专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光器件、显示面板及显示设备-CN202310387611.5在审
  • 衣睿宸;侯晓远 - 复旦大学
  • 2023-04-11 - 2023-07-25 - H10K50/14
  • 本公开涉及发光器件、显示面板及显示设备。一种发光器件,包括:第一电极层;第二电极层;设置在所述第一电极层和所述第二电极层之间的发光功能层;以及设置在所述第一电极层和所述发光功能层之间的第一载流子传输层,所述第一载流子传输层被配置用于将来自所述第一电极层的第一载流子传输至所述发光功能层,其中,在所述第一载流子传输层和所述发光功能层之间的界面处形成用于所述第一载流子的抽取势垒,并且其中,所述第一载流子传输层被掺杂,以相比于未被掺杂时具有提高的第一载流子传导性。
  • 发光器件显示面板设备
  • [发明专利]超快瞬态电学响应信号的双探头低噪声测试方法-CN201410801913.3在审
  • 陈小青;侯晓远 - 复旦大学
  • 2014-12-22 - 2015-04-22 - G01R31/00
  • 本发明属于电学测量技术领域,具体为一种超快瞬态电学响应信号的双探头低噪声测试方法。本发明使用两个相同型号的电压测试探头分别测量待测器件的两个电极;每个电压探头与待测器件的两个电极通过固定装置固定相对位置;从而精确测得器件对脉冲激励信号的快速电流或电压响应。传统的单探头测量方法中若使用更灵敏的(高带宽、采样率)示波器和探头,则会引入高频噪声信号,从而严重影响测量结果的质量。本发明的方法则可以避免这一问题,因而允许以更高的带宽和采样率测量器件的电流或电压响应。
  • 瞬态电学响应信号探头噪声测试方法
  • [实用新型]一种有机发光材料升华提纯装置的视窗结构-CN201020233034.2无效
  • 董毅;刘志华;侯晓远 - 沈阳慧宇真空技术有限公司
  • 2010-06-22 - 2011-01-05 - F27D21/02
  • 一种有机发光材料升华提纯装置的视窗结构,克服了现有技术有机发光材料升华提纯装置外加热炉炉体上只能开设若干个间断且较小的可视窗口,对加热炉内的升华区和沉积区的加热情况观察不完全,工作效率低且浪费能源的问题,特征是电加热丝与水平线平行水平绕制在绝缘支架内,在外加热炉的炉体一侧或两侧开设一个长方形可视窗口并至少安装一层透明玻璃,在透明玻璃的内表面涂有红外反光率为40%~80%的金属膜层,优点是可以在工作时观察加热炉内材料升华与沉积情况,随时进行温度调整,当观察到升华区材料升华结束时,可及时停止加热,避免了能源浪费,同时可将热量反射回到加热炉中,起到保温作用,使炉内加热温度均匀,提高了加工效率和质量。
  • 一种有机发光材料升华提纯装置视窗结构
  • [发明专利]一种有机发光材料升华提纯装置的视窗结构-CN201010206088.4有效
  • 董毅;刘志华;侯晓远 - 沈阳慧宇真空技术有限公司
  • 2010-06-22 - 2010-10-20 - F27D21/02
  • 一种有机发光材料升华提纯装置的视窗结构,克服了现有技术有机发光材料升华提纯装置外加热炉炉体上只能开设若干个间断且较小的可视窗口,对加热炉内的升华区和沉积区的加热情况观察不完全,工作效率低且浪费能源的问题,特征是电加热丝与水平线平行水平绕制在绝缘支架内,在外加热炉的炉体一侧或两侧开设一个长方形可视窗口并至少安装一层透明玻璃,在透明玻璃的内表面涂有红外反光率为40%~80%的金属膜层,优点是可以在工作时观察加热炉内材料升华与沉积情况,随时进行温度调整,当观察到升华区材料升华结束时,可及时停止加热,避免了能源浪费,同时可将热量反射回到加热炉中,起到保温作用,使炉内加热温度均匀,提高了加工效率和质量。
  • 一种有机发光材料升华提纯装置视窗结构
  • [发明专利]杆状探针式直流低压气体激活装置-CN200710043463.6无效
  • 丁训民;王希祖;高歆栋;侯晓远 - 复旦大学
  • 2007-07-05 - 2007-12-26 - H01J37/00
  • 本发明属于高真空技术领域,具体为一种杆状探针式直流低压气体激活装置。该装置由杆状金属探针、可外接电极的标准真空接口和两端都为标准真空接口的移动支架组成。金属探针焊接固定于移动支架一端的真空接口,另一端进入真空腔,移动支架另一端的标准接口与真空系统连接。本发明装置能精确调控其顶端与样品间距,适用于在高真空和超高真空系统中电离激活O2、H2等气体分子,实现对各种半导体、金属和氧化物电极材料的激活气体原位表面改性处理。该装置能在几伏到几十伏的直流低电压下实现局域高电场,从而导致周围气体离化,对真空系统中的其他工作部件不产生干扰和影响。
  • 杆状探针直流低压气体激活装置
  • [发明专利]一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法-CN200510023306.X无效
  • 侯晓远;王子君;丁训民 - 复旦大学
