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[发明专利]超低残压低容瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201710692635.6有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人：上海领矽半导体有限公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低残压低容瞬态电压抑制器及其制造方法，首先通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注入防止穿通；第三，所有管子均以梳状结构来设计，最大程度地缩短各个管子之间的距离来降低串联电阻；最后，针对TVS通流管，利用PNPN晶闸管SCR的深回扫，或者NPN触发三极管浅回扫的特性，降低TVS通流管本身的残压，从而进一步降低整个低电容TVS的残压。
超低残压低瞬态电压抑制器及其制造方法

[外观设计]磁吸手机支架-CN202230690434.4有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人： 倪凯彬
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： 14-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：磁吸手机支架。2.本外观设计产品的用途：用于手机支架。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：使用状态参考图。
手机支架

[外观设计]手机支架（天鹅）-CN202230335543.4有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人： 倪凯彬
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： 14-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手机支架（天鹅）。2.本外观设计产品的用途：用于手机支架。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：使用状态参考图。
手机支架天鹅

[实用新型]一种车载手机支架-CN202021034579.0有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人： 倪凯彬
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H04M1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及车载连接技术领域，具体揭示了一种车载手机支架，包括车载手机支架，车载手机支架由支架主体与支架底座组成，支架底座包括底座支臂、支架盖、旋转调节、底部压片和吸盘；本实用新型根据支架盖、旋转调节、底部压片和吸盘的结构设计，以及底座支臂底部和支架盖顶部的结构设计及配合，使得支架底座与车辆中控台之间的固定结构以及整个支架底座的360°水平方位旋转调节独立开来，从而使得这个车载支架能够在不取下的情况下实现360°水平方位旋转，当需要对手机支撑角度进行调整时，通过旋转旋钮的松紧，调整滑动外壳的角度即可。
一种车载手机支架

[外观设计]车载手机支架-CN202030284574.2有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人： 倪凯彬
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： 14-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：车载手机支架。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于车载手机支撑及摆放。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
车载手机支架

[实用新型]一种穿通型低电容瞬态电压抑制器-CN201821309325.8有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人：上海领矽半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种穿通型低电容瞬态电压抑制器，包括N型浓掺杂衬底、ILD介质层和深槽隔离，N型浓掺杂衬底包括背面金属层、负向低电容导向管区域和NPN穿通型通流TVS管区域，负向低电容导向管区域包括负向低电容导向管，N型浓掺杂衬底上生长一层P型轻掺杂高阻外延层，P型轻掺杂高阻外延层表面掺杂P型基区，P型基区掺杂NPN集电极区域。用于半导体技术领域。其优点主要表现为：本实用新型的启动电压(穿通电压或击穿电压)大大降低，钳位电压也相应地降低，另外，低电容TVS由于芯片面积小，各种封装形式的兼容性高，可以适合DFN0.6x0.3及以下尺寸的封装，同时也可以做成双向低电容TVS用于差模保护，可靠性高，适用性广，不仅如此，本实用新型所述的制作方法可以方便地调整通流NPN管的触发电压和穿通电压，来满足客户差异化工作电压的要求，适应各种客户端的应用，同时成本可控。
低电容本实用新型导向管掺杂衬底穿通负向瞬态电压抑制器高阻外延层穿通电压通流半导体技术领域背面金属层集电极区域表面掺杂差模保护触发电压封装形式工作电压击穿电压启动电压钳位电压深槽隔离差异化兼容性介质层客户可控封装芯片生长制作应用表现

[实用新型]一种小型化的低容瞬态电压抑制器-CN201721022124.5有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人：上海领矽半导体有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种小型化的低容瞬态电压抑制器，通过在P型浓掺杂衬底上掺杂形成的通流TVS管的上部，生长一层埋层外延层，并进行外延层表面掺杂形成正向低电容导向管，使得正向低电容导向管和通流TVS管完全是上下垂直排列的结构。将该负向低电容导向管，和正向低电容导向管与通流TVS管形成的上下垂直结构靠近并排排列，中间通过深槽隔离；整个器件的上部电极将正、负向低电容导向管直接连成一个压焊区，下电极衬底直接接地。基于本实用新型的低电容瞬态电压抑制器，其负向低电容导向管、正向低电容导向管与通流TVS管所有三个管子均是纵向排列，不仅大大缩小了芯片面积，而且还简化了晶圆工艺流程。
一种小型化瞬态电压抑制器

[实用新型]超低残压低容瞬态电压抑制器-CN201721012971.3有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人：上海领矽半导体有限公司
申请日： 2017-08-14 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超低残压低容瞬态电压抑制器，通过各个器件之间的深槽隔离，以及衬底隔离来完全屏蔽各个器件之间所有可能的寄生管的触发和干扰；再次，把所有三个低容导向管和TVS通流管都按横向结构排列，又在各个器件底部通过高能注入防止穿通；第三，所有管子均以梳状结构来设计，最大程度地缩短各个管子之间的距离来降低串联电阻；最后，针对TVS通流管，利用PNPN晶闸管SCR的深回扫，或者NPN触发三极管浅回扫的特性，降低TVS通流管本身的残压，从而进一步降低整个低电容TVS的残压。
超低残压低瞬态电压抑制器

