专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种半导体设备用加热模块-CN202321232579.5有效
  • 余先炜 - 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-10-10 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及一种半导体设备用加热模块,属于半导体设备技术领域,加热模块包括有板状的固态光源组件,固态光源组件的一面具有均匀设置的若干发光二极管,固态光源组件的另一面上通过支架连接有电路控制组件;电路控制组件包括有控制电路,控制电路与发光二极管电性连接;在电路控制组件和固态光源组件之间设置有冷却组件,冷却组件包括有冷却管道,冷却管道的周围紧贴地设置有导热块;冷却组件与电路控制组件之间具有间隙,导热块与固态光源组件相紧贴。本方案采用发光二极管作为发热元件,结构更为轻薄;采用扁平化夹层设计,通过层间的间隙对控制电路元件进行有效的热隔离;图案化排布更灵活,同时实现更好的散热和温度场控制。
  • 一种半导体备用加热模块
  • [发明专利]模块化固态光源加热装置-CN202310570159.6在审
  • 余先炜 - 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
  • 2023-05-19 - 2023-09-05 - H01L21/67
  • 本发明涉及一种模块化固态光源加热装置,属于半导体设备技术领域,包括依次层叠设置的电路控制组件、冷却组件和固态光源组件;电路控制组件包括有控制电路板,控制电路中包括有功率控制元件;冷却组件包括有冷却管道,冷却管道的末端设有管路连接器,冷却管道的周围设有快速导热件;固态光源组件包括有光源基板,光源基板通过支架与控制电路板相连接,光源基板背向电路控制组件的一面排布设置有发光二极管,发光二极管通过电路接口与功率控制元件电性连接。本方案装置体积小,结构轻薄,易于加工、拆卸以及后期维修;图案化排布灵活,通用性强;还可调节不同区域的散热效率,满足不同工况下散热需要,显著提高加热装置的整体的热均匀性。
  • 模块化固态光源加热装置
  • [实用新型]一种等离子天线以及半导体加工设备-CN202222221290.5有效
  • 王美玲;田才忠;余先炜 - 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
  • 2022-08-23 - 2023-03-21 - H01J37/32
  • 本实用新型涉及一种等离子天线以及半导体加工设备,该等离子天线由至少两个线圈单元并联形成,包括第一线圈部段以及第二线圈部段,第一线圈部段以及第二线圈部段分别与等离子天线的中心相邻,第一线圈部段以及第二线圈部段中的电流方向相反,在由等离子天线的中心垂直第一线圈部段向外的方向上,距离第一线圈部段最近的至少两个线圈部段中的电流方向相同,在由等离子天线的中心垂直第二线圈部段向外的方向上,距离第二线圈部段最近的至少两个线圈部段中的电流方向相同。本实用新型所述的等离子天线所产生电磁场分布能够使得等离子体分布均匀。
  • 一种等离子天线以及半导体加工设备
  • [发明专利]一种线圈以及半导体反应设备-CN202211013113.6在审
  • 王美玲;田才忠;余先炜 - 盛吉盛半导体科技(北京)有限公司
  • 2022-08-23 - 2022-11-04 - H01J37/32
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,公开了一种线圈以及半导体反应设备,该线圈由至少两个线圈单元并联形成,包括第一线圈部段以及第二线圈部段,第一线圈部段以及第二线圈部段分别与线圈的中心相邻,第一线圈部段以及第二线圈部段中的电流方向相反,在由线圈的中心朝向第一线圈部段向外的方向上,距离第一线圈部段最近的至少两个线圈部段中的电流方向相同,在由线圈的中心朝向第二线圈部段向外的方向上,距离第二线圈部段最近的至少两个线圈部段中的电流方向相同。本发明所述的线圈所产生电磁场分布能够使得等离子体分布均匀。
  • 一种线圈以及半导体反应设备
  • [实用新型]半导体加工工艺腔室及半导体加工装置-CN202123398091.3有效
  • 田才忠;余先炜;林保璋 - 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-09-27 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及一种半导体加工工艺腔室及半导体加工装置,半导体加工工艺腔室包括腔室本体和抽气装置,在腔室本体的至少一个侧壁上设置有第一传片通道,抽气装置包括第一抽气口,以及与第一抽气口连接的抽气泵,第一抽气口设置于与第一传片通道相同一侧的腔室本体的底板上,本实用新型通过上述布置方式,使得在传片时,如果有颗粒污染物通过第一传片通道进入工艺腔室后,通过第一抽气口第一时间将颗粒污染物抽走,并且通过上述方案有效抑制了或者在一定程度上改善了在传片过程中传片通道或传片腔室内具有颗粒,进入工艺腔室后对晶圆盘以及晶圆上形成污染的技术问题。
  • 半导体加工工艺装置

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