  • 2005-01-13 - 2005-07-27 - H01L51/40
  • 一种在有机半导体器件的有机层中阻挡空穴的方法,一般都是通过选择不同的电极与有机半导体的接触,来调控和影响这两个基本过程,即影响电子或空穴的注入速率和相对比例,从而影响电致发光器件的发光效率以及复合发光的区域位置。本发明在有机半导体的薄区域1-10nm进行铝掺杂,掺杂浓度是铝对有机分子的摩尔比为0.1∶1-10∶1。由于铝掺杂,器件的发光与否可用于灵敏探测空穴是否被完全阻挡住。有机电致发光来源于电子和空穴在发光区域的复合,当在发光区域外的空穴传输区域一侧(远离发光位置,以排除金属猝灭的影响)的一个薄区域进行铝掺杂后器件不出现电致发光,说明空穴在铝掺杂区域被完全阻挡住了,实验表明在不同的有机半导体材料NPB和Alq中,进行铝掺杂都可以完全阻挡空穴的传输。
  • 一种有机半导体器件阻挡空穴方法
  • [发明专利]一种新型的有机太阳能电池结构及其制备方法-CN200410089314.X无效
  • 侯晓远;宋群梁;丁训民 - 复旦大学
  • 2004-12-09 - 2005-05-18 - H01L31/04
  • 本发明属有机光电器件技术领域,具体为一种有机太阳能结构及其制备方法。该有机太阳能电池结构依次由掺杂的有机空穴传输层、不掺杂的空穴传输层、载流子产生层、电子传输层、电子阻挡层、阴极组成。其中,不掺杂的空穴传输层采用CuPc或ZnPc,掺杂的空穴传输层采用CuPc或ZnPc掺杂F4-TCNQ,载流子产生层采用共蒸发的CuPc和C60或CuPc和PTCBI,电子传输层采用C60或PTCBI,电子阻挡层采用BCP或AlQ3。各有机层可采用真空蒸发、喷涂、打印等各种沉积有机膜的方法来制备。本发明可大大提高有机太阳能电池的能量转换效率和使用寿命。
  • 一种新型有机太阳能电池结构及其制备方法
  • [发明专利]有机发光器件中的双亲分子缓冲层及其制备方法-CN03141803.1无效
  • 侯晓远;詹义强;熊祖洪;丁训民 - 复旦大学
  • 2003-07-24 - 2004-02-11 - H05B33/14
  • 一种采用双亲分子超薄膜作为有机发光器件中有机电子传输层与金属电极之间连接层或缓冲层及其制备方法。传统的有机发光器件中的缓冲层是无机缓冲层,缓冲层的引入改善了有机发光器件的电子注入,提高了有机发光器件的效率。但是传统的缓冲层材料LiF是种无机材料,有机材料和无机材料在化学性质上存在着巨大差异,由此产生了的有机发光器件的不稳定性。本发明引入双亲分子脂肪酸盐超薄膜缓冲层可以紧密地连接有机层和金属电极,用常规的热蒸发系统即能制得该缓冲层,这种分子的弹性长链结构使得该缓冲层具有较强的抗热冲击的能力,从而增强了有机发光器件的热稳定性,提高了电子注入。
  • 有机发光器件中的双亲分子缓冲及其制备方法
  • [发明专利]发光多孔硅材料的制备方法-CN03115546.4无效
  • 侯晓远;柳毅;熊祖洪;徐少辉;柳玥;刘小兵;丁训民 - 复旦大学
  • 2003-02-27 - 2003-08-20 - C25F3/12
  • 一种采用超声电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用加直流电流或脉冲电流的方法。直流电流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔分布不均匀,孔径比较大,界面不平整,腐蚀效率不高等缺点。脉冲电化学腐蚀方法也有自身的缺点,化学反应产物不能有效地快速扩散出来。而且以这些方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明利用超声的特性,在电化学腐蚀多孔硅的同时加上超声,更加优化了腐蚀条件。得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。
  • 发光多孔材料制备方法
  • [发明专利]发光多孔硅材料的制备方法-CN03115547.2无效
  • 侯晓远;范洪雷;柳毅;熊祖洪;丁训民 - 复旦大学
  • 2003-02-27 - 2003-08-20 - C25F3/12
  • 一种采用脉冲电化学腐蚀制备发光多孔硅材料的方法。传统的多孔硅电化学制备方法是采用直流电流腐蚀的方法。在腐蚀过程中,电化学反应主要集中在多孔硅硅孔的底部,反应生成的化学产物容易沉积在硅孔中,阻止反应的进一步进行,导致直流腐蚀方法制备的多孔硅材料有表面硅孔孔径比较大,分布不均匀,界面不平整,腐蚀效率不高等缺点。而且以这种方法制备的多孔硅材料光学特性不够好。本发明利用脉冲的特性,把脉冲电流引入多孔硅电化学腐蚀,即在腐蚀一定时间以后让腐蚀电流停止一段时间,这样可以让反应产物有时间从硅孔中扩散出来。脉冲腐蚀法得到的多孔硅材料无论是表面界面结构还是光学特性都得到了极大的提高。
  • 发光多孔材料制备方法

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