个地配置，所述气体孔朝向对应的所述基板的侧面喷出气体。
处理装置

[发明专利]处理装置和处理方法-CN202111055269.6在审
发明人： 入宇田启树;坂下训康 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及处理装置和处理方法。提供一种能够控制基板上的反应活性种的浓度分布的技术。本公开的一技术方案的处理装置包括：大致圆筒形状的处理容器；处理气体喷嘴，其沿着所述处理容器的侧壁的内侧在该处理容器的长度方向上延伸设置；排气构造体，其与所述处理气体喷嘴相对地形成于所述处理容器的相反侧的侧壁；以及浓度调整用气体喷嘴，其朝向所述处理容器的中心喷出浓度调整用气体，在自所述长度方向俯视时，所述浓度调整用气体喷嘴在以所述处理容器的中心为基准的中心角中设于所述排气构造体所形成的角度范围内。
处理装置方法

[发明专利]成膜方法、成膜装置以及存储介质-CN201810480895.1有效
发明人： 入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法、成膜装置以及存储介质。提供一种能够利用侧流方式或横流方式的批量式的立式成膜装置来控制被处理体上的反应活性种的浓度分布的成膜技术。配置被收纳在能够保持真空的处理容器内的多个被处理体，从设置在多个被处理体的侧方的规定的位置的成膜原料气体供给部沿着多个被处理体的表面供给成膜原料气体，在利用被处理体上由成膜原料气体产生的反应活性种在多个被处理体上统一地形成规定的膜时，通过从设置在与规定的位置不同的位置的浓度调整用气体供给部向多个被处理体的表面供给浓度调整用气体，来控制多个被处理体上的反应活性种的浓度分布。
方法装置以及存储介质

[发明专利]立式热处理装置-CN201610917830.X有效
发明人： 入宇田启树;福岛讲平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种立式热处理装置，该立式热处理装置包括：基板保持器具，其具有：支柱；基板保持部，其沿着所述支柱设有多个，用于分别保持基板；气流引导部，其针对每个基板设于所述支柱，以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成；升降台，其用于支承所述基板保持器具而将所述基板保持器具从所述反应容器的下方输入所述反应容器；旋转机构，其设于所述升降台，用于使所述基板保持器具绕纵轴旋转；处理气体供给口和排气口，其分别设于保持有所述多个基板的基板保持区域的后方侧和前方侧；整流部，其以在所述基板保持区域的左右从外侧朝向彼此相邻的气流引导部之间的空间突出而面对该空间的方式相对于所述基板保持器具独立地设置。
立式热处理装置

[发明专利]填充凹部的方法以及处理装置-CN201610090996.9有效
发明人：千叶洋一郞;入宇田启树;铃木大介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种填充凹部的方法以及处理装置。该填充凹部的方法用于填充被处理体的凹部，其中，该方法包括如下工序：沿着划分形成凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第1薄膜；通过在容器的内侧对被处理体进行退火，由第1薄膜的朝向凹部的底部移动了的半导体材料形成与半导体基板的结晶相应的外延区域；对第1薄膜的残留于凹部的壁面的部分进行蚀刻；对外延区域进行气相掺杂；沿着划分形成凹部的壁面形成实质上不含有杂质的半导体材料的第2薄膜；通过在容器的内侧对被处理体进行退火，由第2薄膜的朝向凹部的底部移动了的半导体材料进一步形成外延区域；对第2薄膜的残留于凹部的壁面的部分以及外延区域进行气相掺杂。
填充方法以及处理装置

[发明专利]层叠膜的形成方法及其形成装置-CN201310432378.4在审
发明人：大部智行;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及层叠膜的形成方法及其形成装置，该层叠膜的形成方法包括如下工序：在容纳于反应室内的多片被处理体上形成氧化硅膜的氧化硅膜形成工序、和向前述反应室内供给硅源、氮化剂和氧化剂、在前述多片被处理体上形成氮氧化硅膜的氮氧化硅膜形成工序；该方法具备如下步骤：重复前述氧化硅膜形成工序以及前述氮氧化硅膜形成工序，在前述多片被处理体上形成前述氧化硅膜和前述氮氧化硅膜的层叠膜。
层叠形成方法及其装置

[发明专利]立式分批式成膜装置-CN201210091746.9有效
发明人：远藤笃史;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种立式分批式成膜装置，该立式分批式成膜装置具有：处理室，其用于一并对多个被处理体进行成膜；加热装置，其用于加热被处理体；排气机构，其用于对处理室的内部进行排气；收容容器，其用于收容处理室；气体供给机构，其用于向收容容器的内部供给处理所使用的气体；多个气体导入孔，其设于处理室的侧壁，处理所使用的气体经由多个气体导入孔以与多个被处理体的处理面平行的气流向处理室的内部供给，并且在处理室内未设定炉内温度梯度就一并对多个被处理体进行成膜。
立式分批式成膜装置

[发明专利]硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置-CN201210090806.5有效
发明人：远藤笃史;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-30 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅氧化物膜和硅氮化物膜的层叠方法、成膜装置。本发明涉及在基板上层叠硅氧化物膜与硅氮化物膜的硅氧化物和硅氮化物膜的层叠方法，在成膜硅氮化物膜的气体中添加硼。
氧化物氮化物层叠方法装置

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