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[发明专利]类金刚石薄膜及制备方法-CN202010286376.9有效
发明人：胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;胡强;吴猛 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp2碳键和sp3碳键的相对含量。本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。
金刚石薄膜制备方法

[发明专利]一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置-CN201911379932.0有效
发明人：胡强;胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;方威;侯少毅;黄丽玲 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于眼睛控制的分区显示方法及装置。其中方法包括步骤：A.通过识别用户瞳孔位置以对用户视线落在屏幕上的位置进行定位；B.以上述定位的位置为中心，按照预设的规则对屏幕划定高清区域；C.显示图像时，其它区域的图像分辨率低于所述高清区域的图像分辨率。装置包括定位模块、分区模块、输出模块。该方法及装置可实现在人眼关注的地方清晰显示，在人眼不关注的地方模糊显示，从而提高图像处理速度。
一种基于眼睛控制分区显示方法装置

[实用新型]一种具有抗结渣结构的浇铸分配器-CN202320105630.X有效
发明人：张秋合;赵玉兵;宁增超;侯立涛;田海伟 -专利权人：隆达铝业（顺平）有限公司
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： B22D35/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种浇铸装置，特别是涉及一种具有抗结渣结构的浇铸分配器，包括浇铸器外壳，所述浇铸器外壳外侧壁固定设置有若干定位挡板，若干所述定位挡板沿所述浇铸器外壳外侧壁周向等间隔设置，所述浇铸器外壳外侧壁固定连通有若干浇铸口，若干所述浇铸口沿所述浇铸器外壳外侧壁周向等间隔设置，所述定位挡板长度大于所述浇铸口长度，所述浇铸器外壳一侧壁中部设置有传动部件，所述浇铸器外壳内部设置有防结渣部件，所述防结渣部件与所述传动部件固定连接，该浇铸装置具有减少结渣、运行稳定、节省物料、保温性能良好的优点，使得铝熔体在浇铸过程中提高成品成型质量。
一种具有抗结渣结构浇铸分配器

[实用新型]一种止涡除气转子防渣装置-CN202222955347.4有效
发明人：赵玉兵;王涛;刘锐;侯立涛;郑红亮;张秋合 -专利权人：隆达铝业（顺平）有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本实用新型公开一种止涡除气转子防渣装置，包括套筒，套筒套设在除气转轴外侧，套筒顶端与除气机架固定连接，套筒外侧壁底端固定连接有过滤部，套筒外侧壁底部周向固定连接有若干缓流部，缓流部底端与过滤部顶端固定连接，套筒侧壁内周向开设有若干调节槽，每个调节槽内均滑动设置有调节部，若干调节部底端共同固定连接有调节环，调节环转动设置在套筒侧壁底端，套筒内侧壁底部周向转动连接有若干扰流部，扰流部与调节部一一对应。本实用新型的装置能够对除气转轴进行有效保护，在不降低除气转轴转速的情况下抑制液面形成旋涡，防止浮渣进入到铝液内部降低铝液质量，保证铝液除气效果的同时又保证了铝液的质量。
一种转子装置

[发明专利]一种高均匀性磁性探针及其制备方法-CN201911379941.X有效
发明人：尤晶;胡强;徐平;胡琅;程远达;侯立涛;冯杰;黄星星;黄丽玲;黎天韵 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G01Q60/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种高均匀性磁性探针及其制备方法，检测硅基探针针尖先端的曲率半径，筛选出曲率半径在规格要求以内的探针；将筛选合格的硅基探针悬臂水平放置，使针尖基体外侧面沿竖直向上，溅射沉积钝化层；将硅基探针悬臂竖直放置，使针尖基体外侧面沿水平方向，溅射沉积磁性感应层；将硅基探针悬臂与竖直方向成30º夹角进行放置，使针尖基体内侧面沿水平方向，溅射沉积磁性屏蔽层；通过采用本技术方案制得的磁性探针的成本低、工艺简单、可重复性好，具备高均匀性的磁感应信号强度，能充分保证定量分析结果的准确性，适用于工业生产用大批量连续的磁力显微镜检测。
一种均匀磁性探针及其制备方法

