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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种栅极电荷测试电路-CN202310363182.8在审
发明人：姜兰举;依志强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请实施例提供栅极电荷测试电路，涉及功率半导体器件测试领域。栅极电荷测试电路包括恒定电流源单元、栅极电流控制单元、信号发生单元、漏极电流加载控制单元、可调电子负载单元、待测试场效应功率器件及电荷测试单元。通过恒定电流源单元为待测试场效应功率器件的栅极提供恒定的电流，通过栅极电流控制单元和信号发生单元对作用在待测试场效应功率器件的栅极上的电流的时间进行控制，再通过漏极电流加载控制单元和可调电子负载单元对流经待测试场效应功率器件的漏极的电流进行控制，最后再通过电荷测试单元对待测试场效应功率器件的栅极电荷进行测量。通过上述电路即可测试待测试场效应功率器件的栅极电荷。
一种栅极电荷测试电路

[实用新型]能耗制动电路及变频器-CN202320717238.0有效
发明人：吕天峰;依志强;冯洋 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本申请提供一种能耗制动电路及变频器，涉及变频器技术领域。所述变频器包括第一整流电路和逆变电路，所述第一整流电路和所述逆变电路通过第一正电输电线和第一负电输电线连接。所述能耗制动电路包括能耗制动电阻、开关器件及变压器。所述能耗制动电阻和所述开关器件串联于所述第一正电输电线和所述第一负电输电线之间。所述变压器的初级线圈的两端并联于所述能耗制动电阻的两端，所述变压器的次级线圈的两端用于向外部负载供电。在上述结构中，通过变压器将在能耗制动电阻上消耗的一部分热量转化为有用功，使能耗制动电阻的发热量减少，降低了能耗制动电阻的功率，从而提高了变频系统的效率。
能耗制动电路变频器

[实用新型]一种MOSFET、IGBT封装集成结构-CN202122184580.2有效
发明人： 依志强;朱建新 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MOSFET、IGBT封装集成结构，包括双向齐纳二极管、MOSFET或者IGBT、TVS二极管，其中双向齐纳二极管并联于MOSFET的GS极或者IGBT的GE极之间，TVS二极管并联于MOSFET的DS极或者IGBT的CE极之间，TVS二极管为单向瞬态电压抑制二极管，其负极与MOSFET的D极或者IGBT的C极相连，本实用新型能够使MOSFET、IGBT产品栅极耐压能力，抗电压冲击能力增强，并且不容易发生ESD和EAS失效。
一种 mosfet igbt 封装集成结构

[实用新型]功率器件雪崩耐量测试系统-CN202020633991.8有效
发明人： 依志强;李强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种功率器件雪崩耐量测试系统，涉及半导体器件测试技术领域。所述系统包括功率器件测试电路、电信号采集电路、雪崩耐量计算子系统及为所述待测试功率器件提供可调工作环境温度的环境温度控制子系统。电信号采集电路与功率器件测试电路中的待测试功率器件连接。雪崩耐量计算子系统与电信号采集电路连接，用于根据电信号采集电路采集的压降及电流计算得到待测试功率器件发生二次击穿所需的雪崩耐量。如此，通过改变待测试功率器件的工作环境温度，对不同工作环境温度下待测试功率器件的雪崩耐量的进行测试，以便对待测试功率器件的雪崩耐量进行比对和分析。
功率器件雪崩测试系统

[发明专利]功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法-CN202010331303.7在审
发明人： 依志强;李强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本申请提供一种功率器件雪崩耐量测试系统及测试方法，涉及半导体器件测试技术领域。所述系统包括功率器件测试电路、电信号采集电路、雪崩耐量计算子系统及为所述待测试功率器件提供可调工作环境温度的环境温度控制子系统。电信号采集电路与功率器件测试电路中的待测试功率器件连接。雪崩耐量计算子系统与电信号采集电路连接，用于根据电信号采集电路采集的压降及电流计算得到待测试功率器件发生二次击穿所需的雪崩耐量。如此，通过改变待测试功率器件的工作环境温度，对不同工作环境温度下待测试功率器件的雪崩耐量的进行测试，以便对待测试功率器件的雪崩耐量进行比对和分析。
功率器件雪崩测试系统方法

[实用新型]半导体功率器件、印刷电路板和电源-CN201920555270.7有效
发明人：朱建新;依志强 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体功率器件、印刷电路板和电源，属于电气元件技术领域。该半导体功率器件包括塑封外壳和多个管脚，多个管脚的第一端均与塑封外壳连接，多个管脚的第二端均悬空。塑封外壳的侧边上位于相邻两个管脚之间的位置处设置有凹槽。该印刷电路板包括基板和上述半导体功率器件，半导体功率器件固接在基板上。该电源包括上述半导体功率器件或印刷电路板。本实用新型改善了现有技术易失效的技术问题。
半导体功率器件印刷电路板管脚塑封外壳本实用新型电源基板电气元件第一端位置处侧边固接悬空

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