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[发明专利]一种安全性更高的用于物联网设备的网络安全防护方法-CN202110790506.7在审
发明人：孟令明;彭菲;傅思维;高宇 -专利权人：孟令明;彭菲;傅思维;高宇
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H04L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种安全性更高的用于物联网设备的网络安全防护方法，包括以下步骤，步骤一，系统对数据包进行添加身份标识，目标点首先获取身份标识，然后将所述身份标识发送至策略层，判断信息是否存在威胁；如果是，发出停止接收指令并丢弃数据包；如果否，则向所述目标点发出接收指令；步骤二，所述目标点接收数据包后并对其进行读取，所述目标点读取的同时生成读取日志，所述读取日志记录读取时间以及数据包内容类型；步骤三，所述目标点读取数据包后，对所述数据包内容通过特定算法进行筛选，筛选出所对应的物联网端部设备的执行命令条目，并将所述执行命令条目进行复制备份后保存至本地存储模块，然后控制所述物联网端部设备对执行命令条目进行执行。
一种安全性更高用于联网设备网络安全防护方法

[实用新型]一种带连接元器件的复合母排结构-CN201920114461.X有效
发明人：覃瑶;张强;李江胜;傅思维 -专利权人：湖南南车电器有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带连接元器件的复合母排结构，包括复合母排和连接元器件；所述复合母排包括依次叠装的第一表面绝缘层、第一导体层、中间绝缘层、第二导体层和第二表面绝缘层，所述第一导体层和第二导体层中的一个作为正电极、另一个作为负电极，正电极的外边缘设有正极折弯部，负电极的外边缘设有负极折弯部，所述正极折弯部和负极折弯部形成一插接端；所述连接元器件上设有与所述插接端相配置的插接口。本实用新型的复合母排自带安装元器件的条件，具有方法简单、工艺简单、制作快捷、成本低等优点。
复合母排折弯部绝缘层正极本实用新型第二导体层第一导体层连接元器件负极带连接负电极外边缘正电极元器件安装元器件中间绝缘层第二表面第一表面插接端插接口配置的插接叠装自带制作

[发明专利]涂布荧光粉的方法及发光二极管封装-CN201110273252.8有效
发明人：冯玟菲;夏德玲;傅思维 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种涂布荧光粉的方法以及发光二极管封装，此方法包含提供发光二极管，其上具有导电垫以及保护层，保护层设置于导电垫以外的区域，对核心荧光粉进行改质，形成改质的荧光粉，其具有官能基修饰于核心荧光粉上，将改质的荧光粉涂布于发光二极管上，其中改质的荧光粉所具有的官能基吸附于保护层上，而不会吸附于导电垫上，形成发光二极管封装。
荧光粉方法发光二极管封装

[发明专利]半导体发光元件-CN201110225154.7无效
发明人： 傅思维 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体发光元件，其包括一基板、一外延层以及一干涉薄膜。基板具有相对的第一表面以及第二表面。外延层配置于第一表面上。干涉薄膜配置于第二表面上。干涉薄膜由折射率相差至少0.7的多数层第一材质的薄膜以及多数层第二材质的薄膜相互交替堆叠而成。干涉薄膜的反射光谱具有至少一频通带。此至少一频通带允许一特定波长的入射光穿透，例如是中心波长介于532±10nm或1064±10nm之间的入射光，且反射率小于40％。本发明通过该基板上形成有干涉薄膜，可调变不同波段的穿透率及反射率，以使特定波长范围的激光光穿透此干涉薄膜，而不会被反射回去。
半导体发光元件

[发明专利]发光二极管封装结构-CN201110122980.9无效
发明人：蔡培崧;林子朴;傅思维 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-05-12 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管封装结构，包括：一基底；一发光二极管芯片(LED chip)，形成于基底之上；一复合镀层，形成于发光二极管芯片之上，其中复合镀层包括一第一镀层与一第二镀层，且该复合镀层于约500-800nm的波长范围内具有大于95％的反射率；一杯壳主体(cup body)，形成于该基底之上且环绕该发光二极管芯片；以及一封装层，覆盖发光二极管芯片，其中封装层包括一波长转换物质。本发明能减少或避免光捕捉效应，提高发光二极管的发光效率。
发光二极管封装结构