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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]广角发射滤光器，具有其的光学传感器组件，具有其的PCR系统及其制造方法-CN201711240504.0有效
发明人： 元俊镐;李道永;崔庚鹤;崔安植 -专利权人：光行科技株式会社
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：一种广角发射滤光器包括基质、光刻胶和着色剂。基质具有平坦的形状，并且包括透明材料。基质不会通过激发光产生荧光或磷光。光刻胶设置在基质中。光刻胶通过选自热硬化、光硬化和晾干中的至少一种方法固定为固态。着色剂设置在基质中，并且包括具有预定波长范围的光。广角发射滤光器无论激发光的入射角如何都过滤激发光。
广角发射滤光具有光学传感器组件 pcr 系统及其制造方法

[发明专利]使用背侧照明光电二极管的图像传感器及其制造方法-CN201410602294.5有效
发明人：朴在暎;元俊镐;李咏夏;李道永 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种在制造使用背侧照明光电二极管的图像传感器并对两个晶片进行接合时能够简化工艺并确保接偏的工艺余量的技术。当通过三维CIS(CMOS图像传感器)制造工艺制造图像传感器时，利用一个晶片的通孔和另一个晶片的接合垫盘对两个晶片，即第一晶片和第二晶片，进行电气连接。此外，当通过三维CIS(CMOS图像传感器)制造工艺制造图像传感器时，利用两个晶片的通孔对所述两个晶片进行电气连接。
使用照明光电二极管图像传感器及其制造方法

[发明专利]包括具有提高的光谱特性的红外像素的CMOS图像传感器及其制造方法-CN201380063333.2有效
发明人： 元俊镐;李源镐;李道永 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括具有提高的光谱特性的红外像素的CMOS图像传感器及其制造方法，其中在RGB像素的滤色器和红外像素的滤色器之间形成阶梯部。在根据各像素的滤色器和红外滤色器之间形成阶梯部，不管形成滤色器和红外滤色器的材料的特性如何，滤色器的厚度可任意调节，因此改进了串音特性。
包括具有提高光谱特性红外像素 cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]包括颜色微透镜的CMOS图像传感器及其制造方法-CN201380059491.0有效
发明人：安熙均;元俊镐 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及一种包括颜色微透镜的CMOS图像传感器及其制造方法，其中通过将由透明材料制成的微透镜替代为由具有与滤色器的特性相似特性的材料制成的微透镜，改进了微透镜的颜色特性。根据本发明的包括颜色微透镜的CMOS图像传感器及其制造方法，改进了颜色特性。由于微透镜和滤色器的形成过程同时执行，用于平坦化以及台阶差异调整的额外过程不是必需，从而整个过程简化。由于材料之间不存在交界面，光的前进过程中，反射、折射等减少，从而可提高光效率。
包括颜色透镜 cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法-CN201280073054.X在审
发明人：安熙均;元俊镐 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明涉及芯片堆栈式图像传感器及其制造方法。更加特别地，本发明涉及具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法，其中，第一半导体芯片和第二半导体芯片通过使用适于在每个半导体基板上形成的传感器特性的基板材料而被制造，以及将半导体芯片堆叠而形成图像传感器。根据具有异质结结构的芯片堆栈式图像传感器及其制造方法，由于用于第一半导体芯片中所使用的第一半导体基板的材料与用于第二半导体芯片中所使用的第二半导体基板的材料彼此不同，因而使得每个半导体芯片上形成的传感器的特性可被恰当地展现。
具有异质结结构芯片堆栈图像传感器及其制造方法

[发明专利]在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法-CN201110044161.7有效
发明人：安熙均;吴世仲;全寅均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2011-02-21 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种在具有三维堆叠结构的晶片中形成焊盘的方法，包括：(a)第一工艺，结合器件晶片与加工晶片；(b)第二工艺，在第一工艺之后使形成于器件晶片上的Si衬底的背面变薄；(c)第三工艺，在第二工艺之后形成抗反射层和PMD(优选金属沉积)介电层；(d)第四工艺，在第三工艺之后在形成于Si衬底上的超接触体的背面形成通孔；以及(e)第五工艺，在第四工艺之后形成焊盘。
具有三维堆叠结构晶片形成方法

[发明专利]尺寸减小的背面照射图像传感器及其制造方法-CN201010609277.6有效
发明人：全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-12-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种芯片尺寸减小的背面照射图像传感器具有设置在该背面照射图像传感器中的像素区域的垂直上部的电容器，在该背面照射图像传感器中，光从用户的背面照射，从而减小了芯片尺寸，以及一种制造该背面照射图像传感器的方法。该芯片尺寸减小的背面照射图像传感器的电容器形成在像素区域的垂直上部，而不在像素区域外部，因此不再需要形成该电容器的像素区域的外部面积，从而减小了芯片尺寸。
尺寸减小背面照射图像传感器及其制造方法

[发明专利]具有波导的图像传感器及其制造方法-CN201010152199.1有效
发明人：全寅均;吴世仲;安熙均;元俊镐 -专利权人： (株)赛丽康
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及具有波导的图像传感器及其制造方法。具有波导的图像传感器包括：半导体衬底，形成有光电二极管和外围电路区域；抗反射层，形成于半导体衬底上；绝缘层，形成于抗反射层上；布线层，形成于绝缘层上并连接至半导体衬底；至少一个层间介电层，堆叠在布线层上；以及波导，通过穿过在光电二极管上形成的层间介电层和布线层连接至绝缘层。
具有波导图像传感器及其制造方法

[发明专利]使用背照式光电二极管的图像传感器及其制造方法-CN200780022830.2有效
发明人：李炳洙;元俊镐 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提出了一种使用背照式光电二极管的图像传感器及其制造方法。根据本发明，由于可以对背照式光电二极管的表面进行稳定地处理，所以能够形成背照式光电二极管使其具有弱暗电流和高灵敏度，同时，使所有光电二极管对蓝光具有恒定的灵敏度。另外，通过采用将光电二极管和逻辑电路分别形成在不同衬底上的三维结构，可以制造出具有高密度的图像传感器。
使用背照式光电二极管图像传感器及其制造方法

[发明专利]用于获得三维图像的CMOS立体照相机-CN200780008388.8无效
发明人：李炳洙;元俊镐 -专利权人：（株）赛丽康
申请日： 2007-02-07 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H04N13/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于获得三维图像的CMOS立体照相机，其中，具有相同特征的两个CMOS图像传感器设置于单个半导体基底上。通过将两个CMOS图像传感器设置在同一半导体基底上，CMOS图像传感器具有位于同一平面内的像平面。用于处理三维图像的数字信号处理器(DSP)设置于两个CMOS图像传感器之间。CMOS图像传感器的光轴相互平行且垂直于所述像平面。由于形成于CMOS图像传感器上的光学装置可通过相同的方法制造，因此两个CMOS图像传感器之间的光轴的偏离可被最小化。
用于获得三维图像 cmos 立体照相机

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