[实用新型]高对称性能双向瞬态电压抑制器-CN201720900094.7有效
发明人： 倪凯彬 -专利权人：上海领矽半导体有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高对称性能双向瞬态电压抑制器，通过调整纵向NPN结构中的上下两部分N型掺杂浓度梯度和结深，尽可能匹配上下两个PN结物理特性，从而获得两端各个性能参数的高度对称和最优。基于该实用新型制作的双向瞬态电压抑制器的两端性能指标相差在5％以内，几乎可以认为完全对称，而且彼此之间没有性能损失。
对称性能双向瞬态电压抑制器

[发明专利]高对称性能双向瞬态电压抑制器及其制造方法-CN201710608089.3在审
发明人： 倪凯彬 -专利权人：上海领矽半导体有限公司
申请日： 2017-07-24 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高对称性能双向瞬态电压抑制器的制造方法，通过调整纵向NPN结构中的上下两部分N型掺杂浓度梯度和结深，尽可能匹配上下两个PN结物理特性，从而获得两端各个性能参数的高度对称和最优。基于该发明制作的双向瞬态电压抑制器的两端性能指标相差在5％以内，几乎可以认为完全对称，而且彼此之间没有性能损失。
对称性能双向瞬态电压抑制器及其制造方法

[实用新型]双向TVS二极管-CN201420048564.8有效
发明人： 倪凯彬;许成宗;黄海员;顾建平 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双向TVS二极管。该双向TVS二极管包括：一第一导电类型衬底；形成于该第一导电类型衬底上的第二导电类型基区；形成于该第二导电类型基区上的第一导电类型导电层；多个沟槽，每个沟槽均穿过该第一导电类型导电层和该第二导电类型基区并延伸至该第一导电类型衬底中；填充于每个沟槽中的氧化层；形成于该第一导电类型导电层上的第一电极和形成于该第一导电类型衬底背面的第二电极。本实用新型采用深沟槽结构实现PN结的侧边隔离，并在沟槽中填入绝缘材料，减小了PN结侧边的漏电。并且隔离沟槽宽度对沟槽深度的关联性大大减小，有利于减小器件的芯片尺寸。
双向 tvs 二极管

[发明专利]双向TVS二极管及其制造方法-CN201410036305.8在审
发明人： 倪凯彬;许成宗;黄海员;顾建平 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种双向TVS二极管及其制造方法。该双向TVS二极管包括：一第一导电类型衬底；形成于该第一导电类型衬底上的第二导电类型基区；形成于该第二导电类型基区上的第一导电类型导电层；多个沟槽，每个沟槽均穿过该第一导电类型导电层和该第二导电类型基区并延伸至该第一导电类型衬底中；填充于每个沟槽中的氧化层；形成于该第一导电类型导电层上的第一电极和形成于该第一导电类型衬底背面的第二电极。本发明采用深沟槽结构实现PN结的侧边隔离，并在沟槽中填入绝缘材料，减小了PN结侧边的漏电。并且隔离沟槽宽度对沟槽深度的关联性大大减小，有利于减小器件的芯片尺寸。
双向 tvs 二极管及其制造方法

[发明专利]沟槽式MOSFET及其制造方法-CN201010288639.6有效
发明人：顾建平;纪刚;倪凯彬;钟添宾 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2010-09-21 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明另提出一种沟槽式MOSFET及其制造方法，其沟槽式MOSFET的制造方法包括以下步骤：（1）设置重掺杂衬底。（2）在重掺杂衬底上形成轻掺杂外延层。（3）在轻掺杂外延层上形成轻掺杂阱区。（4）形成穿过轻掺杂阱区，并与轻掺杂外延层接触的多个栅极沟槽。（5）在轻掺杂阱区上部，以及栅极沟槽之间形成重掺杂源区。（6）在每个栅极沟槽两侧形成侧墙。（7）通过侧墙自对准形成顶部开口大于底部开口的源极接触孔。本发明可以进一步提高MOSFET的晶胞密度，更方便地对源极接触孔的刻蚀以及有利于源极接触孔的金属填充。
沟槽 mosfet 及其制造方法

[发明专利]瞬态电压抑制器二极管及其制造方法-CN200810035948.5有效
发明人：纪刚;倪凯彬;顾建平 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种瞬态电压抑制器二极管及其制造方法，该瞬态电压抑制器二极管包括一第一控向二极管、一第二控向二极管和一齐纳二极管，该第一控向二极管、该第二控向二极管和该齐纳二极管并联连接，该第一控向二极管和该第二控向二极管之间设有一输入/输出接口，该第一控向二极管和该齐纳二极管之间设有一电压信号线。该瞬态电压抑制器二极管具有超低电容值，且性能稳定，可实现大规模生产的需求。
瞬态电压抑制器二极管及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN200810035949.X有效
发明人：曾泉;纪刚;钟添宾;倪凯彬;张雄英;顾建平 -专利权人：上海韦尔半导体股份有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，该功率半导体器件包括一N型衬底；一形成在该N型衬底上方的N型外延区域，一形成在该N型衬底下方的第二金属层；一形成于该N型外延区域上方的P阱区域；一形成于该P阱区域上的源区；多个穿过该P阱区域、该源区和该N型外延区域接触的栅极；依次位于源区上的一第一绝缘层、一第一金属层和一第二绝缘层；多个穿过该第一绝缘层的接触孔，该第一金属层通过该些接触孔和该P阱区域、源区接触。该功率半导体器件及其制造方法使高密度的实现成为可能，从而能降低导通电阻这一重要的功率器件的参数，减小了沟槽栅极和源区接触之间的距离形成的光刻套准公差。
功率半导体器件及其制造方法

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