专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁性隧道结-CN201210229507.5在审
  • 吴昊;张佳;余天;张晓光;韩秀峰 - 中国科学院物理研究所
  • 2012-07-03 - 2014-01-22 - H01L43/08
  • 本发明涉及尖晶石氧化物势垒的磁性隧道结及其器件应用,磁性隧道结的势垒采用尖晶石氧化物组成。该隧道结可以是单势垒或者双势垒的结构。本发明提供的新型势垒磁性隧道结可以应用于自旋电子器件中,包括磁敏传感器、磁性随机存取存储器单元、磁逻辑器件单元、自旋晶体管和自旋场效应管。基于这些新型势垒的磁性隧道结,势垒层与磁性电极晶格失配度较低,在保持高的室温隧穿磁电阻比值的同时,偏压依赖特性比较弱,击穿电压得到提高。
  • 磁性隧道
  • [发明专利]各向异性可调制的磁性薄膜结构、磁敏传感器及制备方法-CN201110143364.1有效
  • 余天;王文秀;韩秀峰 - 中国科学院物理研究所
  • 2011-05-30 - 2012-12-05 - H01L43/08
  • 一种GMR或TMR磁性纳米多层薄膜结构、磁敏传感器及制备方法,该磁性纳米多层薄膜结构依次包括基片和其上的缓冲层,参考磁性层、中间层、探测磁性层和覆盖层,其中所述参考磁性层利用了铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性,通过调节参考磁性层中铁磁层厚度使得其易磁化方向为面内,设为XY方向,或垂直膜面,设为Z方向。本发明利用铁磁层/非磁层界面诱导的垂直各向异性调制参考磁性层的磁各向异性,在铁磁层较薄处获得易磁化轴垂直膜面的参考层,在铁磁层较厚处获得易磁化轴在面内的参考层,再利用钉扎结构及诱导磁场生长实现参考磁性层和探测磁性层磁各向异性在三维空间的调制,其磁敏探测器集成度高、工艺简单,热稳定性和一致性好。
  • 各向异性调制磁性薄膜结构传感器制备方法

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