专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于残差神经网络的单通道时频混叠信号盲分离方法-CN202110520047.0有效
  • 侯小琪;曾泓然 - 侯小琪
  • 2021-05-13 - 2022-09-13 - H04L25/03
  • 本发明一种基于残差神经网络的单通道时频混叠信号盲分离方法,包括以下步骤:步骤1:获取单通道时频混叠信号;步骤2:根据步骤1得到的混叠信号,构造数据集,数据集包括训练集和测试集;步骤3:搭建残差神经网络,通过步骤2得到的数据集对残差神经网络进行训练和测试;步骤4:创建网络损失函数;步骤5:将混叠信号输入步骤3得到的残差神经网络,得到分离后的两路源信号波形;步骤6:将步骤4得到的源信号波形送入调节器解调即可完成时频混叠信号的盲分离;本发明采用数据驱动的深度学习方法弥补人工对分离问题模型刻画的不足,从大量样本中学习信号的深层特征并进行拟合,避免了复杂且繁琐的人工设计;训练特征构造复杂度低。
  • 一种基于神经网络通道时频混叠信号分离方法
  • [发明专利]一种基于有机膦化物合成氧化铟半导体纳米晶的方法-CN202210488981.3在审
  • 李洋;苏江彤;侯小琪;戴宁 - 国科大杭州高等研究院
  • 2022-04-14 - 2022-09-09 - C01G15/00
  • 本发明公开了一种基于有机膦化物合成氧化铟半导体纳米晶的方法,包括将脂肪羧酸铟前驱体与溶剂加入到容器中,将物料在惰性气氛围下排气并维持惰性气体保护,向溶液加入2‑20倍有机膦化物,升温至200‑280℃,保持10‑60分钟,停止反应,待所得溶液冷却,提纯后即得到氧化铟纳米晶等步骤,本发明可降低制备氧化铟纳米晶的反应温度和反应时间,节省能源,对于减少氧化铟半导体制备的能源消耗、发展新型基于金属氧化物半导体纳米晶的光电器件具有推动作用,生成的氧化铟纳米晶表面以短链中性有机膦配体为主,相比现有的胺解和醇解方法生成的具有长链有机配体的氧化铟纳米晶而言,拥有更高的载流子输运能力。
  • 一种基于有机膦化物合成氧化半导体纳米方法
  • [发明专利]基于残差神经网络的单通道混叠信号调制模式识别方法-CN202110519985.9有效
  • 曾泓然;侯小琪 - 曾泓然
  • 2021-05-13 - 2022-06-17 - H04L27/00
  • 本发明公开了基于残差神经网络的单通道混叠信号调制模式识别方法,包括以下步骤:步骤1:通过仿真获取不同码率的时频混叠信号;步骤2:搭建、训练神经网络;步骤3:获取实测混叠信号,仅对收、发信号进行必要的信号处理;步骤4:将步骤3得到的信号输入步骤2得到的残差神经网络,即可得到混叠信号的识别结果。本发明采用堆叠式残差神经网络,改进了传统串联式残差模块连接,避开了传统残差神经网络处理信息高度冗余、层级传递不稳定的弊端;以数据增广的形式对网络输入了不同码率的数字混叠信号,增强网络的鲁棒性和泛化能力;不需要仍何先验信息,也不需要对信号做额外的预处理,直接对信号进行识别分类。
  • 基于神经网络通道信号调制模式识别方法

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