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[发明专利]具有可控型栅极电阻的ESD-MOS器件及其制备方法-CN202310162385.0在审
发明人：张雨;俱帅;杜琪;刘厚超;马一洁;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有可控型栅极电阻的ESD‑MOSFET器件及其制备方法，包括：栅极电阻，栅极电阻包括多个栅电阻沟槽，且多个栅电阻沟槽位于器件的有源区的栅极PAD区域和终端区之间，终端区环绕有源区设置；多个金属焊接区，每一金属焊接区分别通过一接触孔连接栅电阻沟槽内的导电多晶硅，金属焊接区用以可控制地接入电阻修调电流，以烧调的方式调整栅极电阻的阻值。有益效果：本发明在版图上设计多个接触孔和金属焊接区，金属焊接区通过接触孔与栅电阻沟槽内的导电多晶硅相连接，通过金属焊接区接入电阻修调电流，以烧调的方式调整栅极电阻的阻值，无需改变版图和多晶硅掺杂浓度，即可实现栅极电阻阻值的调整。
具有可控栅极电阻 esd mos 器件及其制备方法

[发明专利]栅间氧化层的制备方法及屏蔽栅MOS器件的制备方法-CN202310651423.9在审
发明人：张雨;俱帅;刘厚超;马一洁;苏亚兵;杜琪;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种栅间氧化层的制备方法及屏蔽栅MOS器件的制备方法，包括：步骤S1，于半导体基板中形成有源区沟槽，有源区沟槽中形成有场氧化层以及第一源极多晶硅层，场氧化层的厚度低于第一源极多晶硅层的厚度；步骤S2，形成第一隔离氧化层，且第一隔离氧化层具有空洞；步骤S3，刻蚀第一隔离氧化层，暴露出第一源极多晶硅层；步骤S4，进行杂质注入，形成第二源极多晶硅层，随后通过热氧化法在第二源极多晶硅层表面生成第二隔离氧化层，以形成中间薄两边厚的栅间氧化层。有益效果：利用生成隔离氧化层时产生的空洞，刻蚀后结合热氧化法重新生长第二隔离氧化层，避免直接刻蚀生成栅间氧化层时因厚度过薄导致器件栅源隔离不足而导致漏电异常问题。
氧化制备方法屏蔽 mos 器件

[发明专利]一种增强型终端的屏蔽栅MOSFET器件-CN202310314437.1在审
发明人：张雨;俱帅;杜琪;刘厚超;马一洁;苏亚兵;苏海伟 -专利权人：上海维安半导体有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型终端的屏蔽栅MOSFET器件，包括：一半导体基体，半导体基体的终端区设有至少一第一沟槽，半导体基体的有源区设有至少一第二沟槽；一氧化层，包括终端区厚场氧化层，形成于至少一第一沟槽的侧壁和底部以及半导体基体的上表面；有源区厚场氧化层，形成于至少一第二沟槽的侧壁和底部以及半导体基体的上表面；其中，终端区厚场氧化层的厚度大于有源区厚场氧化层的厚度。有益效果：本发明对器件终端区进行增强型设计，通过将终端区厚场氧化层的厚度设置为大于有源区厚场氧化层的厚度，无需增加沟槽数量，即可提高终端耐压，使得可靠性增强。
一种增强终端屏蔽 mosfet 器件