[发明专利]一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备和方法-CN202010514554.9有效
发明人：卫红;胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;胡强;侯少毅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备和方法，包括阴极电弧生成系统、等离子传输系统、真空镀膜腔体以及电源；阴极电弧生成系统包括电弧生成器和靶材；等离子传输系统包括变径磁过滤管道、电磁线圈以及扫描电磁线圈，电磁线圈绕设在所述变径磁过滤管道的外部，变径磁过滤管道为两头大中间小的双喇叭型。本发明通过设置在阴极电弧沉积设备中设计两头大中间小的双喇叭型的变径磁过滤管道，配合绕设在变径磁过滤管道上的电磁线圈，聚焦和偏斜电磁场可以向着基板导向等离子流，而不受电磁场影响的中性宏观粒子则继续从阴极沿着直线行进从而被过滤，通过简洁的磁过滤管道的设计，可以得到致密的均匀的阴极电弧薄膜。
一种可变角度变径磁过滤阴极电弧薄膜沉积设备方法

[发明专利]变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备-CN202010513293.9有效
发明人：卫红;胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;胡强;侯少毅 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。
变径磁过滤等离子体引出装置真空离子束镀膜设备

[发明专利]磁控管灯丝电源控制系统-CN202210251587.8有效
发明人：卢佳纯;李晓峰;胡琅;侯立涛 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H05B47/10 文献下载
摘要：本申请涉及微波磁控管技术领域，公开了一种磁控管灯丝电源控制系统，用于控制磁控管灯丝的工作，包括主功率模块、采样控制模块、监控保护模块和电流模式PWM控制器，主功率模块包括功率开关管；采样控制模块分别和监控保护模块的输入端、电流模式PWM控制器以及主功率模块电性连接，监控保护模块的输出端和所述电流模式PWM控制器电性连接；监控保护模块不仅用于判断采样到的电压信号或者采样到的电流信号是否超过预设阈值，若超过，则控制电流模式PWM控制器停止输出，从而使主功率模块停止工作，还用于根据采样到的电压电流信号来实时调整电流模式PWM控制器的输出脉宽信号大小。本发明具有输出稳定、实时监控保护的效果。
磁控管灯丝电源控制系统

[发明专利]一种微波电源测试平台的水冷保护结构-CN202210044159.8在审
发明人：尤晶;李晓峰;卢佳纯;胡琅;侯立涛 -专利权人：季华实验室
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G01R1/44 文献下载
摘要：本发明涉及微波电源保护领域，具体为一种微波电源测试平台的水冷保护结构，包括冷水机和微波电源测试平台，冷水机通过水管连接形成主水路；每一个微波电源测试平台包括一台微波电源且根据对应的微波电源的输出功率安装有独立的冷却水保护系统；冷却水保护系统用于确保各个微波电源测试平台能够单独从主水路中获取冷却水；每一微波电源出水口与冷水机第一进水口之间设置有第一测量计；第一测量计用于测量冷却水的流量和温度。本发明通过对各个微波电源测试平台设置能够从主水路中独立取水的冷却水保护系统，同时监测冷却水回流的情况，有利于确保测试过程的安全性，同时提高测试平台的稳定性。
一种微波电源测试平台水冷保护结构

[发明专利]散热器-CN201911426098.6有效
发明人：黄星星;徐平;胡琅;侯立涛;吴猛;冯杰;胡强 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种散热器，该散热器包括壳体、传动机构以及散热基板，壳体形成有进液口、出液口及连通进液口和出液口的冷却剂通道，传动机构设于壳体内，用于在动作时带动进液口的冷却剂沿冷却剂通道向出液口流动，散热基板供发热元件安装，散热基板贴靠安装于壳体位于进液口和出液口之间的外壁上。本发明的散热器改进了散热结构，提高了散热能力，满足了高热流密度元件散热要求，并实现了散热器低负载下的节能降耗。
散热器

