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[发明专利]半导体结构及电机驱动装置-CN201811030236.4有效
发明人： 余梦霖;肖金玉;郭守誉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L27/082 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底，具有第一导电类型；第一区域，形成于衬底上，包含第一阱区以及从第一阱区引出的电极，第一阱区具有第二导电类型；第二区域，形成于衬底上，包含第二阱区以及从第二阱区引出的电极，第二阱区具有第二导电类型；隔离结构，形成于衬底上且位于第一区域与第二区域之间以隔离第一阱区与第二阱区；隔离结构包括2M+1个阱区以及从2M+1个阱区中各阱区引出的电极，第一阱区、第二阱区和2M+1个阱区并排设置且相邻阱区的导电类型相反，M大于或等于1。通过在隔离结构中设置多个阱区，可以吸收三极管的绝大部分电子，隔离效果较好。本发明还涉及一种电机驱动装置，该电机驱动装置形成于上述半导体结构中。
半导体结构电机驱动装置

[实用新型]片框及晶圆夹具工装-CN202221562373.4有效
发明人：张浩;余梦霖;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及一种片框及晶圆夹具工装。该片框包括间隔设置的两个立柱，两个所述立柱的相对表面分别开设有凹槽，两个所述凹槽之间用于放置晶圆，两个所述凹槽槽底之间的距离沿所述晶圆的放置方向渐缩设置，所述凹槽沿第一方向两侧设置有第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和第二侧壁向背离所述晶圆的方向凹陷形成凹陷部，所述凹陷部与所述凹槽连通。第一侧壁和第二侧壁形成凹陷部，相对于直线结构来说，减少了片框对晶圆表面的遮挡，增大晶圆表面和溶液的接触面积，二者充分接触，并且由于片框与晶圆接触面积变小，从而残留溶液较少，使得反应后的晶圆边缘不存在色差，提高芯片清洗和腐蚀工艺的均匀性，提升芯片的性能。
夹具工装

[发明专利]反激变换器及其输出电压获取方法、装置-CN201811642923.1有效
发明人：孙伟锋;张华鑫;张琥;余梦霖;赵思宇;徐申;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种反激变换器及其输出电压获取方法、装置，其中输出电压获取方法包括以下步骤：获取反激变换器的参考输出电压；在反激变换器的连续M个开关周期的每个开关周期的复位时间内，采样反激变换器的当前输出电压，其中，M为正整数；根据参考输出电压和当前输出电压，采用二分法逐次逼近当前输出电压，直至M个开关周期结束，获得反激变换器的输出电压。由此，在输出电压较大的情况下，采用二分法逐次逼近的方式来获取反激变换器的输出电压，可以保证获取的准确性。
激变及其输出电压获取方法装置

[发明专利]LLC谐振变换器的自适应同步整流控制系统及方法-CN201811585002.6有效
发明人：钱钦松;史冉;余梦霖;张凌云;许胜有;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：本发明涉及一种LLC谐振变换器的自适应同步整流控制系统及方法，所述系统包括：采样电路，输入端连接同步整流管的漏极，用于采集所述同步整流管的漏极电压；比较器，输入端连接所述采样电路的输出端，用于将输入的所述漏极电压与预设电压阈值进行比较，并输出比较结果；控制单元，与所述比较器和同步整流管的栅极连接，用于控制所述同步整流管在一个工作周期内的导通时长。本发明能够对同步整流管的漏端电压大小进行一个直接的判断，从而得出同步整流管是否处于最佳关断状态，并据此对同步整流管进行关断控制，调整至合适的关断点。该方法采用自适应同步整流算法，能根据原边开关管开关频率的变化趋势，实现同步整流管导通时间长短的自适应控制。
llc 谐振变换器自适应同步整流控制系统方法

[发明专利]薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻-CN201811167760.6在审
发明人： 余梦霖;肖金玉;张华刚;李琳 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜电阻的制造方法和薄膜电阻，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层；在所述层间介电层上形成薄膜电阻层，所述薄膜电阻层包括第一部分和第二部分；在所述薄膜电阻层上形成覆盖所述第二部分的阻挡层；在所述层间介电层上形成导电连接层，所述导电连接层覆盖所述阻挡层，并露出所述第一部分。根据本发明的半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置，在薄膜电阻层与导电连接层之间通过设置阻挡层代替导电通孔进行连接，消除了导电通孔对所形成的半导体器件的电阻的影响，减少了影响电阻温漂系数的变量，增加了薄膜电阻集成器件的电阻稳定性。
薄膜电阻制造方法