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[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310142037.3有效
发明人：沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体器件及其制作方法。一种半导体器件，具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件以及在晶片级封装上使用UV固化的导电油墨形成RDL的方法-CN201310176280.7有效
发明人：沈一权;俊谟具 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件以及在晶片级封装上使用UV固化的导电油墨形成RDL的方法。半导体器件具有半导体裸片和被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层。在所述第一绝缘层中形成图案化的沟槽。通过将模版布置在所述第一绝缘层上（其中开口与所述图案化的沟槽对齐）并且通过所述模版中的开口将导电油墨沉积到所述图案化的沟槽中，所述导电油墨被沉积在所述图案化的沟槽中。可替代地，通过经由喷嘴将所述导电油墨分发到所述图案化的沟槽中来沉积所述导电油墨。在室温下通过紫外光将所述导电油墨固化。在所述第一绝缘层和导电油墨上形成第二绝缘层。在所述导电油墨上形成互连结构。密封剂可以被沉积在所述半导体裸片周围。所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。
半导体器件以及晶片装上使用 uv 固化导电油墨形成 rdl 方法

[实用新型]半导体器件-CN201320259327.1有效
发明人：沈一权;俊谟具 -专利权人：新科金朋有限公司;星科金朋（上海）有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：实用新型涉及一种半导体器件，具有半导体裸片和被形成在所述半导体裸片上的第一绝缘层。在所述第一绝缘层中形成图案化的沟槽。通过将模版布置在所述第一绝缘层上（其中开口与所述图案化的沟槽对齐）并且通过所述模版中的开口将导电油墨沉积到所述图案化的沟槽中，所述导电油墨被沉积在所述图案化的沟槽中。可替代地，通过经由喷嘴将所述导电油墨分发到所述图案化的沟槽中来沉积所述导电油墨。在室温下通过紫外光将所述导电油墨固化。在所述第一绝缘层和导电油墨上形成第二绝缘层。在所述导电油墨上形成互连结构。密封剂可以被沉积在所述半导体裸片周围。所述图案化的沟槽被形成在所述密封剂中并且所述导电油墨被沉积在所述密封剂中的所述图案化的沟槽中。
半导体器件

[实用新型]半导体器件-CN201320207929.2有效
发明人：沈一权;俊谟具;P.C.马里穆图;林耀剑;林诗轩 -专利权人：新科金朋有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体器件，具有包括基底和从基底延伸的多个导电柱的衬底。该衬底可以是晶片形状、面板、或已单体化的形式。导电柱可以具有圆形、矩形、锥形、或中间变窄的形状。半导体管芯通过基底中的开孔被设置在导电柱之间。半导体管芯在导电柱上面延伸或者被设置在导电柱的下面。密封剂沉积在半导体管芯上并且围绕导电柱。基底和密封剂的一部分被去除以电隔离导电柱。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成互连结构。在半导体管芯、密封剂、和导电柱上形成绝缘层。半导体封装设置在半导体管芯上并电连接到导电柱。
半导体器件