[发明专利]一种基于字段数据和坐标共性合并不同行业数据的方法-CN201711164685.3有效
发明人：程丽雅;刘艳民;赵慧贤;侯立涛 -专利权人：中科宇图科技股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G06F16/215 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于字段数据和坐标共性合并不同行业数据的方法，涉及环境污染源普查技术领域。该方法，基于一定业务规则，从多部门多行业提供的数据库中筛选出与环境污染相关的企业名单，并赋予空间属性，通过地址码补全与校验、自动匹配、智能筛选、人工筛选等步骤，合并不同行业企业数据，从而解决不同行业多种数据源的融合匹配问题。为第二次污染源普查提供精准的普查数据库，同时也为多来源的不同行业企业数据融合和匹配提供典型示范案例，为环境管理提供更精准的污染源清单，以实现更精准的环境管理决策。
一种基于字段数据坐标共性合并不同行业方法

[发明专利]一种用于高风险放射源自动化安全监管的设备和方法-CN201711176019.1有效
发明人：陈志涛;曹世凯;侯立涛 -专利权人：中科宇图科技股份有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G06Q10/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高风险放射源自动化安全监管的设备和方法，涉及放射性物质安全监管技术领域。该设备包括：本体和底座，通过使用本体上的标签识别模块识别设置在库房源库、运输车和临时源库中的底座上的标签，确定高风险放射源所在的场景，切换到对应的工作状态，对高风险放射源进行监控，从而实现利用一套该设备就可以完成放射源存储监控、放射源运输监控和放射源工作状态监控等全程跟踪监控。该设备具有安装、部署、使用简单，投资少，实现对放射源全生命周期监控管理的特点。另外，由于本设备高度集成化，方便进行统一管理，所以，减少了设备不兼容的问题，此外，本设备的高度自动化减少了操作员的相关工作，提高工作效率。
一种用于风险放射源自动化安全监管设备方法

[发明专利]一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法-CN201911379924.6有效
发明人：胡强;徐平;胡琅;侯立涛;冯杰;侯少毅;黄星星 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
一种利用碳化硅外延生长设备制备涂层方法

[发明专利]一种自循环高效散热器-CN201911379925.0有效
发明人：黄星星;侯立涛;冯杰;胡强;胡琅;徐平;何斌;方威 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种自循环高效散热器，采用封闭式管道，无需外连冷却水进行外循环，有利于降低冷却成本，操作方便；通过采用TiO2‑水纳米流体作为冷却剂，在TiO2‑水纳米流体中，TiO2的浓度在0.2%‑0.5%范围内最佳，相较于常规散热器采用的自来水冷却剂可将换热系数提高25%左右；同时，散热基板内设有可自旋转的螺旋形旋转轴，螺旋形旋转轴的持续自旋转加强了管路内TiO2‑水纳米流体的扰动，将TiO2‑水纳米流体由层流变成紊流，将很大程度上提高散热能力，换热系数将提高50%。
一种循环高效散热器

[发明专利]一种磁控溅射阴极-CN201911382863.9有效
发明人：胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;胡强;方威;黄星星;尤晶 -专利权人：季华实验室
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁控溅射阴极，包括靶材、第一磁体结构和第二磁体结构；第一磁体结构产生第一磁力线回路，形成第一磁场；第二磁体结构产生第二磁力线回路，形成第二磁场；当启动溅射时，第一磁场作用使靶材位于第一磁力线回路内的区域形成第一等离子区，第二磁场作用使靶材位于第二磁力线回路内的区域形成第二等离子区，实现溅射；第二等离子区和第一等离子区叠加区域不完全重合；通过在第一磁体结构的基础上叠加第二磁体结构，可以增大靶材的溅射使用面积，溅射靶材的溅射后表面形态可以由V形变成U形，靶材的利用率可以从传统的20~25%增加到30~35%，提高靶材的利用率。
一种磁控溅射阴极

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