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[发明专利]一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法-CN202211112869.6在审
发明人：徐国庆;王仍;焦翠灵;乔辉;储开慧;杨晓阳;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明公开了一种高饱和阈值的碲镉汞探测器芯片及制备方法，碲镉汞探测器芯片包括衬底、环氧树脂胶、p型光敏层、n型离子注入层、钝化层、n型电极层和p型电极层，p型光敏层是Hg1‑xCdxTe组分渐变层，沿背离衬底方向依次包括Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层和Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层，Cd组分x从高到低由Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层的上表面渐变至Cd组分线性渐变Hg1‑xCdxTe层的下表面。本发明芯片的n型离子注入层形成在Cd组分非线性渐变Hg1‑xCdxTe层内，渐变带隙引入的较强内建电场通过提高空穴的漂移速度，减少空穴在空间电荷区的堆积，同时抑制p区载流子的扩散运动，降低pn结对p区光生电子的收集效率，降低空间电荷区的载流子浓度，提高芯片饱和阈值，实现室温零偏置电压下工作。
一种饱和阈值碲镉汞探测器芯片制备方法

[实用新型]一种输液控制系统-CN202021622134.4有效
发明人：齐斌;储开慧;顾友壮 -专利权人：无锡职业技术学院
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： A61M5/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种输液控制系统，包括支架、吊挂于支架上的输液瓶以及连接于输液瓶上的输液管，还包括检测单元：包括固定于支架上的检测固定架，检测固定架上设置有位于输液瓶相对两侧的发射器、接收器以及中央处理器；发射器：用于发射红外线穿过输液瓶；接收器：用于接收红外线；中央处理器：用于在接收器接收到红外线时发出信号；夹断单元：包括夹断固定架，夹断固定架设置有一对铰接的夹杆，夹杆的一端之间的设置有输液管，夹杆的另一端设置有磁体，夹断固定架上且位于磁体之间设置有控制器以及电磁铁，且夹杆之间还设置有支撑弹簧，支撑弹簧有驱动夹杆转动至夹紧输液管的趋势；控制器：用于接收信号并控制电磁铁断电。
一种输液控制系统

[实用新型]一种改善光谱平整度的红外探测器-CN201320623863.5有效
发明人：许金通;李向阳;朱龙源;王妮丽;储开慧;赵水平;兰添翼 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本专利公开了一种改善光谱平整度的红外探测器，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本专利的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
一种改善光谱平整红外探测器

[发明专利]一种改善光谱平整度的红外探测器结构-CN201310469889.3无效
发明人：许金通;李向阳;朱龙源;王妮丽;储开慧;赵水平;兰添翼 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-10-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善响应光谱平整度的红外探测器结构，它包括金属电极、衬底、光敏感区和其它介质，金属电极位于矩形光敏感区的左右两边，其它介质位于矩形光敏感区的上下两边；所述的其它介质采用与光敏感区相同的材料，电学上与金属电极和光敏感区隔离。本发明的器件结构简单且有效，消除了响应光谱谱形的非线形，提高了光谱的平整度。
一种改善光谱平整红外探测器结构

[实用新型]一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片-CN201320057160.0有效
发明人：徐国庆;刘向阳;王仍;储开慧;汤亦聃;乔辉;贾嘉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本实用新型的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
一种无源电路耦合环孔型碲镉汞芯片

[发明专利]无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片-CN201310039941.1有效
发明人：徐国庆;刘向阳;王仍;储开慧;汤亦聃;乔辉;贾嘉;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种无源电路耦合的环孔型碲镉汞芯片，该芯片采用环孔工艺，把碲镉汞芯片耦合在无源电路上，即离子束刻蚀环孔的同时，在互连孔周围形成一个圆柱形N-on-P结，通过环孔金属化实现n型区与无源电路的互连。本发明的优点在于芯片可以通过金丝互连与读出电路实现连接，不仅克服了金丝覆盖光敏面问题，又可独立探测器芯片和读出电路，提高焦平面的成品率，同时发挥了环孔型探测器的优势，工艺简单，且具有高的填充因子。
无源电路耦合环孔型碲镉汞芯片

[实用新型]氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构-CN200920272392.1无效
发明人： 储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。
氮化晶体欧姆接触电极结构

[发明专利]一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法-CN200910226314.2有效
发明人： 储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
一种氮化晶体欧姆接触电极结构制备方法

[发明专利]背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器及制备方法-CN200910046992.0无效
发明人：包西昌;张文静;许金通;王玲;李超;储开慧;王妮丽;张燕;李向阳 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器，其特征在于，包括：一衬底；一AlN缓冲层；Si掺杂的n型Al_xGa_1-xN(0＜x≤0.8)层；一有源层，为本征或弱n掺杂的GaN层；一p型欧姆接触层，为Mg掺杂的p型GaN。通过Si离子注入工艺制备n⁺型的沟道，此n⁺型沟道连通n型Al_xGa_1-xN(0＜x≤0.8)层，有源层及p型欧姆接触层；一n型欧姆接触电极，该欧姆接触电极制作在n⁺沟道上；一p型欧姆接触电极，此电极制作在p型欧姆接触层上，构成背照射平面型PIN结构GaN基紫外探测器。
照射平面 pin 结构 gan 紫外探测器制备方法

[发明专利]碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法-CN200810036256.2无效
发明人：朱龙源;李向阳;王妮丽;刘诗嘉;储开慧;赵水平;兰添翼;刘向阳;张红妹 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞长波光导型红外面阵探测器及多层电极的制备方法，该探测器包括：衬底，与衬底接触的碲镉汞薄片，通过光刻在碲镉汞薄片上形成光敏元列阵及分别位于光敏元二侧的信号引出电极区和公共电极区，其特征是：信号引出电极区和公共电极区采用多层立交布置，在两层电极区交叠处依次设置有负胶层、SiO₂层作为复合绝缘介质。该多层电极的制备方法，主要包括复合绝缘介质的置备。本发明的优点是：电极区采用多层立交布置，增大了光敏面的有效使用面积，提高了器件的成像性能。本发明特别适合正面引出电极的光导型焦平面的器件，尤其是长波和甚长波的碲镉汞光导型焦平面探测器。
碲镉汞长波光导型红外面探测器多层电极制备方法

[实用新型]铟镓砷线列红外焦平面探测器-CN200620048154.9无效
发明人：吴小利;吕衍秋;韩冰;唐恒敬;王妮丽;储开慧;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本实用新型涉及铟镓砷线列红外焦平面探测器，该器件包括半绝缘InP衬底，在半绝缘InP衬底上依次排列生长有N型InP层、In_xGa_1－xAs吸收层和P型InP层。其特征在于：在P型InP层上有线列光敏元，光敏元的侧面周围为H离子辐照形成的隔离区。本实用新型的优点是：相对于传统的平面结构探测器，光电流的收集结是外延生长的，缺陷较少；相对于台面器件，它基本上保留了InP层晶格的完整性，并且在器件的侧面引入隔离，降低了光生载流子在侧面的产生复合。离子辐照可以精确的定义光敏元的面积。离子注入还具有工艺简单、重复性好以及可控性高等特点。
铟镓砷线列红外平面探测器

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